Продукція > MRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MRF8P20140WGHSR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors MOSFET 1880-2025 MHz 24 W Avg. 28 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P20140WHR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Current - Test: 500 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-780-4 Technology: LDMOS Gain: 16dB Power - Output: 24W Configuration: Dual Frequency: 1.88GHz ~ 1.91GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-780-4 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P20140WHR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors HV8 2GHZ 24W NI780-4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P20140WHR3 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 65V 5-Pin Case 465M-01 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P20140WHR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P20140WHR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P20140WHR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P20140WHSR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors HV8 2GHZ 24W NI780S-4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P20140WHSR3 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S-4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P20140WHSR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S-4 | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P20140WHSR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P20140WHSR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P20140WHSR5 | NXP | Description: NXP - MRF8P20140WHSR5 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MRF8P20160HR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors HV8 2GHZ 160W NI780H-4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P20160HR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Current - Test: 550 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-780-4 Technology: LDMOS Gain: 16.5dB Power - Output: 37W Configuration: Dual Frequency: 1.92GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-780-4 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P20160HR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 2CH 65V 1.92GHZ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P20160HSR3 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 2CH 65V 1.92GHZ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P20160HSR3 | NXP | Description: NXP - MRF8P20160HSR3 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MRF8P20160HSR3 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRF8P20160HSR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 2CH 65V 1.92GHZ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P20161HSR3 | Freescale Semiconductor | Description: RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL | на замовлення 1217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P20161HSR3 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors HV8 2GHZ 161W NI780HS-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P20161HSR3 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRF8P20161HSR3 | NXP | Description: NXP - MRF8P20161HSR3 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MRF8P20165WHR3 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 65V 5-Pin Case 465M-01 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P20165WHR3 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780-4 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P20165WHR3 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors HV8 2GHZ 165W NI780-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P20165WHR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P20165WHR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P20165WHR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P20165WHSR3 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P20165WHSR3 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors HV8 2GHZ 165W NI780S-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P20165WHSR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P20165WHSR5 | NXP (VIA ROCHESTER) | Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF8P20165WHSR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 1.88 GHz, 2.025 GHz, NI-780S tariffCode: 85423190 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC Betriebsfrequenz, max.: 2.025GHz Betriebsfrequenz, min.: 1.88GHz euEccn: TBC Verlustleistung: - Bauform - Transistor: NI-780S Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 39 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P20165WHSR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P20165WHSR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P23080HR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780-4 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.3GHz Configuration: Dual Power - Output: 16W Gain: 14.6dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780-4 Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 280 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P23080HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Current - Test: 280 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-780-4 Technology: LDMOS Gain: 14.6dB Power - Output: 16W Configuration: Dual Frequency: 2.3GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-780-4 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P23080HSR3 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRF8P23080HSR3 | NXP | Description: NXP - MRF8P23080HSR3 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MRF8P23080HSR3 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors RF FET V8 2.3GHZ 80W NI780S-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P23080HSR3 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Packaging: Bulk Package / Case: NI-780S-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.3GHz Configuration: Dual Power - Output: 16W Gain: 14.6dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S-4L Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 280 mA | на замовлення 417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MRF8P23080HSR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Current - Test: 280 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-780S-4L Technology: LDMOS Gain: 14.6dB Power - Output: 16W Configuration: Dual Frequency: 2.3GHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: NI-780S-4L Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P23080HSR5 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Packaging: Bulk Package / Case: NI-780S-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.3GHz Configuration: Dual Power - Output: 16W Gain: 14.6dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S-4L Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 280 mA | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MRF8P23080HSR5 | NXP | Description: NXP - MRF8P23080HSR5 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MRF8P23080HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Current - Test: 280 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-780S-4L Technology: LDMOS Gain: 14.6dB Power - Output: 16W Configuration: Dual Frequency: 2.3GHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: NI-780S-4L Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P23160HSR3 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRF8P23160WHR3 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 2CH 65V 2.32GHZ NI780-4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P23160WHSR3 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 2CH 65V 2.32GHZ NI780-4 Current - Test: 600 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: NI-780-4 Technology: MOSFET Gain: 14.1dB Power - Output: 30W Configuration: N-Channel Frequency: 2.32GHz Package / Case: NI-780-4 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P26080HR3 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 2CH 65V 2.62GHZ NI780-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P26080HS | NXP Semiconductors | Single W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2500-2700 MHz, 14 W Avg., 28 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P26080HSR3 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin Case 465H-02 T/R | на замовлення 13119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MRF8P26080HSR3 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRF8P26080HSR3 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors HV8 2.6GHZ 80W NI780S-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P26080HSR3 | FRS | RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P26080HSR3 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Packaging: Bulk Package / Case: NI-780S-4 Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.5GHz ~ 2.7GHz Configuration: Dual Power - Output: 14W Gain: 15dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 300 mA | на замовлення 383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MRF8P26080HSR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 2CH 65V 2.62GHZ NI780S-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P29300HR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P29300HR6 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 30V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.9GHz Configuration: Dual Power - Output: 320W Gain: 13.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230 Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 30 V Current - Test: 100 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P29300HR6 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors HV8 300W 50V NI1230 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P29300HSR6 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 30V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.9GHz Configuration: Dual Power - Output: 320W Gain: 13.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230S Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 30 V Current - Test: 100 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P29300HSR6 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors HV8 300W 50V NI1230S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P8300HR6 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors HV8-800 28V NI1230H | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P8300HR6 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P8300HSR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230S | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P8300HSR6 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 820MHz Configuration: Dual Power - Output: 96W Gain: 20.9dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230S Part Status: Active Voltage - Rated: 70 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 2 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P8300HSR6 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors HV8-800 28V NI1230HS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P9040GNR1 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors HV8 900MHZ 40W TO270WB4G | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P9040GNR1 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 2CH 70V 960MHZ TO-270 Current - Test: 320 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 70 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull Technology: LDMOS Gain: 19.1dB Power - Output: 4W Configuration: Dual Frequency: 960MHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-270BB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P9040NBR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO272-4 Current - Test: 320 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 70 V Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Technology: LDMOS Gain: 19.1dB Power - Output: 4W Configuration: Dual Frequency: 960MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: TO-272BB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P9040NR1 | FRS | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 320mA 960MHz 19.1dB 4W TO-272-4 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P9040NR1 | Freescale Semiconductor | Description: RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | на замовлення 314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MRF8P9040NR1 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors HV8 900MHZ 40W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P9210NR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET 28V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780-4 Frequency: 960MHz Configuration: N-Channel Power - Output: 63W Gain: 16.8dB Technology: MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device Package: NI-780-4 Voltage - Rated: 70 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 750 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P9210NR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors HV8 900MHz 63W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P9300H | NXP Semiconductors | Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 920-960 MHz, 100 W Avg., 28 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P9300HR6 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 960MHz Configuration: Dual Power - Output: 100W Gain: 19.4dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230 Voltage - Rated: 70 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 2.4 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P9300HR6 | FRS | RF MOSFET Transistors HV8-900 100W 28V CASE 375D-05, STYLE 1 NI-1230 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P9300HR6 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors HV8-900 100W 28V NI1230H | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P9300HS | NXP Semiconductors | Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 920-960 MHz, 100 W Avg., 28 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P9300HS | на замовлення 26 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRF8P9300HSR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 2CH 70V 960MHZ NI-1230HS | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P9300HSR6 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 2CH 70V 960MHZ NI-1230HS | на замовлення 33600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P9300HSR6 | FRS | RF MOSFET Transistors HV8-900 100W 28V NI1230HS Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8P9300HSR6 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors HV8-900 100W 28V NI1230HS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8S18120H | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRF8S18120HR3 | NXP | Description: NXP - MRF8S18120HR3 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MRF8S18120HR3 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRF8S18120HR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: NI-780H-2L Technology: LDMOS Gain: 18.2dB Power - Output: 72W Frequency: 1.81GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-957A Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Test: 800 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8S18120HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-957A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.81GHz Power - Output: 72W Gain: 18.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780H-2L Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 800 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8S18120HS | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRF8S18120HSR3 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors HV8 1.8GHZ 120W NI780HS | на замовлення 246 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8S18120HSR3 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MRF8S18120HSR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.81GHz Power - Output: 72W Gain: 18.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 800 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8S18120HSR3,128 | NXP USA Inc. | Description: RF L BAND, N-CHANNEL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8S18120HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.81GHz Power - Output: 72W Gain: 18.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 800 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8S18210WGHSR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors HV8 1.8GHZ 210W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8S18210WGHSR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET 30V NI880XS Current - Test: 1.3 A Voltage - Test: 30 V Voltage - Rated: 65 V Supplier Device Package: NI-880XS-2 GULL Technology: MOSFET (Metal Oxide) Gain: 17.8dB Power - Output: 50W Configuration: N-Channel Frequency: 1.93GHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: NI-880XS-2 GW Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8S18210WGHSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET 30V NI880XS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-880XS-2 GW Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.93GHz Configuration: N-Channel Power - Output: 50W Gain: 17.8dB Technology: MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device Package: NI-880XS-2 GULL Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 30 V Current - Test: 1.3 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF8S18210WHSR3 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors HV8 1.8GHZ 55W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

