Продукція > BSS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSS123 Код товару: 220789
Додати до обраних
Обраний товар
| JCET | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 100 V Струм стоку Idd, A: 0,17 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 10 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 29/1,4 Монтаж: SMD | у наявності: 2000 шт
|
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 UMW TBSS123 UMW кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | MDD(Microdiode Electronics) | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -50°C~150°C; BSS123 SOT23 MDD(MICRODIODE) TBSS123 MDD кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123 | Fairchild | N-MOSFET 100V 170mA 6Ω 360mW BSS123 Fairchild TBSS123 FAI кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | Good-Ark Semiconductor | Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.19A, 100 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31.6 pF @ 50 V | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | Infineon | N-кан. MOSFET SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1689000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123 | SHIKUES | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SHIKUES TBSS123 SHK кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 1500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123 | NextGen Components | Description: MOSFET N-CH 100V 0.2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 50 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 (ONSEMI) Код товару: 207526
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS123 0.323MM | JUXING | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 JUXING TBSS123 JUX кількість в упаковці: 1000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 E6433 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS123 E6433 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123 L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123 L6433 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123 L7874 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 239 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | NXP | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 1030 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2457000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | NXP | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 288000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | NXP/Nexperia/We-En | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 150 мА, Ptot, Вт = 0,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 40 @ 25, Rds = 6 Ом @ 120 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,8 В @ 1000 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | на замовлення 33635 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | Nexperia | MOSFETs BSS123/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | NXP | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2457000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | NXP | N-кан. MOSFET SOT-23 Транзистори | на замовлення 1729 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS123,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-13-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; 300mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-13-F | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-13P | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-13P | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-13P | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-13P | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 100V 360mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | Diodes Incorporated | MOSFETs 100V 360mW | на замовлення 89864 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm | на замовлення 223149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 27 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | Diodes INC. | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 170 мА, Ptot, Вт = 0,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 60 @ 25, Rds = 6 Ом @ 170 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 68821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm | на замовлення 223149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 74357 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F Код товару: 148378
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | Diodes | N-кан. MOSFET SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 68780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F .K23 | DIODES/ZETEX | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BSS123-13-F BSS123-7-F DIODES TBSS123-7-F Diodes кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F-50 | Diodes Incorporated | Description: BSS Family SOT23 T&R 3K Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F-50 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F-W | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 3270000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F-W | Diodes Incorporated | BSS Family SOT23 T&R 3K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F-W | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 3270000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-AU-R1-000A1 | Panjit | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-E6327 Код товару: 98887
Додати до обраних
Обраний товар
| Siemens | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 100 V Струм стоку Idd, A: 0,17 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 6 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 55/1.78 Монтаж: SMD | у наявності: 274 шт
|
| ||||||||||||||||||
| BSS123-F169 | onsemi | onsemi N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 100V, 170 mA, 6O | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-F169 | onsemi | Description: MOSFET N-CH SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 100V 0.2A SOT-23-3L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 100V 0.2A SOT-23-3L | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-F2-0000HF | YY | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS123-YAN; BSS123 TBSS123 YY кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 2900 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 38958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-G | onsemi | MOSFETs FET 100V 6.0 MOHM | на замовлення 698 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-G | onsemi | Description: FET 100V 6.0 MOHM SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-ML | MOSLEADER | Description: 0.35W 100V 0.17A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-R1-00001 | Panjit | MOSFETs SOT23 100V .17A N-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-R2-00001 | Panjit | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs N-Ch Enh FET 100Vds 0.17A 20Vgs 0.35W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BSS123-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm | на замовлення 54965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.35W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.68A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BSS123-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm | на замовлення 54965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 26978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123.215 Код товару: 49331
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 100 V Струм стоку Idd, A: 0,15 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 6 Ohm Монтаж: SMD | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS123.215 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123/LF1R | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123A | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123ATA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123ATA | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Chnl 100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123ATC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123DWS-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.2A 6-Pin SOT-363S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123DWS-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123DWS-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: IC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 271mW (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 200mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |

