Продукція > BSZ

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 6405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	128.28 грн
10+	115.82 грн
25+	110.72 грн
100+	78.72 грн
250+	66.58 грн
500+	62.54 грн
1000+	50.65 грн
3000+	47.81 грн
6000+	45.56 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ042N06NSATMA1

Rochester Electronics, LLC

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ049N03LSCGATMA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 1316 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ0500NSIATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 4916 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0500NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V

на замовлення 9817 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	51.19 грн

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ0500NSIATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ0500NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V

на замовлення 9817 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	175.90 грн
10+	108.65 грн
100+	74.21 грн
500+	55.81 грн
1000+	51.36 грн
2000+	47.62 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ0501NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ0501NSIATMA1

Description: INFINEON - BSZ0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0017 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm

на замовлення 9635 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	143.85 грн
10+	108.49 грн
100+	87.59 грн
500+	69.25 грн
1000+	49.32 грн
5000+	46.49 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ0501NSIATMA1

MOSFETs IFX FET 15V-30V

на замовлення 7049 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0501NSIATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 123A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 123A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ0501NSIATMA1

на замовлення 9635 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	87.59 грн
500+	69.25 грн
1000+	49.32 грн
5000+	46.49 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ0501NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V

на замовлення 1445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.28 грн
10+	81.78 грн
100+	55.06 грн
500+	40.94 грн
1000+	37.48 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ0502NSIATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0502NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8SON

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.05 грн

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.25 грн

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Description: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm

на замовлення 2617 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.48 грн
500+	25.89 грн
1000+	20.60 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	125.41 грн
169+	84.01 грн
200+	78.07 грн
1000+	63.46 грн
2000+	55.56 грн
5000+	48.09 грн

Мінімальне замовлення: 113 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V

на замовлення 3716 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.06 грн
10+	62.53 грн
100+	41.47 грн
500+	30.46 грн
1000+	27.73 грн
2000+	25.44 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 9657 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0503NSIATMA1

Description: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm

на замовлення 2617 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	92.41 грн
16+	51.11 грн
100+	36.48 грн
500+	25.89 грн
1000+	20.60 грн

Мінімальне замовлення: 9 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ0506NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0506NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 4400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 431 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	46.29 грн
50+	35.28 грн
250+	29.41 грн

Мінімальне замовлення: 18 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ0506NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.86 грн

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ0506NSATMA1

MOSFETs IFX FET 15V-30V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0506NSATMA1

на замовлення 431 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.28 грн
250+	29.41 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ0506NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

на замовлення 8344 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.37 грн
10+	48.95 грн
100+	32.26 грн
500+	23.54 грн
1000+	21.37 грн
2000+	19.55 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03LS G

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 6041 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03LSG

Description: BSZ050N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.63 грн

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03LSGATMA1

Description: INFINEON - BSZ050N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5000 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 14602 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	70.24 грн
19+	43.72 грн
100+	28.61 грн
500+	18.80 грн
1000+	14.33 грн
5000+	12.40 грн

Мінімальне замовлення: 12 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03LSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

на замовлення 5763 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.07 грн
10+	43.21 грн
100+	28.21 грн
500+	20.41 грн
1000+	18.46 грн
2000+	16.81 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03LSGATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 9191 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03MS G

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

на замовлення 147 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03MSG

Description: BSZ050N03 - 12V-300V N-CHANNEL P

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03MSG

Infineon technologies

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V

на замовлення 216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.74 грн
10+	42.01 грн
100+	27.38 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ050N03MSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0589NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.38 грн

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ0589NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0589NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 3500 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 6874 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.57 грн
500+	30.15 грн
1000+	23.42 грн
5000+	19.84 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ0589NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0589NSATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 5779 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ0589NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0589NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 3500 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 6874 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	81.97 грн
16+	50.55 грн
100+	38.57 грн
500+	30.15 грн
1000+	23.42 грн
5000+	19.84 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03LS G

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 4717 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03LSG

0950+ TSDSON-8

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03LSGATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 2532 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MS G

MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

на замовлення 1159 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MS G

QFN

на замовлення 92 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MSG

infineon

08+

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MSG

Description: BSZ058N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active

на замовлення 11233 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

886+	26.35 грн

Мінімальне замовлення: 886 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk

на замовлення 14327 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

886+	25.12 грн

Мінімальне замовлення: 886 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MSGATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ058N03MSGXT

MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ0602LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 13A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0602LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 13A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ0602LSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4411 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LS

MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8 Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LS

MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 40761 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LS

Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	31.92 грн

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.15 грн

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ060NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.005 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 26965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	58.42 грн
21+	38.57 грн
100+	26.84 грн
500+	18.43 грн
1000+	14.88 грн
5000+	14.81 грн

Мінімальне замовлення: 14 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 12A/44A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 12 V

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.76 грн
10000+	20.36 грн
15000+	19.57 грн
25000+	17.53 грн

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.87 грн

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LSATMA1

MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8 Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 12A/44A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 12 V

на замовлення 29786 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.54 грн
10+	56.71 грн
100+	37.23 грн
500+	27.07 грн
1000+	24.53 грн
2000+	22.40 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ060NE2LSATMA1

MOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 50771 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ063N04LS6

MOSFETs TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ063N04LS6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V

на замовлення 3761 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.04 грн
10+	39.47 грн
25+	37.25 грн
100+	31.99 грн
250+	30.22 грн
500+	28.97 грн
1000+	27.34 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ063N04LS6ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 122975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ063N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 1480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

844+	16.76 грн

Мінімальне замовлення: 844 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ063N04LS6ATMA1

Description: INFINEON - BSZ063N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 20299 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.00 грн
250+	39.46 грн
1000+	33.28 грн
3000+	29.07 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ063N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ063N04LS6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ063N04LS6ATMA1

Description: INFINEON - BSZ063N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 20299 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	56.33 грн
50+	45.00 грн
250+	39.46 грн
1000+	33.28 грн
3000+	29.07 грн

Мінімальне замовлення: 15 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ063N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 3825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

207+	68.64 грн
259+	54.78 грн
294+	48.18 грн
500+	46.28 грн
1000+	42.09 грн

Мінімальне замовлення: 207 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LS
Код товару: 148978

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LS

QFN

на замовлення 792 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LS

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 5499 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V

на замовлення 13030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.39 грн
10+	45.00 грн
100+	29.41 грн
500+	21.32 грн
1000+	19.30 грн
2000+	17.60 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 8584 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ065N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm

на замовлення 2467 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.86 грн
500+	20.30 грн
1000+	16.53 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	17.43 грн
10000+	15.57 грн

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ065N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm

на замовлення 2467 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	76.02 грн
18+	47.25 грн
100+	30.86 грн
500+	20.30 грн
1000+	16.53 грн

Мінімальне замовлення: 11 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N03LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 2557 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	59.29 грн
16+	50.21 грн
25+	49.78 грн
100+	34.84 грн
250+	31.97 грн
500+	26.71 грн
1000+	19.74 грн

Мінімальне замовлення: 13 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5

Infineon / IR

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 11272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	60.11 грн
500+	49.32 грн
1000+	36.64 грн
5000+	34.92 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 14900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

182+	78.02 грн
193+	73.55 грн
221+	64.00 грн
232+	58.87 грн
500+	54.30 грн
1000+	47.89 грн
5000+	44.45 грн
10000+	43.55 грн

Мінімальне замовлення: 182 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V

на замовлення 9459 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	119.34 грн
10+	72.76 грн
100+	48.69 грн
500+	36.02 грн
1000+	32.90 грн
2000+	30.31 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5ATMA1

MOSFETs MV POWER MOS

на замовлення 12330 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 46W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.

BSZ065N06LS5ATMA1