НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GD2-241809Mean-Well USA, Inc.Module DC-DC 24VIN 2-OUT -9V/18V 0.05A/0.09A 2W 5-Pin SIP Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2-241809MEAN WELL USA Inc.Description: 2W;I:24VDC;O:+18/-9VDC@+90/-50MA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2-241809MEAN WELLDC/DC Converters - Through Hole 2W 21.6-26.4Vin 18V/-9Vout +90mA/-50mA SIP7 Iso Unreg IGBT Sic Gate Driver
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2-241809Mean-Well USA, Inc.Module DC-DC 24VIN 2-OUT -9V/18V 0.05A/0.09A 2W 5-Pin SIP Module
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2-241809MEAN WELLDC/DC, 2W, Вхід: 13.5-16.5VDC, Вихід: +18V/-9V, +9...90mA/-5...50mA, ізоляція 6200VDC, корпус SIP7, -40…+90 С DC-DC-перетворювачі на друковану плату в корпусі SIP
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2-241809Mean-Well USA, Inc.Module DC-DC 24VIN 2-OUT -9V/18V 0.05A/0.09A 2W 5-Pin SIP Module
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1072.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2-242005Mean-Well USA, Inc.Module DC-DC 24VIN 2-OUT 20V/-5V 0.08A/0.08A 2W 5-Pin SIP Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2-242005MEAN WELLDC/DC, 2W, Вхід: 13.5-16.5VDC, Вихід: +20V/-5V, +8...80mA/-8...80mA, ізоляція 6200VDC, корпус SIP7, -40…+90 С MEAN WELL
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2-242005Mean-Well USA, Inc.Module DC-DC 24VIN 2-OUT 20V/-5V 0.08A/0.08A 2W 5-Pin SIP Module
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2-242005Mean-Well USA, Inc.Module DC-DC 24VIN 2-OUT 20V/-5V 0.08A/0.08A 2W 5-Pin SIP Module
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1072.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2-242005MEAN WELLDC/DC, 2W, Вхід: 13.5-16.5VDC, Вихід: +20V/-5V, +8...80mA/-8...80mA, ізоляція 6200VDC, корпус SIP7, -40…+90 С DC-DC-перетворювачі на друковану плату в корпусі SIP
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2-242005MEAN WELLDescription: MEAN WELL - GD2-242005 - Isol. DC/DC-Wandler, Durchsteckmontage, ITE & Industrie, SIP, 2 W, 2 Ausgänge, 20 V
tariffCode: 85044095
DC-Eingangsspannung, min.: 21.6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -80mA
rohsCompliant: YES
Höhe: 12.5mm
Nominelle DC-Eingangsspannung: 24V
Tiefe: 19.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anzahl der Ausgänge: 2 Ausgänge
isCanonical: Y
Breite: 9.8mm
DC/DC-Wandlerausgang: Fest
Isolationsspannung: 6.2kV
DC-Eingangsspannung, max.: 26.4V
DC/DC-Wandler: SIP
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Ausgangsregelung: Ungeregelt
Produktpalette: GD2 Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 20V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -5V
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 80mA
Eingangsverhältnis: -
Anwendungen für das Netzteil: ITE & Industrie
Ausgangsleistung, max.: 2W
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2-242005Mean-Well USA, Inc.Module DC-DC 24VIN 2-OUT 20V/-5V 0.08A/0.08A 2W 5-Pin SIP Module
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2-242005MEAN WELL USA Inc.Description: 2W;I:24VDC;O:+20/-5VDC@+80/-80MA
Packaging: Bulk
Package / Case: 7-SIP, 5 Leads
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 2
Current - Output: 80mA, 80mA
Operating Temperature: -40°C ~ 90°C
Output Configuration: Positive and Negative (Dual Rail)
Frequency - Switching: 20kHz ~ 130kHz
Voltage - Input (Max): 26.5V
Supplier Device Package: 7-SIP
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Input (Min): 21V
Voltage - Output (Min/Fixed): -5V, 20V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+538.48 грн
5+503.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2-242005MEAN WELLDC/DC Converters - Through Hole 2W 21.6-26.4Vin 20V/-5Vout +80mA/-80mA SIP7 Iso Unreg IGBT Sic Gate Driver
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2-24203.5Mean-Well USA, Inc.Module DC-DC 24VIN 2-OUT 20V/-3.5V 0.08A/0.09A 2W 5-Pin SIP Module
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1072.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2-24203.5Mean-Well USA, Inc.Module DC-DC 24VIN 2-OUT 20V/-3.5V 0.08A/0.09A 2W 5-Pin SIP Module
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1544.07 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2-24203.5MEAN WELLDescription: MEAN WELL - GD2-24203.5 - Isol. DC/DC-Wandler, Durchsteckmontage, ITE & Industrie, SIP, 2 W, 2 Ausgänge, 20 V
tariffCode: 85044095
DC-Eingangsspannung, min.: 21.6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -80mA
rohsCompliant: YES
Höhe: 12.5mm
Nominelle DC-Eingangsspannung: 24V
Tiefe: 19.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anzahl der Ausgänge: 2 Ausgänge
isCanonical: Y
Breite: 9.8mm
DC/DC-Wandlerausgang: Fest
Isolationsspannung: 6.2kV
DC-Eingangsspannung, max.: 26.4V
DC/DC-Wandler: SIP
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Ausgangsregelung: Ungeregelt
Produktpalette: GD2 Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 20V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -3.5V
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 90mA
Eingangsverhältnis: -
Anwendungen für das Netzteil: ITE & Industrie
Ausgangsleistung, max.: 2W
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2-24203.5MEAN WELLDC/DC, 2W, Вхід: 13.5-16.5VDC, Вихід: +20V/-3.5V, +9...90mA/-8...80mA, ізоляція 6200VDC, корпус SIP7, -40…+90 С MEAN WELL
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2-24203.5MEAN WELLDC/DC Converters - Through Hole 2W 21.6-26.4Vin 20V/-3.5Vout +90mA/-80mA SIP7 Iso Unreg IGBT Sic Gate Driver
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2-24203.5Mean-Well USA, Inc.Module DC-DC 24VIN 2-OUT 20V/-3.5V 0.08A/0.09A 2W 5-Pin SIP Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2-24203.5Mean-Well USA, Inc.Module DC-DC 24VIN 2-OUT 20V/-3.5V 0.08A/0.09A 2W 5-Pin SIP Module
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2-24203.5MEAN WELLDC/DC, 2W, Вхід: 13.5-16.5VDC, Вихід: +20V/-3.5V, +9...90mA/-8...80mA, ізоляція 6200VDC, корпус SIP7, -40…+90 С DC-DC-перетворювачі на друковану плату в корпусі SIP
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD200CEY120C2SStarPower Semiconductor LtdGD200CEY120C2S
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+8150.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD200FFY120C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 200A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD200FFY120C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD200FFY120C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 309 A, 1.7 V, 1.006 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 309
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 1.006
Verlustleistung: 1.006
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
DC-Kollektorstrom: 309
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD200HFU120C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD200HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 262 A, 3 V, 1.315 kW, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3V
Dauer-Kollektorstrom: 262A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3V
Verlustleistung Pd: 1.315kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.315kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 262A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD200HFU120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 200A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD200HFX170C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD200HFX170C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 337 A, 1.85 V, 1.271 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 337A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 1.271kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.271kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 337A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD200HFX170C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 200A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD200HFX65C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD200HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 250 A, 1.45 V, 612 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 612W
Verlustleistung: 612W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 250A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 250A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD200HFX65C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD200HFX65C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 247 A, 1.45 V, 612 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 612W
Verlustleistung: 612W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 247A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 247A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD200HFX65C8SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD200HFX65C8S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 247 A, 1.45 V, 612 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 612W
Verlustleistung: 612W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 247A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 247A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD200HFY120C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD200HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 309 A, 2 V, 1.006 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 1.006kW
Verlustleistung: 1.006kW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 309A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 309A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD200HFY120C8SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD200HFY120C8S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 309 A, 1.7 V, 1.006 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.006kW
Verlustleistung: 1.006kW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 309A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 309A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD200SGY120C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD200SGY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 309 A, 1.7 V, 1.006 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.006kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.006kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 309A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 309A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD200TLQ120L3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; 3-level inverter TNPC; L3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: L3
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 400A
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: 3-level inverter TNPC; NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD200TLQ120L3SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD200TLQ120L3S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 200 A, 1.45 V, 666 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 666W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 200A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2015Eaton ElectricalCircuit Breakers GD 2 POLE BREAKER, 15 AMP, SINGLE PACKED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2015DVB3Eaton ElectricalCircuit Breakers GD 2P 15A CB W/RING TERM&ALM SW 50 DEG C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2020Eaton ElectricalCircuit Breakers GD 2 POLE BREAKER, 20 AMP, SINGLE PACKED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2025INTELTQFP
на замовлення 735 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2025Eaton ElectricalCircuit Breakers GD 2 POLE BREAKER, 25 AMP, SINGLE PACKED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2026BurndyCable Accessories Grounding Cast Copper Alloy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2030Eaton ElectricalCircuit Breakers GD 2 POLE BREAKER, 30 AMP, SINGLE PACKED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2030102MAWKYOCERA AVX ComponentsCap Ceramic Single 0.001uF 25V X7R 20% (0.508 X 0.508 X 0.165mm) Pad SMD 125°C Waffle
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2030A3Eaton ElectricalCircuit Breakers GD Breaker 2 Pole 30A 1A-1B A/S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2030CEaton ElectricalCircuit Breakers GD 2 Pole 30 Amp w/ Steel Collars
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2030DEaton ElectricalCircuit Breakers GD 2 Pole 30 Amp w/ Ring Lugs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2030VA3Eaton ElectricalCircuit Breakers GD 2P- 30A- Aux SW 1A-1B- 50degC CALrion
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2035Eaton ElectricalCircuit Breakers GD 2 POLE BREAKER, 35 AMP, SINGLE PACKED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2035CEaton ElectricalCircuit Breakers GD 2 Pole 35 Amp w/ Steel Collars
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2035DEaton ElectricalCircuit Breakers GD 2 Pole 35 Amp w/ Ring Lugs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2040Eaton ElectricalCircuit Breakers GD 2 POLE BREAKER, 40 AMP, SINGLE PACKED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2045Eaton ElectricalCircuit Breakers GD 2 POLE BREAKER, 45 AMP, SINGLE PACKED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2048CINTELTQFP
на замовлення 514 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2050Eaton ElectricalCircuit Breakers GD 2 POLE BREAKER, 50 AMP, SINGLE PACKED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2050DVEaton ElectricalCircuit Breakers GD 2P 50A BKR W/ RING TERMS 50DEGREES C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12AGeneSiC Semiconductor1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+294.00 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12AGeneSiC Semiconductor1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+301.35 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12AGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1200V 42A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 42A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+439.72 грн
10+379.58 грн
25+362.99 грн
100+318.86 грн
250+305.16 грн
500+295.19 грн
1000+281.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12AGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Max. forward voltage: 1.9V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 29A
Max. load current: 67A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 128A
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+397.39 грн
10+345.52 грн
25+330.43 грн
50+318.69 грн
100+306.95 грн
250+294.37 грн
1000+285.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12AGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12AGeneSiC Semiconductor1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12HNavitas Semiconductor, Inc.Description: DIODE SIL CARB 1200V 39A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 39A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+754.81 грн
30+431.91 грн
120+367.16 грн
510+300.07 грн
1020+295.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12HGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Max. forward voltage: 1.9V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 27A
Max. load current: 67A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 128A
на замовлення 531 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+467.84 грн
3+410.10 грн
30+393.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12HGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12HGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12HGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD20PJX65F1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD20PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 35 A, 1.45 V, 102 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 102W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 35A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD20PJX65L2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD20PJX65L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 40 A, 1.45 V, 129 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 40A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD20PJX65L2S, модуль IGBT
Код товару: 215488
Додати до обраних Обраний товар
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD21150-ACINTEL97+ BGA
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD21150ACINTEL
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2115QAC
на замовлення 587 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD22-MTLaird Technologies IASDescription: ANT GRID 14/19DBI 16" GALV STEEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD22-MTLairdAntennas Grid,Moto
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD22-TRLaird Technologies IASDescription: ANT GRID 14/19DBI 16" TRANGO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD22-TRLairdAntennas Grid,Trango
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD225HFY120C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD225HFY120C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 368 A, 2 V, 1.229 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 1.229kW
Verlustleistung: 1.229kW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 368A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 368A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD225HFY120C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 225A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 225A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD24-15Laird TechnologiesAntenna Grid Dish 15dB Gain 2485MHz
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3135.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD24-15P-NFLaird ConnectivityAntennas Grid,Wire,240-30in,N F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD24-15P-NFLaird Technologies IASDescription: ANT GRID 15DBI 2.4GHZ 30" N FEM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD24-15P-NMTE Connectivity LairdDescription: RF ANT 2.4GHZ GRID CAB BRKT 30"
Power - Max: 100 W
RF Family/Standard: WiFi
Frequency (Center/Band): 2.4GHz
Frequency Group: UHF (2GHz ~ 3GHz)
Height (Max): 16.000" (406.40mm)
Antenna Type: Parabolic Grid
VSWR: 1.5
Number of Bands: 1
Termination: N Type Male
Gain: 15dBi
Applications: WiMax™, WLAN
Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.485GHz
Mounting Type: Bracket Mount
Features: Cable - 762mm
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD24-15P-NMLaird ConnectivityAntennas Grid,Wire,240-30in,N M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD24-15P-RSMALaird Connectivity Inc.Description: RF ANT 2.4GHZ GRID CAB BRKT 30"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD24-15P-RSMALaird ConnectivityAntennas Grid,Wire,240-30in,R SMAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD24-15P-RTNCTE Connectivity LairdDescription: RF ANT 2.4GHZ GRID CAB BRKT 30"
Termination: RP-TNC
Gain: 15dBi
Applications: WiMax™, WLAN
Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.485GHz
Mounting Type: Bracket Mount
Features: Cable - 762mm
Packaging: Bulk
Power - Max: 100 W
Part Status: Active
RF Family/Standard: WiFi
Frequency (Center/Band): 2.4GHz
Frequency Group: UHF (2GHz ~ 3GHz)
Height (Max): 16.000" (406.40mm)
Antenna Type: Parabolic Grid
VSWR: 1.5
Number of Bands: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD24-15P-RTNCLaird ConnectivityAntennas Grid,Wire,240-30in,R TNM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD24-19P-NFLaird Technologies IASDescription: ANT GRID 19DBI 2.4GHZ 30" N FEM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD24-19P-NFLaird ConnectivityAntennas Grid,Wire,240-30in,N F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD24-19P-NMTE Connectivity LairdDescription: RF ANT 2.4GHZ GRID CAB BRKT 30"
Power - Max: 100 W
RF Family/Standard: WiFi
Frequency (Center/Band): 2.4GHz
Frequency Group: UHF (2GHz ~ 3GHz)
Height (Max): 24.000" (609.60mm)
Antenna Type: Parabolic Grid
VSWR: 1.5
Number of Bands: 1
Termination: N Type Male
Gain: 19dBi
Applications: WiMax™, WLAN
Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.485GHz
Mounting Type: Bracket Mount
Features: Cable - 762mm
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD24-19P-NMLaird ConnectivityAntennas Grid,Wire,240-30in,N M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD24-19P-RSMALaird Connectivity Inc.Description: RF ANT 2.4GHZ GRID CAB BRKT 30"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD24-19P-RSMALaird ConnectivityAntennas Grid,Wire,240-30in,R SMAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD24-19P-RTNCTE Connectivity LairdDescription: RF ANT 2.4GHZ GRID CAB BRKT 30"
Applications: WiMax™, WLAN
Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.485GHz
Mounting Type: Bracket Mount
Features: Cable - 762mm
Packaging: Bulk
VSWR: 1.5
Number of Bands: 1
Termination: RP-TNC
Gain: 19dBi
Power - Max: 100 W
Part Status: Active
RF Family/Standard: WiFi
Frequency (Center/Band): 2.4GHz
Frequency Group: UHF (2GHz ~ 3GHz)
Height (Max): 24.000" (609.60mm)
Antenna Type: Parabolic Grid
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD24-19P-RTNCLaird ConnectivityAntennas Grid,Wire,240-30in,R TNM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD24-24Laird TechnologiesANTENNA UNIT
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4945.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD24-24P-NF-EZLaird Technologies IASDescription: RF ANT 2.4GHZ GRID CAB BRKT 30"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.