Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GSF3404Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.80A, 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSF3404BGood-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CHANNEL, 30V, 5.8A, SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 15 V
на замовлення 3943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+6.21 грн
76+3.96 грн
88+3.41 грн
105+2.70 грн
250+2.45 грн
500+2.30 грн
1000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSF3404BGood-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CHANNEL, 30V, 5.8A, SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.23 грн
6000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSF3407Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.1A, -30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.1A, 10V
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+6.21 грн
75+4.04 грн
84+3.59 грн
101+2.80 грн
250+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSF3407Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.1A, -30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.1A, 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSF3416Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CHANNEL, 20V, 6.5A, SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSF3416Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CHANNEL, 20V, 6.5A, SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.54 грн
54+5.61 грн
61+4.94 грн
100+3.91 грн
250+3.57 грн
500+3.36 грн
1000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSF4MersenCartridge Fuses 5X20MM TD FUSE 250V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSF4/10Mersen USA Newburyport-MA L.L.C.Description: 5X20MM TD FUSE 250V 4/10A
Packaging: Bulk
Package / Case: 5mm x 20mm
Size / Dimension: 0.197" Dia x 0.787" L (5.00mm x 20.00mm)
Fuse Type: Cartridge, Ceramic
Mounting Type: Requires Holder
Response Time: Fast Blow
Approval Agency: CSA, SEMKO, UL, UR, VDE
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 1.5kA
Current Rating (Amps): 400 mA
Voltage Rating - AC: 250 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSF517-LPF0700SOSHIN05+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GSF602-SEP0819
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GSF603-SEP0918Soshin00+
на замовлення 4279 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GSF7002DWGood-Ark SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 4627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.64 грн
30+10.17 грн
37+8.29 грн
100+5.74 грн
250+4.74 грн
500+4.12 грн
1000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSF7002DWGood-Ark SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSF8MersenCartridge Fuses 5X20MM TD FUSE 250V 8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSF8/10MersenCartridge Fuses 5X20MM TD FUSE 250V 8/10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFA10200Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 200.00A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10430 pF @ 50 V
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.86 грн
10+122.43 грн
30+110.04 грн
120+92.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFA20106Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 106.00A, 2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 100 V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.93 грн
10+200.13 грн
30+181.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFA95R500Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 10.00A, 95
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 50 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.11 грн
10+244.25 грн
100+197.59 грн
500+164.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFAR02510C1DTBI MotionDescription: BALL SCREW NUT 25MM DIA 10MM LEA
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6571.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB0205Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PPAK (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.75 грн
21+14.51 грн
25+12.89 грн
100+10.42 грн
250+9.62 грн
500+9.14 грн
1000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB0205Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PPAK (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB0206Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, 5.2A, 20V, D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.82 грн
11+27.37 грн
25+22.80 грн
100+16.48 грн
250+14.05 грн
500+12.56 грн
1000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB0206Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, 5.2A, 20V, D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB0305Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 6PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PPAK (2x2)
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.52 грн
20+15.11 грн
25+13.40 грн
100+10.84 грн
250+10.01 грн
500+9.51 грн
1000+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB0305Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 6PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PPAK (2x2)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB2121Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10.00A, -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.75 грн
21+14.28 грн
100+9.58 грн
500+6.93 грн
1000+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB2121Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10.00A, -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.93 грн
6000+5.22 грн
9000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB3123Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10A, -30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB3123Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10A, -30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0201Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.70A, 25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 550mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0201Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.70A, 25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 550mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.54 грн
58+5.24 грн
100+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0202Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 1.45A, 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.45A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+6.99 грн
69+4.34 грн
80+3.77 грн
100+2.97 грн
250+2.70 грн
500+2.54 грн
1000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0202Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 1.45A, 20V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.45A (Ta)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0204Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4A, 20V, S
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
на замовлення 5737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+6.99 грн
69+4.34 грн
80+3.77 грн
100+2.97 грн
250+2.70 грн
500+2.54 грн
1000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0204Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4A, 20V, S
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0213Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -5.8A, -20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.65 грн
42+7.25 грн
47+6.37 грн
100+5.09 грн
250+4.65 грн
500+4.39 грн
1000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0213Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -5.8A, -20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC02501Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CHANNEL, -25V, -0.85A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.18 грн
6000+1.87 грн
9000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC02501Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CHANNEL, -25V, -0.85A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 10 V
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.87 грн
46+6.51 грн
100+4.00 грн
500+2.73 грн
1000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC02A05Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -5.00A, -2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC02A05Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -5.00A, -2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 5415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.41 грн
16+18.92 грн
25+17.05 грн
100+11.05 грн
250+9.31 грн
500+7.56 грн
1000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0301Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFETS, P-CH, SINGLE, -30V, -4.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 15 V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.32 грн
49+6.13 грн
56+5.41 грн
100+4.30 грн
250+3.92 грн
500+3.70 грн
1000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0301Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFETS, P-CH, SINGLE, -30V, -4.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0304Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFETS, N-CH, SINGLE, 30V, 5.3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.32 грн
49+6.13 грн
56+5.41 грн
100+4.30 грн
250+3.92 грн
500+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0304Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFETS, N-CH, SINGLE, 30V, 5.3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.63 грн
6000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0306Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFETS, N-CH, SINGLE, 30V, 5.5A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.32 грн
49+6.13 грн
56+5.41 грн
100+4.30 грн
250+3.92 грн
500+3.70 грн
1000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0306Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFETS, N-CH, SINGLE, 30V, 5.5A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0403Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2.90A, -4
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.60 грн
6000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0403Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2.90A, -4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.63 грн
18+17.20 грн
100+8.69 грн
500+6.66 грн
1000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0500Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.30A, 50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.29 грн
6000+1.96 грн
9000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0500Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.30A, 50V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 30 V
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.77 грн
59+5.09 грн
100+3.38 грн
500+2.41 грн
1000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0603Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3A, -60V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1178 pF @ 30 V
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.98 грн
34+8.90 грн
39+7.87 грн
100+6.30 грн
250+5.78 грн
500+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0603Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3A, -60V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1178 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.42 грн
6000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC10110LGood-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.00A, 100
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446 pF @ 50 V
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
17+18.17 грн
100+11.49 грн
500+8.07 грн
1000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC10110LGood-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.00A, 100
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC1208Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -.85A, -20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC1208Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -.85A, -20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC2312Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.80A, 20V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC2312Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.80A, 20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.27 грн
6000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC28110Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 3A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 284mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.17 грн
6000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC28110Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 3A, 100V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 284mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC3401Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.40A, -3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC3401Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.40A, -3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+6.99 грн
67+4.49 грн
77+3.89 грн
100+3.09 грн
250+2.80 грн
500+2.64 грн
1000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC3415Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.00A, -2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1181.1 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.08 грн
21+14.51 грн
25+11.97 грн
100+8.52 грн
250+7.16 грн
500+6.33 грн
1000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC3415Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.00A, -2
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1181.1 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC3415CGood-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.00A, -2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.65 грн
39+7.78 грн
100+5.20 грн
500+3.71 грн
1000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC3415CGood-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.00A, -2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.53 грн
6000+3.04 грн
9000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC4050Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.31 грн
31+9.72 грн
100+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC4050Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.37 грн
6000+2.90 грн
9000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFCP0212Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET 20V 12A 6CSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2609pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.7nC @ 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-CSP (2.15x1.66)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFCP0212Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET 20V 12A 6CSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2609pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.7nC @ 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-CSP (2.15x1.66)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFCR2303Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2.00A, -2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 438 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFCR2303Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2.00A, -2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 438 pF @ 10 V
на замовлення 2721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.98 грн
37+8.30 грн
100+5.14 грн
500+3.52 грн
1000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0460Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, 40V, TO-252 (DPAK)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.69 грн
10+48.31 грн
25+45.38 грн
100+34.75 грн
250+32.28 грн
500+27.47 грн
1000+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0460Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, 40V, TO-252 (DPAK)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.04 грн
5000+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0603Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -14.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0603Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -14.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.25 грн
5000+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0625Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 27.00A, 60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.69 грн
10+33.73 грн
25+28.15 грн
100+20.48 грн
250+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0625Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 27.00A, 60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.28 грн
5000+11.65 грн
7500+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0646Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 45A, 60V,T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0646Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 45A, 60V,T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.99 грн
10+48.46 грн
25+40.74 грн
100+29.99 грн
250+25.95 грн
500+23.48 грн
1000+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0650Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 66V,T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0650Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 66V,T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 30 V
на замовлення 1702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.99 грн
10+47.04 грн
25+39.10 грн
100+28.24 грн
250+24.09 грн
500+21.54 грн
1000+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD06C20Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 19A TO252-4
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V, 1810pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 20.1W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.30 грн
10+56.54 грн
25+47.18 грн
100+34.30 грн
250+29.40 грн
500+26.38 грн
1000+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD06C20Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 19A TO252-4
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V, 1810pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 20.1W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0982Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2145 pF @ 50 V
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.26 грн
10+35.08 грн
25+31.50 грн
100+25.91 грн
250+24.17 грн
500+23.12 грн
1000+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0982Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2145 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD10110Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 15.00A, 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446 pF @ 50 V
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.38 грн
13+23.78 грн
100+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD10110Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 15.00A, 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD1028Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 28A, 100V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD1028Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 28A, 100V,
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+145.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD1550Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 150V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 75 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD1550Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 150V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 75 V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.46 грн
10+118.91 грн
25+112.18 грн
100+89.70 грн
250+84.23 грн
500+73.70 грн
1000+60.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD4003Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 240.00A, 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD4003Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 240.00A, 4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.67 грн
10+42.33 грн
100+27.57 грн
500+19.90 грн
1000+17.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD4005Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -88.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.10 грн
10+53.47 грн
100+37.15 грн
500+27.96 грн
1000+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD4005Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -88.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.86 грн
5000+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD4015Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -40.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 20 V
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.71 грн
11+27.60 грн
100+18.76 грн
500+13.82 грн
1000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD4015Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH, SINGLE, -40.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  Наступна Сторінка >> ]