Продукція > IGW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IGW40N65H5 Код товару: 184903
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGW40N65H5 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3 Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 45097 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW40N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 74A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 20ns/149ns Switching Energy: 360µJ (on), 110µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 92 nC Grade: Automotive Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 250 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW40N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW40N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW40N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 74A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 20ns/149ns Switching Energy: 360µJ (on), 110µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 92 nC Grade: Automotive Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 250 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW40N65H5AXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IGW40N65H5AXKSA1 - IGW40N65 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSIS tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW40N65H5FKSA1 | Infineon | IGBT 650V 74A TO247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW40N65H5FKSA1 Код товару: 178084
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IGW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW40N65H5FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW40N65H5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 74A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 22ns/165ns Switching Energy: 390µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 255 W | на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW40N65H5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Kind of package: tube Technology: TRENCHSTOP™ 5 Manufacturer series: H5 | на замовлення 158 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 36515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW40T120 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 1200V 40A | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW40T120 (TO247-3) Код товару: 98711
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IGW40T120FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW40T120FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.3 V, 270 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT FS 1200V 75A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns Switching Energy: 6.5mJ Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 203 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A Power - Max: 270 W | на замовлення 282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW40T120FKSA1 Код товару: 153805
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IGW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs Y | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW50N60H3 | Infineon Technologies | IGBTs 600V 50A 333W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW50N60H3 | Infineon Technologies | Description: IGW50N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW50N60H3 Код товару: 107816
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247-3 Напруга колектор-емітер Vces, V: 600 V Напруга насичення Vce, V: 1,85 V Струм колектора Ic при 25°C, A: 100 A Струм колектора Ic при 100°C, A: 50 A Розсіювана потужність Pd при 25°C, W: 333 W Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°C, ns: 23/235 | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IGW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW50N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed collector current: 200A Collector-emitter voltage: 600V Manufacturer series: H3 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/235ns Switching Energy: 2.36mJ Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 315 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 333 W | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW50N60H3FKSA1 | Infineon | IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW50N60H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW50N60H3FKSA1 - IGBT, 50 A, 2.3 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V MSL: - Verlustleistung: 333W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 | Infineon | IGBT 600V 100A 333W TO247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW50N60T | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW50N60T | Infineon Technologies | Description: IGW50N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk Power - Max: 333 W Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 90 A Part Status: Active Gate Charge: 310 nC Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW50N60TFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW50N60TFKSA1 - IGBT, 50 A, 2 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: - Verlustleistung: 333W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A | на замовлення 175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns Switching Energy: 2.6mJ Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 333 W | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW50N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed collector current: 150A Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 64A | на замовлення 82 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW50N60TP | Infineon technologies | на замовлення 51 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IGW50N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/215ns Switching Energy: 1.53mJ (on), 850µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 249 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 319.2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW50N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW50N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW50N60TPXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW50N60TPXKSA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 319.2 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 319.2W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW50N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW50N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW50N65F5 | Infineon Technologies | IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW50N65F5 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW50N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 108 nC Grade: Automotive Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 270 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW50N65F5AXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IGW50N65F5AXKSA1 - IGW50N65 - AUTOMOTIVE IGBT DISCRETES tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW50N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 108 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 270 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW50N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 38640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW50N65F5FKSA1 | Infineon | IGBT 650V 80A 305W IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW50N65F5FKSA1 Код товару: 85495
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IGW50N65F5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 270W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 270W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Technology: TRENCHSTOP™ 5 Manufacturer series: F5 | на замовлення 58 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 305 W | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 3100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 3100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW50N65F5FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW50N65F5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - Verlustleistung: 305W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW50N65H5 Код товару: 182512
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IGW50N65H5 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW50N65H5 | Infineon Technologies | IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | на замовлення 753 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW50N65H5 | Infineon technologies | на замовлення 35 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IGW50N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 270 W Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Gate Charge: 116 nC Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Switching Energy: 450µJ (on), 160µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 21ns/173ns IGBT Type: Trench Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW50N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW50N65H5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 305 W | на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW50N65H5FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW50N65H5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW50N65H5FKSA1 IGW50N65H5 | Infineon | IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW50N65HS | Infineon Technologies | Description: IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW60N60H3 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop | на замовлення 282 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW60N60H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGW60N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 416 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 416W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 375 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 416 W | на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs Y | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW60N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 416W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 60A Pulsed collector current: 180A Manufacturer series: H3 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V | на замовлення 187 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGW60T120 | Infineon Technologies | Description: IGW60T120 - DISCRETE IGBT WITHOU | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGW60T120 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 1200V 60A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

