Продукція > IMW

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IMW65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+543.66 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+543.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R060M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+472.63 грн
2400+433.97 грн
3600+405.92 грн
4800+371.13 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+588.75 грн
5+542.03 грн
10+495.32 грн
50+284.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+517.07 грн
10+295.33 грн
100+220.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+498.60 грн
30+277.86 грн
120+233.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+597.24 грн
50+458.32 грн
100+457.38 грн
200+439.22 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R075M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+442.97 грн
10+258.01 грн
100+187.77 грн
480+180.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R075M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMW65R075M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 11.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 516 pF @ 400 V
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+472.97 грн
30+260.31 грн
120+217.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+533.92 грн
50+519.75 грн
100+517.86 грн
200+498.45 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+537.20 грн
10+518.68 грн
100+350.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 23520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+433.09 грн
12000+397.67 грн
18000+371.95 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+296.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+517.07 грн
10+308.03 грн
100+214.01 грн
480+193.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+385.09 грн
100+366.19 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+452.78 грн
30+250.46 грн
120+209.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+327.21 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+492.10 грн
10+277.07 грн
100+201.58 грн
480+180.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+415.50 грн
30+228.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 33120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+388.13 грн
16800+356.38 грн
25200+333.34 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R107M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+455.05 грн
10+447.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMWH170R1K0M1XKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWH170R1K0M1XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMWH170R1K0M1XKSA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 233 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 12 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Vgs (Max): 15V, 12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U04
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.2mA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 880mOhm @ 1A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tray
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.30 грн
10+235.80 грн
30+213.89 грн
90+185.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMWH170R450M1XKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWH170R450M1XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMWH170R450M1XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U04
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): 15V, 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 506 pF @ 1000 V
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+476.85 грн
30+293.36 грн
120+261.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMWH170R650M1XKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC DISCRETE
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+447.00 грн
10+269.92 грн
100+195.37 грн
480+175.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMWH170R650M1XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMWH170R650M1XKSA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 12 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Vgs (Max): 15V, 12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U04
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 1.5A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+410.84 грн
30+247.00 грн
120+218.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMWH170R650M1XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMWH170R650M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.5 A, 1.7 kV, 0.58 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+413.17 грн
10+359.21 грн
100+305.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPACBFNHAmphenol PCDDescription: CAP, MW PLUG CONN, ALU, ROPE, RI
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPACBFXHAmphenol PCDCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn, Alu, Rope, Nickel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPAWFXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn, Alu, Rope, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPAWSXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories Cap, MW Plug Conn, Alu, SS Chain, Cad
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2220.48 грн
10+1963.30 грн
25+1450.41 грн
50+1418.65 грн
100+1383.44 грн
250+1333.74 грн
500+1313.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPBCBGXHAmphenol PCDDescription: CAP, MW PLUG CONN,BRASS, CORD, N
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPBWFNHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Rope, Ring, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPBWFXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Rope, Cad
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPBWGNHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Cord, Ring, Cad
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPBWGXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Cord, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPBWSNHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, SS Chain, Ring, Cad
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMWPBWSXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, SS Chain, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWRAWFXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Rec Conn, Alu, Rope, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWRAWGNHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Rec Conn, Alu, Cord, Ring, Cad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMWRBWFXHAmphenol PcdCircular MIL Spec Connector Cap, MW Rec Conn, Brass, Rope, Cad
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3