Продукція > IPB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 12 16 20 24 28 32 36 40 41  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB017N10N5LFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB017N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+322.96 грн
100+244.84 грн
500+215.39 грн
1000+161.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+459.77 грн
10+298.33 грн
100+220.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5LFATMA1InfineonMOSFET N-CH 100V D2PAK-7 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 256A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+269.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5LFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 313W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 313W
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 195nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5LFATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 12270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+574.25 грн
10+378.69 грн
100+265.09 грн
500+235.41 грн
1000+208.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 256A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+574.56 грн
34+420.60 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5LFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB017N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 3351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+542.84 грн
10+367.26 грн
50+317.33 грн
200+248.29 грн
500+217.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+187.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 256A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 256A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+329.57 грн
500+313.03 грн
1000+295.31 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N03LF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB018N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 125 A, 1800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.76 грн
10+151.41 грн
100+104.70 грн
500+86.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.77 грн
10+129.40 грн
100+82.84 грн
500+69.72 грн
800+57.92 грн
2400+55.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB018N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 187 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+87.13 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+189.40 грн
10+157.41 грн
25+155.72 грн
100+121.91 грн
250+104.42 грн
500+69.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB018N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 187 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.69 грн
10+115.17 грн
100+79.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V
на замовлення 1713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.84 грн
10+115.17 грн
100+79.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+80.70 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.68 грн
10+124.64 грн
100+74.56 грн
500+72.49 грн
800+51.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+87.46 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+60.97 грн
1600+54.46 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+189.40 грн
91+157.41 грн
92+155.72 грн
113+121.91 грн
250+104.42 грн
500+69.95 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N10N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+562.97 грн
10+386.63 грн
100+251.28 грн
500+243.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB018N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 176 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 176A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+578.28 грн
5+491.29 грн
10+403.50 грн
50+326.82 грн
100+257.50 грн
250+252.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB018N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 176 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 176A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+403.50 грн
50+326.82 грн
100+257.50 грн
250+252.66 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N10NM8ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+332.63 грн
10+214.35 грн
100+138.76 грн
500+116.67 грн
1000+108.38 грн
2000+100.79 грн
5000+91.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N06L3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.42 грн
10+224.67 грн
25+184.32 грн
100+158.09 грн
250+149.80 грн
500+141.52 грн
1000+119.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N06L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+125.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N06L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V
на замовлення 7156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.17 грн
10+217.11 грн
100+154.14 грн
500+119.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N06L3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 4934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.25 грн
10+201.65 грн
25+174.66 грн
100+128.40 грн
500+114.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N06L3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 622 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+168.24 грн
10+132.12 грн
50+107.19 грн
100+95.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+438.14 грн
10+330.26 грн
100+232.64 грн
500+207.79 грн
1000+176.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3 GInfineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+588.73 грн
26+563.44 грн
50+541.97 грн
100+504.88 грн
250+453.30 грн
500+423.33 грн
1000+412.97 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+315.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
на замовлення 5531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+436.47 грн
10+288.38 грн
100+217.59 грн
500+198.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1
Код товару: 209200
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.47 грн
10+227.85 грн
100+176.04 грн
500+175.35 грн
1000+166.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+538.58 грн
32+455.44 грн
50+347.00 грн
200+313.70 грн
500+256.04 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+315.79 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+179.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+313.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB019N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+369.68 грн
10+310.88 грн
100+267.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+309.53 грн
2000+299.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+428.70 грн
10+276.49 грн
100+199.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrench Power Transistor IC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+156.10 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.00 грн
10+157.19 грн
100+94.58 грн
500+84.22 грн
800+83.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB019N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+169.13 грн
500+132.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+152.85 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+289.68 грн
10+183.53 грн
100+129.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 30400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+148.83 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB019N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+332.63 грн
10+216.65 грн
100+169.13 грн
500+132.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPB020N03LF2SATMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 122A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N03LF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB020N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 2050 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+231.15 грн
10+149.00 грн
100+103.09 грн
500+84.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPB020N03LF2SATMA1
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 122A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.94 грн
10+121.53 грн
100+83.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.48 грн
10+142.11 грн
100+84.91 грн
500+67.10 грн
800+65.31 грн
2400+59.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N04N GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 140A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.23 грн
10+97.65 грн
100+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 140A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N04NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N04NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Bulk
на замовлення 2432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+109.34 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 140A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.14 грн
10+137.24 грн
25+135.47 грн
100+124.02 грн
250+111.90 грн
500+103.39 грн
1000+99.78 грн
3000+98.79 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N04NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+382.56 грн
10+233.40 грн
100+155.33 грн
500+138.76 грн
1000+129.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+159.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+237.43 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB020N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+382.56 грн
10+236.79 грн
100+181.21 грн
500+150.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+237.43 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+109.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+154.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V
на замовлення 7578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.83 грн
10+220.85 грн
100+157.63 грн
500+141.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+193.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB020N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+178.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+109.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+135.61 грн
2000+122.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5Infineon
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2
на замовлення 4949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+480.02 грн
10+309.62 грн
100+198.82 грн
500+176.04 грн
1000+156.71 грн
2000+156.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5-VB IPB020N10N5VBSEMIMOSFET N-CH 100V 176A TO263-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+222.55 грн
2000+202.59 грн
3000+196.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+438.94 грн
10+288.18 грн
100+181.56 грн
500+167.75 грн
1000+156.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 176A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+524.19 грн
10+452.94 грн
25+433.66 грн
100+335.52 грн
250+299.19 грн
500+270.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+418.00 грн
10+291.55 грн
50+253.70 грн
200+200.43 грн
500+171.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 176A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
на замовлення 20895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+575.49 грн
10+373.79 грн
100+271.73 грн
500+214.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+291.55 грн
50+253.70 грн
200+200.43 грн
500+171.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5InfineonMOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 313W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 12 16 20 24 28 32 36 40 41  [ Наступна Сторінка >> ]