Продукція > IPB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 12 16 20 24 28 32 36 40 44 47  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB016N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.69 грн
10+175.66 грн
25+174.63 грн
100+165.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB016N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 1.6mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+349.44 грн
58+245.90 грн
100+197.87 грн
500+179.10 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+186.69 грн
81+174.63 грн
100+165.21 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1InfineonMOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+209.44 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+142.58 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+458.87 грн
10+322.95 грн
100+208.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+220.85 грн
1600+210.74 грн
2400+203.69 грн
4000+188.79 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB016N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 170 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.47 грн
500+153.22 грн
1000+143.79 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+212.34 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.47 грн
500+153.22 грн
1000+143.79 грн
10000+130.70 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+379.37 грн
10+243.04 грн
50+190.49 грн
100+162.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB016N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 170 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+459.66 грн
44+323.50 грн
100+208.81 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N06N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N06N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N06N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB017N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+139.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+334.30 грн
10+230.84 грн
50+228.51 грн
100+168.38 грн
500+130.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N06N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+148.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+334.86 грн
62+228.91 грн
100+168.66 грн
500+131.11 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+141.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N06N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N06N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+402.10 грн
10+257.76 грн
50+201.98 грн
100+172.71 грн
500+145.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N06N3GXTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 177A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+211.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.12 грн
10+270.51 грн
50+212.92 грн
100+182.43 грн
500+166.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB017N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 1500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 177A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+214.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 177A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+211.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 177A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+211.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 787 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+376.62 грн
5+293.53 грн
10+267.53 грн
25+236.50 грн
50+218.05 грн
100+204.63 грн
500+180.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+157.34 грн
3000+145.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB017N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 1500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 177A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+289.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 177A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+776.78 грн
25+740.91 грн
50+711.10 грн
100+661.52 грн
250+593.52 грн
500+554.17 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5InfineonMOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5Infineon
на замовлення 987 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+208.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+245.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 988 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+301.66 грн
10+251.59 грн
100+238.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+211.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+521.42 грн
40+354.72 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.21 грн
10+267.65 грн
50+210.55 грн
100+180.37 грн
500+164.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+554.75 грн
47+304.47 грн
100+300.78 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB017N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+351.48 грн
68000+322.72 грн
102000+301.85 грн
136000+276.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+553.79 грн
10+303.94 грн
100+300.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+289.94 грн
500+274.62 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+562.72 грн
10+379.33 грн
25+294.00 грн
100+240.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+155.47 грн
3000+143.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB017N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+562.72 грн
38+379.33 грн
49+294.00 грн
100+240.31 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-2
на замовлення 27864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5LFInfineonMOSFET N-CH 100V D2PAK-7 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5LFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB017N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 256A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+328.84 грн
500+312.34 грн
1000+294.66 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5LFATMA1InfineonMOSFET N-CH 100V D2PAK-7 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 256A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+267.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V
на замовлення 28114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+456.96 грн
10+295.27 грн
50+233.24 грн
100+200.15 грн
500+186.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 256A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+268.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5LFATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 16387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5LFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB017N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5LFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 313W; D2PAK-7
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 313W
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 195nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 256A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+573.28 грн
34+419.67 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+173.54 грн
3000+162.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 256A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N03LF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB018N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 125 A, 1800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+142.94 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+142.94 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+142.33 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+188.98 грн
91+157.06 грн
92+155.37 грн
113+121.64 грн
250+104.19 грн
500+69.80 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+251.92 грн
83+171.02 грн
117+121.01 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+86.94 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB018N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 187 A, 1500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+93.39 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+188.98 грн
10+157.06 грн
25+155.37 грн
100+121.64 грн
250+104.19 грн
500+69.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.37 грн
100+137.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+382.50 грн
10+244.10 грн
50+190.92 грн
100+153.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+212.15 грн
500+200.37 грн
1000+189.76 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+80.52 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB018N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 187 A, 1500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 53600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+260.58 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+94.70 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 12 16 20 24 28 32 36 40 44 47  [ Наступна Сторінка >> ]