Продукція > SH8
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SH8K32GZETB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SH8K32GZETB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.4W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 17490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8K32GZETB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8K32GZETB | ROHM | Description: ROHM - SH8K32GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.046 ohm, SOP, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 4.5 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046 Betriebstemperatur, max.: - Schwellenspannung Vgs: 2.5 SVHC: Lead (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SH8K32GZETB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R | на замовлення 3145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8K32GZETB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.4W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8K32GZETB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R | на замовлення 3145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8K32TB1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SH8K32TB1 | ROHM | Description: ROHM - SH8K32TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8K32TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8K32TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP (5.0x6.0) Part Status: Not For New Designs | на замовлення 10565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8K32TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch+Nch 60V 4.5A MOSFET | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8K32TB1 | ROHM | Description: ROHM - SH8K32TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8K32TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A | на замовлення 988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8K32TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: 8-SOP (5.0x6.0) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 2W | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8K37GZETB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 8SOP Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.4W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 100µA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SH8K37GZETB | ROHM Semiconductor | MOSFETs 60V Nch+Nch Power MOSFET | на замовлення 1945 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8K37GZETB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 8SOP Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.4W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8K37GZETB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SOP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8K39GZETB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin SOP T/R | на замовлення 637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8K39GZETB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SH8K39GZETB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin SOP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8K39GZETB | ROHM Semiconductor | MOSFETs 60V Nch+Nch Power MOSFET | на замовлення 2467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8K39GZETB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP | на замовлення 2424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8K3TB | ROHM Semiconductor | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SH8K3TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch+Nch 30V 7A MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SH8K3TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SH8K3TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP | на замовлення 1563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8K3TB1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SH8K41GZETB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Not For New Designs | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8K41GZETB | ROHM | Description: ROHM - SH8K41GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3.4 A, 0.09 ohm, SOP, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 3.4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.5 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SH8K41GZETB | ROHM Semiconductor | MOSFETs 4V Drive Nch+Nch MOSFET | на замовлення 8337 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8K41GZETB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Not For New Designs | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8K41GZETB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 3.4A 8-Pin SOP T/R | на замовлення 680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8K41GZETB | ROHM | Description: ROHM - SH8K41GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3.4 A, 0.09 ohm, SOP, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 3.4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.5 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SH8K41TB | ROHM | Description: ROHM - SH8K41TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3.4 A, 0.09 ohm, SOP, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 3.4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 2 Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.5 SVHC: Lead (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SH8K41TB | ROHM Semiconductor | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SH8K4TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active | на замовлення 2440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8K4TB1 | на замовлення 2292 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SH8K4TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch+Nch 30V 9A MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SH8K4TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SH8K5 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SH8K51GZETB | Rohm Semiconductor | Description: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K51 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SH8K51GZETB | ROHM Semiconductor | MOSFET 4V Drive Nch+Nch MOSFET. SH8K51 is a power MOSFET with low-on resistance and High power package (SOP8), suitable for switching. | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8K51GZETB | Rohm Semiconductor | Description: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K51 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SH8K52GZETB | ROHM Semiconductor | MOSFETs 100V Nch+Nch Power MOSFET | на замовлення 1338 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8K52GZETB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Power - Max: 1.4W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8K52GZETB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 3A 8-Pin SOP T/R | на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8K52GZETB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Power - Max: 1.4W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 9895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8K52GZETB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 3A 8-Pin SOP T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8K5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8 | на замовлення 2343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SH8K5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SH8K5TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch+Nch 30V 3.5A MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SH8KA1GZETB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SH8KA1GZETB | ROHM Semiconductor | MOSFETs 30V Nch+Nch Power MOSFET | на замовлення 4307 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8KA1GZETB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOP Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125pf @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 2W (Ta) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8KA1GZETB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SH8KA1GZETB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOP Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125pf @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 5141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8KA2 | ROHM Semiconductor | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SH8KA2GZETB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8KA2GZETB | ROHM | Description: ROHM - SH8KA2GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.023 ohm, SOP, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 8 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.8 Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.5 SVHC: Lead (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SH8KA2GZETB | ROHM Semiconductor | MOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8KA2GZETB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 2.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8KA2GZETB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOP T/R | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8KA2GZETB | ROHM | Description: ROHM - SH8KA2GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.023 ohm, SOP, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 8 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.8 Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.5 SVHC: Lead (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SH8KA2GZETB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2.8W Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8KA2TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SH8KA2TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SOP T/R | на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8KA2TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8KA2TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SOP T/R | на замовлення 663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8KA2TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 30V Nch+Nch Power MOSFET | на замовлення 2588 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8KA4TB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8KA4TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 3W Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 41250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8KA4TB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 9A Automotive 8-Pin SOP T/R | на замовлення 9177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8KA4TB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SH8KA4TB | ROHM Semiconductor | MOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET | на замовлення 526 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8KA4TB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8KA4TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 3W Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8KA4TB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8KA4TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R | на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 109 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SH8KA4TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 30V Nch+Nch Power MOSFET | на замовлення 1522 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8KA4TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R | на замовлення 2045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8KA4TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET2 N-CH SOP8G Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SH8KA4TB1 | ROHM | Description: ROHM - SH8KA4TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0165 ohm, SOP, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 9 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3 Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0165 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.5 SVHC: Lead (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SH8KA4TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R | на замовлення 1116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8KA4TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R | на замовлення 1805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8KA4TB1 | ROHM | Description: ROHM - SH8KA4TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0165 ohm, SOP, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 9 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3 Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0165 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.5 SVHC: Lead (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SH8KA4TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET2 N-CH SOP8G Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8KA7 | ROHM Semiconductor | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SH8KA7GZETB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8KA7GZETB | Rohm Semiconductor | Description: SH8KA7 IS LOW ON-RESISTANCE AND | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SH8KA7GZETB | ROHM Semiconductor | MOSFETs SOP8 2NCH 30V 15A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SH8KA7GZETB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOP T/R | на замовлення 2074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8KA7GZETB | Rohm Semiconductor | Description: SH8KA7 IS LOW ON-RESISTANCE AND | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SH8KA7GZETB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOP T/R | на замовлення 398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8KB5TB1 | ROHM | Description: ROHM - SH8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 4.5 A, 0.055 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8KB5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: 40V 4.5A, DUAL NCH+NCH, SOP8, PO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP | на замовлення 2488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8KB5TB1 | ROHM | Description: ROHM - SH8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 4.5 A, 0.055 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SH8KB5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: 40V 4.5A, DUAL NCH+NCH, SOP8, PO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SH8KB5TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 40V 4.5A, Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET | на замовлення 2376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|

