Продукція > SI4

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4058DY-T1-GE3
Код товару: 182910
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4058DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 105927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4058DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4058DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B0B-FMSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B0B-FMSilicon LabsQFN 20/I°/TX SI4060QFN
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B0B-FMRSilicon LabsQFN 20/-40 TO 85 OC/TX SI4060
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMSilicon Laboratories+13 dBm Sub-GHz Transmitter
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.02 грн
10+286.99 грн
25+271.41 грн
80+237.72 грн
230+223.66 грн
490+214.35 грн
980+202.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMSilicon Laboratories+13 dBm Sub-GHz Transmitter
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMSilicon LabsRF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMSilicon LabsQFN 20/-40 TO 85 OC/+13DBM SI4060 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4060
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMRSilicon Laboratories+13 dBm Sub-GHz Transmitter
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMRSilicon LabsRF Transceiver +13 dBm sub-GHz transmitter
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMRSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+204.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMRSilicon LabsQFN 20/-40 TO 85 OC/+13DBM SI4060 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4060
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMRSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 7504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+423.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-AMSilicon LabsRF Transmitter Transceiver AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-AMRSilicon LabsRF Transmitter Transceiver AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-GMSilicon LabsRF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-GMSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4060-C2A-GM - ZF-Sender, 142MHz bis 1.05GHz, 4(G)FSK,MSK, OOK, 1MB/s, 24mA, 13dBm Ausgang, 1.8V bis 3.8V, QFN-20
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 24mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 13dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
HF-Primärfunktion: Sender
Frequenz, min.: 142MHz
Anwendungen HF-Sender: Garagentor-/Türöffner, Sicherheits-/Alarmanlagen, Systemüberwachung, Hausautomatisierung, RKE-System
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -
SVHC: To Be Advised
HF/IF-Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, MSK, GMSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Frequenzgang HF, max.: 1.05GHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Frequenzgang HF, min.: 142MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.8V
Frequenz, max.: 1.05GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+154.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-GMSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Power - Output: 12.5dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-GMRSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Power - Output: 12.5dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-GMRSilicon LabsRF Transceiver +13 dBm sub-GHz transmitter
на замовлення 4104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DYVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO Силові MOSFET-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.29 грн
5000+42.57 грн
7500+41.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3
Код товару: 209529
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4062DY-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 32.1A, 150DEG C, 7.8W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 7.8W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 25.7A; 5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 25.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Power dissipation: 5W
Gate charge: 18.8nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 30 V
на замовлення 10523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.56 грн
10+100.86 грн
100+68.59 грн
500+51.41 грн
1000+47.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 14432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B0B-FMSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 85mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B0B-FMSilicon LabsQFN 20/I°/TX SI4063
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B0B-FMRSilicon LabsQFN 20/I°/TX SI4063
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FM
Код товару: 170485
Додати до обраних Обраний товар
Модульні елементи > Радіомодулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMSilicon LabsRF Transceiver +20 dBm sub-GHz transmitter
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMSilicon LabsQFN 20/I°/+20DBM SI4063 EZRADIOPRO TRANSMITTER SI4063QFN
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 85mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMRSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+147.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMRSilicon LabsRF Transceiver +20 dBm sub-GHz transmitter
на замовлення 6406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMRSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 85mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 14883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+422.35 грн
10+352.28 грн
25+333.32 грн
100+288.32 грн
250+273.65 грн
500+263.29 грн
1000+249.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMRSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+147.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMRSilicon LabsQFN 20/-40 TO 85 OC/+20DBM SI4063 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4063
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMRSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 85mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+222.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMRSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-AMSilicon LabsRF Transmitter Transceiver AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-AMRSilicon LabsRF Transmitter Transceiver AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4063-C2A-GM - HF-Transmitter, 142MHZ bis 1.05GHz, 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK, 1Mbit/s, 1.8 bis 3.6V, QFN-EP-20
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 68.5mA
Bauform - HF-IC: QFN-EP
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
HF-Primärfunktion: Sender
Frequenz, min.: 142MHz
Anwendungen HF-Sender: Heimautomation, industrielle Steuerung, Fernsteuerung, Smart-Metering
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -
SVHC: To Be Advised
HF/IF-Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Frequenzgang HF, max.: 1.05GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Frequenzgang HF, min.: 142MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 1.05GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+171.04 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 89mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMSilicon LabsRF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+312.98 грн
10+291.53 грн
25+288.60 грн
100+254.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMRSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 89mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+638.06 грн
26+565.77 грн
28+508.88 грн
100+440.86 грн
250+366.78 грн
500+312.82 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMRSilicon LabsRF Transceiver +20 dBm sub-GHz transmitter
на замовлення 3579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMRSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 89mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+312.98 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI407DNPLCCVISHAY
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 18.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 7.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 50 V
на замовлення 2611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.83 грн
10+79.34 грн
100+58.93 грн
500+43.04 грн
1000+39.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4090BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18.7 A, 8400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 7.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 7.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0084ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
на замовлення 12765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 18.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 7.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4090BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18.7 A, 8400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 7.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
на замовлення 12765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4090DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19.7 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+130.25 грн
10+110.87 грн
25+103.59 грн
100+77.45 грн
250+71.00 грн
500+59.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.08 грн
10+81.49 грн
100+55.07 грн
500+41.08 грн
1000+38.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 25896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI40SL0116-70T
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI40SL0416-75T
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI41IDECEnclosures, Boxes, & Cases METAL BOX/SCAT. P41/44
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI410SIEMENS01+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 16317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
на замовлення 28185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.92 грн
10+83.49 грн
100+56.15 грн
500+41.71 грн
1000+38.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.02 грн
5000+34.09 грн
7500+33.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+64.42 грн
222+64.09 грн
270+52.56 грн
308+44.41 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.