Продукція > SPD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SPD03N50C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N50C3ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N50C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 3.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N50C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.07 грн
17+46.76 грн
25+46.29 грн
100+43.29 грн
250+39.83 грн
500+37.30 грн
1000+36.38 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N50C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 3.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N50C3BTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 560V 3.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N50S5
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60INFINEONTO-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 3.2A DPAK-2 CoolMOS C3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60C3Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60C3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60C3ATMA1InfineonN-Ch 650V 3.2A DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 15852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.33 грн
10+80.30 грн
100+54.06 грн
500+40.19 грн
1000+37.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60C3ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60C3BTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60C3BTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.20 грн
10+88.07 грн
100+59.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60S5Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 3.2A DPAK-2 CoolMOS S5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60S5Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
на замовлення 11175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
562+38.23 грн
Мінімальне замовлення: 562 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60S5INFINEONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60S5BTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
на замовлення 11526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
383+52.45 грн
Мінімальне замовлення: 383 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60S5BTMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - SPD03N60S5BTMA1 - SPD03N60 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER M
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 541 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60S5BTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60S5BTMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60S5XTInfineon TechnologiesDescription: SPD03N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
611+38.77 грн
Мінімальне замовлення: 611 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N03L
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N50C3Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 500V 4.5A DPAK-2 CoolMOS C3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N50C3INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 4.5A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 4.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 560V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N50C3ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N50C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N50C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N50C3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N50C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N50C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N50C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.33 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N50C3BTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 560V 4.5A TO252-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N50C3TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60INFINEONTO-252
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C2Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
на замовлення 45850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C2ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - SPD04N60C2 - SPD04N60 - COOLMOS, 4.5A, 600V, 0.95OHM,
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 45850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C2INFINEON07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C2
Код товару: 63023
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3INFINEON07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 4.5A DPAK-2 CoolMOS C3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 2771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+105.56 грн
500+95.00 грн
1000+87.62 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.42 грн
10+120.91 грн
100+82.57 грн
500+62.10 грн
1000+57.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - SPD04N60C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.5 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; Idm: 13.5A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 13.5A
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 2.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+105.56 грн
500+95.00 грн
1000+87.62 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3BTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+362.21 грн
103+344.57 грн
500+325.75 грн
1000+297.11 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3BTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+362.21 грн
103+344.57 грн
500+325.75 грн
1000+297.11 грн
10000+258.30 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3BTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 4.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3BTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+362.21 грн
103+344.57 грн
500+325.75 грн
1000+297.11 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60S5Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60S5INFINEON07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60S5Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 4.5A DPAK-2 CoolMOS S5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60S5BTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 800V 4A DPAK-2 CoolMOS C3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - SPD04N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+147.00 грн
98+144.65 грн
123+114.90 грн
200+105.69 грн
500+67.52 грн
1000+54.54 грн
2000+52.92 грн
2500+52.32 грн
5000+50.10 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+88.05 грн
162+87.58 грн
183+77.16 грн
250+58.77 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - SPD04N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+96.30 грн
10+88.05 грн
25+87.58 грн
100+74.40 грн
250+54.42 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 12A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 6569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.02 грн
10+98.13 грн
50+74.31 грн
100+62.52 грн
500+49.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3BTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3BTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 800V 4A DPAK-2 CoolMOS C3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04P10P GInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -100V -4A DPAK-2
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04P10PGInfineon TechnologiesDescription: SPD04P10 - 20V-250V P-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 319 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04P10PGBTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04P10PGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 319 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04P10PGBTMA1INFINEONDescription: INFINEON - SPD04P10PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 4 A, 0.644 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.644ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04P10PGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 319 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04P10PGBTMA1INFINEONDescription: INFINEON - SPD04P10PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 4 A, 0.644 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.644ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04P10PGBTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+14.32 грн
54+14.11 грн
100+12.99 грн
250+12.00 грн
500+11.52 грн
1000+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04P10PGBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -100V -4A DPAK-2
на замовлення 1414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04P10PL GInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -100V 4.2A DPAK-2
на замовлення 3468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04P10PLGBTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 4.2A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04P10PLGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 380µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.24 грн
10+51.96 грн
100+34.28 грн
500+25.03 грн
1000+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04P10PLGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 380µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04P10PLGBTMA1INFINEONDescription: INFINEON - SPD04P10PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 4.2 A, 0.85 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04P10PLGBTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 4.2A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD050208Y2MTripp LiteDescription: MOTORS & SOLENOIDS
Features: Thermally Protected
Packaging: Bulk
Mounting Type: Chassis Mount
Type: Type 2
Operating Temperature: -40°C ~ 50°C
Approval Agency: cURus, UL
Form: Base + Module
Number of Poles: 1
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 300V
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 20 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 50 kA
Current - Short Circuit Rating (SCCR): 200 kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD050220Y2MTripp LiteDescription: MOTORS & SOLENOIDS
Features: Thermally Protected
Packaging: Bulk
Mounting Type: Chassis Mount
Type: Type 2
Operating Temperature: -40°C ~ 50°C
Approval Agency: cURus, UL
Form: Base + Module
Number of Poles: 1
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 300V
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 20 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 50 kA
Current - Short Circuit Rating (SCCR): 200 kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD050240H3P316EatonIndustrial Surge Protectors Eaton SPD series050kA240V HLSTD+CntrNEMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD050400Y2MTripp LiteDescription: MOTORS & SOLENIODS
Features: Thermally Protected
Packaging: Bulk
Mounting Type: Chassis Mount
Type: Type 2
Operating Temperature: -40°C ~ 50°C
Approval Agency: cURus, UL
Form: Base + Module
Number of Poles: 1
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 640V
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 20 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 50 kA
Current - Short Circuit Rating (SCCR): 200 kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD05051BCarlo GavazziPower Supplies - DIN Rail Mount 5 VDC POWER SUPPLY 5W SPRING TERMINALS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD05101Carlo GavazziPower Supplies - DIN Rail Mount 5 VDC POWER SUPPLY 10W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]