Продукція > TDB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TDB4016803 | Evans | Tantalum Capacitors - Wet 016uF 20% 803V -55degC ~ 125degC 1.000" L x 1.000" W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB4050203 | Quantic Evans | Description: Wet Tantalum Features: Wet Tantalum Packaging: Retail Package Package / Case: Radial, Can Size / Dimension: 1.000" L x 1.000" W (25.40mm x 25.40mm) Mounting Type: Through Hole Type: Hermetically Sealed Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Lead Spacing: 0.400" (10.16mm) ESR (Equivalent Series Resistance): 30mOhm Lifetime @ Temp.: 2000 Hrs @ 85°C Height - Seated (Max): 0.781" (19.84mm) Part Status: Active Capacitance: 20 mF Voltage - Rated: 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB4060123 | Quantic Evans | Tantalum Capacitors - Wet 060uF 20% 123V -55degC ~ 125degC 1.000" L x 1.000" W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB4110402 | Quantic Evans | Tantalum Capacitors - Wet 110uF 20% 402V -55degC ~ 125degC 1.000" L x 1.000" W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB4125302 | Quantic Evans | Tantalum Capacitors - Wet 125uF 20% 302V -55degC ~ 125degC 1.000" L x 1.000" W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB41H | QFP44 | на замовлення 89 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| TDB4W-0515D | на замовлення 15 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TDB4W-4805S | на замовлення 15 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TDB5010154 | Evans | Tantalum Capacitors - Wet 010uF 20% 154V -55degC ~ 125degC 1.000" L x 1.000" W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB5010154 | Quantic Evans | Tantalum Capacitors - Wet 010uF 20% 154V -55degC ~ 125degC 1.000" L x 1.000" W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB5016104 | Quantic Evans | Description: Wet Tantalum Voltage - Rated: 16 V Capacitance: 100 mF Part Status: Active Height - Seated (Max): 0.927" (23.55mm) Lifetime @ Temp.: 2000 Hrs @ 85°C ESR (Equivalent Series Resistance): 20mOhm Lead Spacing: 0.400" (10.16mm) Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Type: Hermetically Sealed Mounting Type: Through Hole Size / Dimension: 1.000" L x 1.000" W (25.40mm x 25.40mm) Package / Case: Radial, Can Features: Hybrid Wet Tantalum Tolerance: ±20% Packaging: Retail Package | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB5016104 | Quantic Evans | Tantalum Capacitors - Wet 016uF 20% 104V -55degC ~ 125degC 1.000" L x 1.000" W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB5025603 | Quantic Evans | Tantalum Capacitors - Wet 025uF 20% 603V -55degC ~ 125degC 1.000" L x 1.000" W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB5050253 | Quantic Evans | Description: Wet Tantalum Features: Wet Tantalum Packaging: Retail Package Package / Case: Radial, Can Size / Dimension: 1.000" L x 1.000" W (25.40mm x 25.40mm) Mounting Type: Through Hole Type: Hermetically Sealed Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Lead Spacing: 0.400" (10.16mm) ESR (Equivalent Series Resistance): 25mOhm Lifetime @ Temp.: 2000 Hrs @ 85°C Height - Seated (Max): 0.927" (23.55mm) Part Status: Active Capacitance: 25 mF Voltage - Rated: 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB5100652 | Quantic Evans | Tantalum Capacitors - Wet 100uF 20% 652V -55degC ~ 125degC 1.000" L x 1.000" W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB5125382 | Quantic Evans | Tantalum Capacitors - Wet 125uF 20% 382V -55degC ~ 125degC 1.000" L x 1.000" W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB5125382 | Quantic Evans | Description: Wet Tantalum Part Status: Active Packaging: Retail Package | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK100N12RR | на замовлення 42 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TDB6HK100N16RR | на замовлення 45 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TDB6HK104N16RR | EUPEC | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK110N16KOF | EUPEC | MODULE | на замовлення 44 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK124N16RR | Eupec | Силові випрямляючі мости | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK124N16RR | EUPEC | MODULE | на замовлення 776 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK124N16RR | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules 1600V 70A HF-CNTL | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK124N16RR Код товару: 74234
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| TDB6HK124N16RRBOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK124N16RRBOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - TDB6HK124N16RRBOSA1 - Thyristormodul, SCR, 1.6kV, 70A, 150mA, eupec EconoBRIDGE tariffCode: 85423911 Haltestrom, max.: 200 hazardous: false Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 650 usEccn: EAR99 Durchlassstrom, durchschnittlich: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: - euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 70 Zündspannung, max.: 2.5 Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6 SCR-Modul: Brückengleichrichter, dreiphasig - SCR Anzahl der Pins: 22 Produktpalette: eupec EconoBRIDGE Zündstrom, max.: 150 Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: Modul Betriebstemperatur, max.: 125 Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK124N16RRBOSA1 | Infineon Technologies | Description: SCR MODULE 1.6KV 70A MODULE | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK124N16RRBPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - TDB6HK124N16RRBPSA1 - Thyristor-Diodenmodul, Produktreihe eupec EconoBRIDGE, 650A, 1.6kV Vdrm, 125°C, 0.2A Ih, 2.5V Vgt tariffCode: 85423911 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: - euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 70A Zündspannung, max.: 2.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV SCR-Modul: - Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: eupec EconoBRIDGE Zündstrom, max.: 150mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: Modul Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| TDB6HK124N16RRBPSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules LOW POWER ECONO | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||
| TDB6HK124N16RRBPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-211 Voltage - Off State: 1.6 kV Current - On State (It (RMS)) (Max): 70 A Part Status: Active Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 650A @ 50Hz Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode Operating Temperature: 125°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| TDB6HK134N16RR | EUPEC | MODULE | на замовлення 44 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK135N12LOF | на замовлення 43 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TDB6HK135N14LOF | на замовлення 43 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TDB6HK135N16LOF | на замовлення 43 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TDB6HK135N16LOF | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules 1600V 100A HF-CNTL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK135N16LOFHOSA1 | Infineon Technologies | Description: SCR MODULE VDRM 1600V 70A Packaging: Bulk | на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| TDB6HK135N16LOFHOSA1 | Infineon Technologies | Description: SCR MODULE VDRM 1600V 70A Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK135N16RR | EUPEC | MODULE | на замовлення 139 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK165N16L0F | EUPEC | MODULE | на замовлення 181 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK165N16LOF | EUPEC | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK165N16LOF | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules 1600V 120A HF-CNTL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK165N16LOFHOSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules LOW POWER ECONO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK165N16LOFHOSA1 | Infineon Technologies | Description: SCR MODULE VDRM 1600V 70A Packaging: Bulk Part Status: Discontinued at Digi-Key | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| TDB6HK165N16LOFHOSA1 | Infineon Technologies | Trench And Field Stop Igbt | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK165N16LOFHOSA1 | Infineon Technologies | Description: SCR MODULE VDRM 1600V 70A Packaging: Tray Part Status: Discontinued at Digi-Key | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK165N16RR | EUPEC | MODULE | на замовлення 159 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK180N16RR | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER ECONO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK180N16RRB11BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT-Module Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK180N16RRB11BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT-Module Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK180N16RRB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 140A 515W 29-Pin ECONO2B Tray | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| TDB6HK180N16RRB11BPSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules LOW POWER ECONO | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||
| TDB6HK180N16RRB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: SCR MODULE 1.6KV MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode Current - Hold (Ih) (Max): 220 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1600A @ 50Hz Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Part Status: Active Voltage - Off State: 1.6 kV | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| TDB6HK180N16RRB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 140A 515W 29-Pin ECONO2B Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK180N16RRB11BPSA1 Код товару: 203329
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| TDB6HK180N16RRB11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - TDB6HK180N16RRB11BPSA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 140 A, 1.75 V, 515 W, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: - Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 515W euEccn: NLR Verlustleistung: 515W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 140A Produktpalette: EconoBRIDGE Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 140A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| TDB6HK180N16RRB11BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; AG-ECONO2B; 515W; EconoPACK™ 2 Type of semiconductor module: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Technology: EconoPACK™ 2 Power dissipation: 515W Case: AG-ECONO2B | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK180N16RRB21BOSA1 | Infineon Technologies | Description: 1600VBRIDGE MODULE Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| TDB6HK180N16RRB48BPSA1 | Infineon Technologies | Description: SCR MODULE 1.6KV MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter with Brake Operating Temperature: 175°C (TJ) Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode Current - Hold (Ih) (Max): 220 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1600A @ 50Hz Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-ECONO2B Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 140 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 515 W Voltage - Off State: 1.6 kV Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| TDB6HK180N16RRB48BPSA1 | Infineon Technologies | Description: SCR MODULE 1.6KV MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter with Brake Operating Temperature: 175°C (TJ) Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode Current - Hold (Ih) (Max): 220 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1600A @ 50Hz Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-ECONO2B Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 140 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 515 W Voltage - Off State: 1.6 kV Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK180N16RRB48BPSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules LOW POWER ECONO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK180N16RRB48BPSA2 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules LOW POWER ECONO | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK180N16RRB48BPSA2 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 140A 515W 29-Pin | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK180N16RRB48BPSA2 | Infineon Technologies | Description: SCR MODULE 1.6KV MODULE Current - Hold (Ih) (Max): 220 mA Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray Voltage - Off State: 1.6 kV Part Status: Active Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1600A @ 50Hz Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK180N16RRBOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER ECONO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK180N16RRBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 140A 515W 29-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK180N16RRBOSA1 | Infineon Technologies | Description: SCR MODULE 1.6KV MODULE Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Power - Max: 515 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 140 A Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: AG-ECONO2B NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A Operating Temperature: 175°C (TJ) Configuration: Three Phase Inverter with Brake Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V Voltage - Off State: 1.6 kV Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA Current - Hold (Ih) (Max): 220 mA Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1600A @ 50Hz Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK180N16RRBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 140A 515W 29-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK180N16RRBPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 140A 515W 29-Pin Tray | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| TDB6HK180N16RRBPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - TDB6HK180N16RRBPSA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 140 A, 1.75 V, 515 W, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: - Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 515W euEccn: NLR Verlustleistung: 515W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 140A Produktpalette: EconoPACK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 140A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| TDB6HK180N16RRBPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 140A 515W 29-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK180N16RRBPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; 515W; EconoPACK™ 2 Type of semiconductor module: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Technology: EconoPACK™ 2 Power dissipation: 515W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK180N16RRBPSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules LOW POWER ECONO | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||
| TDB6HK180N16RRBPSA1 | Infineon Technologies | Description: SCR MODULE 1.6KV MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode Current - Hold (Ih) (Max): 220 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1600A @ 50Hz Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Part Status: Active Voltage - Off State: 1.6 kV | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| TDB6HK180N16RRPB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: SCR MODULE 1.6KV MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode Current - Hold (Ih) (Max): 220 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1600A @ 50Hz Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Voltage - Off State: 1.6 kV | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| TDB6HK180N16RRPB11BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; EconoPACK™ 2 Type of semiconductor module: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Technology: EconoPACK™ 2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK180N16RRPB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER ECONO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK180N16RRPB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 140A 515W 29-Pin | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| TDB6HK180N16RRPB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: SCR MODULE 1.6KV MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode Current - Hold (Ih) (Max): 220 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1600A @ 50Hz Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Part Status: Active Voltage - Off State: 1.6 kV | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| TDB6HK180N16RRPB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 140A 515W 29-Pin | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK180N16RR_B11 | на замовлення 412 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TDB6HK180N16RR_B48 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER ECONO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK180N22RRPB11BPSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules LOW POWER ECONO | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK180N22RRPB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-411 Voltage - Off State: 2.2 kV Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 70 mA Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK180N22RRPB11BPSA1 | Infineon Technologies | 2200V half controlled bridge with brake chopper | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK205N12 | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TDB6HK205N14 | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TDB6HK205N16 | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TDB6HK205N18 | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TDB6HK240N16P | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1600V 240A | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||
| TDB6HK240N16PBOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| TDB6HK240N16PBOSA1 | Infineon Technologies | Description: SCR MODULE 1.6KV 240A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 130°C (TJ) Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes Current - Hold (Ih) (Max): 220 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1800A @ 50Hz Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes Current - On State (It (AV)) (Max): 140 A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Current - On State (It (RMS)) (Max): 240 A Voltage - Off State: 1.6 kV | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| TDB6HK240N16PBOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK360N16P | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1600V 360A | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||
| TDB6HK360N16P | Infineon Technologies | Description: TDBXHK360 - BRIDGE RECTIFIER & A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK360N16PBOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules N | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK360N16PBOSA1 | Infineon Technologies | Description: SCR MODULE 1.6KV 360A MODULE Number of SCRs, Diodes: 3 SCRs, 3 Diodes Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 3000A @ 50Hz Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA Current - Hold (Ih) (Max): 220 mA Structure: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes Operating Temperature: -40°C ~ 130°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray Voltage - Off State: 1.6 kV Current - On State (It (RMS)) (Max): 360 A Part Status: Active Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Current - On State (It (AV)) (Max): 210 A | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| TDB6HK360N16PBOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK74N16RR | EUPEC | MODULE | на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TDB6HK85N16RR | EUPEC | MODULE | на замовлення 287 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

