Продукція > TK5

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK5P65W,RQToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=60W F=1MHZ
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P65WRQ(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5Q60W,S1VQToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 900mOhm 5.4A 60W 380pF10.5nC
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5Q60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.76 грн
75+98.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5Q65W,S1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Magazine
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.52 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5Q65W,S1QToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5Q65W,S1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.54 грн
10+85.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R0A15Q5,S4XToshibaMOSFETs TO220 150V 2.2A N-CH
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1A08QMToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1A08QM,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 71A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1A08QM,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.01 грн
50+67.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1A08QM,S4XToshibaMOSFETs UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1mohm
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1A08QM,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 71A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1A08QM,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R1A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 71 A, 4100 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+219.47 грн
10+141.44 грн
100+87.79 грн
500+62.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1E06PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R1E06PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 98 A, 0.0039 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.81 грн
10+93.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1P08QMToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1P08QM,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 84A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1P08QM,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.44 грн
10+98.20 грн
100+76.56 грн
500+59.35 грн
1000+46.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1P08QM,RQToshibaMOSFETs UMOS10 DPAK 80V 5.1mohm
на замовлення 25314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1P08QM,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1P08QM,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R1P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 105 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1P08QM,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R1P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 105 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.14 грн
10+113.80 грн
100+79.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R3A06PL,S4XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=36W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R3A06PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R3A06PL,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R3A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 62 A, 4100 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 36W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.51 грн
10+110.55 грн
100+68.44 грн
500+52.99 грн
1000+45.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R3E08QM,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220AB 80V 5.3MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.81 грн
50+81.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R3E08QM,S1XToshibaMOSFETs UMOS10 TO-220AB 80V 5.3mohm
на замовлення 6025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R3E08QM,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R3E08QM,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.78 грн
10+137.37 грн
100+85.35 грн
500+60.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3