Продукція > sh8

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SH8K32GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.09 грн
10+89.67 грн
100+71.35 грн
500+56.65 грн
1000+48.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+145.17 грн
144+98.80 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32GZETBROHMDescription: ROHM - SH8K32GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.046 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046
Betriebstemperatur, max.: -
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 3145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+106.61 грн
177+80.16 грн
191+74.15 грн
500+69.35 грн
1000+63.60 грн
2500+54.50 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.53 грн
5000+46.83 грн
12500+45.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 3145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+93.35 грн
202+70.15 грн
203+69.87 грн
500+62.55 грн
1000+56.66 грн
2000+52.37 грн
2500+51.08 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-SOP (5.0x6.0)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.55 грн
5000+51.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32TB1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32TB1ROHMDescription: ROHM - SH8K32TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.77 грн
500+48.61 грн
1000+42.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.5A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+146.92 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP (5.0x6.0)
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 10565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.49 грн
10+104.99 грн
100+84.40 грн
500+65.08 грн
1000+53.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32TB1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch+Nch 60V 4.5A MOSFET
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32TB1ROHMDescription: ROHM - SH8K32TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.38 грн
10+102.42 грн
100+71.77 грн
500+48.61 грн
1000+42.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.5A
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+146.92 грн
142+100.01 грн
500+79.95 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K37GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+105.41 грн
141+100.69 грн
250+96.66 грн
500+89.84 грн
1000+80.47 грн
2500+74.97 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K37GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 8SOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 100µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K37GZETBROHM SemiconductorMOSFETs 60V Nch+Nch Power MOSFET
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K37GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.22 грн
10+91.93 грн
100+73.18 грн
500+58.11 грн
1000+49.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K39GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.12 грн
10+135.26 грн
100+93.30 грн
500+70.71 грн
1000+65.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K39GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+132.81 грн
112+126.87 грн
250+121.78 грн
500+113.20 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K39GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K39GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+132.81 грн
112+126.87 грн
250+121.78 грн
500+113.20 грн
1000+101.40 грн
2500+94.45 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K39GZETBROHM SemiconductorMOSFETs 60V Nch+Nch Power MOSFET
на замовлення 2467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K3TBROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K3TB1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K3TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Nch 30V 7A MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K3TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K3TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.08 грн
10+65.44 грн
100+50.86 грн
500+40.46 грн
1000+32.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K41GZETBROHMDescription: ROHM - SH8K41GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3.4 A, 0.09 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K41GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K41GZETBROHMDescription: ROHM - SH8K41GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3.4 A, 0.09 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K41GZETBROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Nch+Nch MOSFET
на замовлення 8337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K41GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.54 грн
10+60.53 грн
100+47.21 грн
500+36.60 грн
1000+28.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K41GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 3.4A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+130.29 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K41TBROHMDescription: ROHM - SH8K41TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3.4 A, 0.09 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K41TBROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K4TB1
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.63 грн
10+132.92 грн
100+106.85 грн
500+82.39 грн
1000+68.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K4TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Nch 30V 9A MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K5
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K51GZETBRohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K51
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K51GZETBROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch+Nch MOSFET. SH8K51 is a power MOSFET with low-on resistance and High power package (SOP8), suitable for switching.
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K51GZETBRohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K51
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K52GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+166.33 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K52GZETBROHM SemiconductorMOSFETs 100V Nch+Nch Power MOSFET
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K52GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.95 грн
5000+32.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K52GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
225+62.98 грн
250+60.45 грн
500+58.26 грн
1000+54.35 грн
Мінімальне замовлення: 225 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K52GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+68.53 грн
100+53.26 грн
500+42.37 грн
1000+34.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K5TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Nch 30V 3.5A MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA1GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA1GZETBROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Nch Power MOSFET
на замовлення 4307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA1GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125pf @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 2W (Ta)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA1GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA1GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125pf @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.22 грн
10+52.16 грн
100+34.28 грн
500+24.99 грн
1000+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+59.13 грн
250+56.75 грн
500+54.71 грн
1000+51.03 грн
2500+45.86 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2GZETBROHMDescription: ROHM - SH8KA2GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.023 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.8
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2GZETBROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2GZETBROHMDescription: ROHM - SH8KA2GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.023 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.8
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOP T/R
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+78.75 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.8W
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.68 грн
10+80.69 грн
100+62.73 грн
500+49.90 грн
1000+40.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+115.51 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Nch Power MOSFET
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+116.92 грн
184+77.13 грн
216+65.63 грн
500+61.74 грн
1000+56.15 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.25 грн
10+89.67 грн
25+85.14 грн
100+65.63 грн
250+61.36 грн
500+54.22 грн
1000+42.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+54.33 грн
342+41.42 грн
500+36.57 грн
1000+34.55 грн
2500+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
382+37.10 грн
398+35.62 грн
500+34.33 грн
1000+32.02 грн
Мінімальне замовлення: 382 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 41250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+49.14 грн
100+35.45 грн
500+28.41 грн
1000+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A Automotive 8-Pin SOP T/R
на замовлення 9177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+70.53 грн
221+64.21 грн
500+46.39 грн
1000+44.55 грн
2500+34.69 грн
5000+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TBROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
382+37.10 грн
398+35.62 грн
500+34.33 грн
1000+32.02 грн
Мінімальне замовлення: 382 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.99 грн
12500+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KA4TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0165 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0165
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET2 N-CH SOP8G
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.27 грн
10+80.16 грн
100+62.52 грн
500+48.47 грн
1000+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Nch Power MOSFET
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+112.21 грн
252+56.29 грн
500+45.92 грн
1000+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET2 N-CH SOP8G
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KA4TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0165 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0165
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 1116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
294+48.19 грн
306+46.26 грн
500+44.59 грн
1000+41.60 грн
Мінімальне замовлення: 294 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+97.91 грн
210+67.50 грн
297+47.76 грн
500+41.96 грн
1000+36.61 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA7ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA7GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+239.33 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA7GZETBRohm SemiconductorDescription: SH8KA7 IS LOW ON-RESISTANCE AND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA7GZETBROHM SemiconductorMOSFETs SOP8 2NCH 30V 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA7GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+159.86 грн
127+111.81 грн
500+91.02 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA7GZETBRohm SemiconductorDescription: SH8KA7 IS LOW ON-RESISTANCE AND
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA7GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOP T/R
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+243.27 грн
100+162.18 грн
200+147.09 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 40V 4.5A, Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.61 грн
12+72.26 грн
100+47.96 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB5TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V 4.5A, DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.46 грн
10+62.95 грн
100+41.82 грн
500+30.72 грн
1000+27.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB5TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V 4.5A, DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]