Продукція > IS6
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IS61WV25616BLL-10BLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI | Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV25616BLL-10BLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, BGA, 48 Pin(s), 2.4 V tariffCode: 85423290 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.b.2.b Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10BLI | ISSI | SRAM 4Mb 256Kx16 10ns Async SRAM 3.3v | на замовлення 1394 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10BLI Код товару: 135552
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10BLI | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin Mini-BGA | на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10BLI | Integrated Silicon Solution Inc. | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin Mini-BGA IS61WV25616BLL-10BLI PSIS61WV25616BLL-10BLI кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10BLI-TR | ISSI | SRAM 4Mb 256Kx16 10ns Async SRAM 3.3v | на замовлення 23162 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10BLI-TR | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin Mini-BGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10BLI-TR | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin Mini-BGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 10 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Part Status: Active Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8) Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 48-TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10KLI | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin SOJ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10KLI | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin SOJ | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10KLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Part Status: Active Supplier Device Package: 44-SOJ Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tube Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 10 ns Memory Interface: Parallel DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 224 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10KLI | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin SOJ | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10KLI | ISSI | SRAM 4Mb, 2.4v-3.6v, 10ns 256K x 16 Async SRA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10KLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 10 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Part Status: Active Supplier Device Package: 44-SOJ Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10KLI-TR | ISSI | SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,8ns/3.3v,or 10ns,2.4V-3.6V,44 Pin SOJ (400 mil), RoHS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10KLI-TR | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin SOJ T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10T | ISSI | 08+ SOIC28 | на замовлення 260 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10TL | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 135 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10TL | ISSI | 10+ TSOP44 | на замовлення 210 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10TL | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II | на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10TL | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II | на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10TL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 10 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Part Status: Active Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tray | на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10TL | ISSI | SRAM 4Mb 256Kx16 10ns Async SRAM 3.3v | на замовлення 726 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10TL-TR | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10TL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 10 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Part Status: Active Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10TL-TR | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R | на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10TL-TR | ISSI | SRAM 4Mb 256Kx16 10ns Async SRAM 3.3v | на замовлення 655 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10TL-TR | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R | на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10TLI | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II | на замовлення 992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10TLI | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 135 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10TLI | ISSI | SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS | на замовлення 3482 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10TLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI | Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV25616BLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V tariffCode: 85423290 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.b.2.b Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit | на замовлення 539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10TLI | Integrated Silicon Solution Inc. | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II IS61WV25616BLL-10TLI PSIS61WV25616BLL-10TLI | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10TLI | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10TLI Код товару: 42751
Додати до обраних
Обраний товар
| Мікросхеми > Пам'ять УКТЗЕД: 8542 32 45 00 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10TLI | ISSI | Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 2,4...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 4 Мбіт, Орг. пам. = 256К х 16, Тдост/Частота = 10 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-44 Од. вим: шт кількість в упаковці: 135 шт | на замовлення 89 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10TLI | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II | на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10TLI | Integrated Silicon Solution Inc. | 16-bit Memory IC; 256Kb-SRAM; 3,0~3,6V; -40~85°C; Equivalent: AS7C34098A-10TIN; CY7C1041DV33-10ZSXI; K6R4016V1D-UI10; IS61WV25616BLL-10TLI PS4096/16/10 tsop кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10TLI | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II | на замовлення 2288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10TLI | ISSI | IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP Мікросхеми пам'яті | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10TLI | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II | на замовлення 2288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10TLI | Integrated Silicon Solution Inc. | 16-bit Memory IC; 256Kb-SRAM; 3,0~3,6V; -40~85°C; Equivalent: AS7C34098A-10TIN; CY7C1041DV33-10ZSXI; K6R4016V1D-UI10; IS61WV25616BLL-10TLI PS4096/16/10 tsop кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 3 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 5715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10TLI-TR | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10TLI-TR | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10TLI-TR | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R | на замовлення 782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10TLI-TR | ISSI | SRAM 4Mb 256Kx16 10ns Async SRAM 3.3v | на замовлення 966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10TLI-TR | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R | на замовлення 782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL-10TLI-TR | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLL1 Код товару: 38074
Додати до обраних
Обраний товар
| Мікросхеми > Пам'ять | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IS61WV25616BLS-25TLI | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 25ns 44-Pin TSOP-II | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 135 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLS-25TLI | ISSI | SRAM 4Mb 256Kx16 25ns 2.4-3.6V Async SRAM | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLS-25TLI | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 25ns 44-Pin TSOP-II | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 135 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLS-25TLI | ISSI | Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.4÷3.6V; 25ns; TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Kind of memory: SRAM Type of integrated circuit: SRAM memory Case: TSOP44 II Operating temperature: -40...85°C Access time: 25ns Operating voltage: 2.4...3.6V Memory organisation: 256kx16bit Memory: 4Mb SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLS-25TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 25 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Part Status: Active Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 270 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLS-25TLI-TR | ISSI | Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.4÷3.6V; 25ns; TSOP44 II Case: TSOP44 II Mounting: SMD Type of integrated circuit: SRAM memory Operating temperature: -40...85°C Access time: 25ns Operating voltage: 2.4...3.6V Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 256kx16bit Kind of interface: parallel Kind of memory: SRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLS-25TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Part Status: Active Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 25 ns Memory Interface: Parallel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616BLS-25TLI-TR | ISSI | SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,25ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616EDALL-20BLI | ISSI | SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC, 256K x 16, 20ns, 1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 480 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616EDALL-20BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 20 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 20ns Part Status: Active Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8) Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 48-TFBGA Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 480 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616EDALL-20BLI-TR | ISSI | SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC, 256K x 16, 20ns, 1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616EDALL-20BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 20 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 20ns Part Status: Active Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8) Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 48-TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL | ISSI | SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL-10BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 48-TFBGA Packaging: Tray DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 10 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Part Status: Active Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8) Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) | на замовлення 660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL-10BLI | ISSI | SRAM 4Mb 2.4-3.6v 10ns 256K x 16 Async SRAM | на замовлення 1121 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL-10BLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI | Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV25616EDBLL-10BLI - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, miniBGA, 48 Pin(s), 2.4 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: miniBGA Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchron Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | на замовлення 202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL-10BLI | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 480 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL-10BLI-TR | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin TFBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL-10BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8) Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 48-TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 10 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL-10BLI-TR | ISSI | SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,3.3V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL-10TLI | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II | на замовлення 2025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL-10TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 10 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Part Status: Active Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: SRAM Packaging: Tray DigiKey Programmable: Not Verified Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) | на замовлення 585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL-10TLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI | Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV25616EDBLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V tariffCode: 85423290 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.b.2.b Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL-10TLI | ISSI | SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS | на замовлення 1531 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL-10TLI | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II | на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL-10TLI | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II | на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL-10TLI-TR | ISSI | SRAM 4Mb 512K x 8 10ns Async SRAM | на замовлення 470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL-10TLI-TR | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL-10TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 10 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Part Status: Active Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL-8BLI | ISSI | SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 8ns 48-Pin TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 480 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL-8BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 8 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 8ns Part Status: Active Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8) Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 48-TFBGA Packaging: Tray | на замовлення 186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL-8BLI | ISSI | SRAM 4Mb, 8ns,3.3V 256K x 16 Asyn SRAM | на замовлення 182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 8 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 8ns Part Status: Active Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8) Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 48-TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR | ISSI | SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns,3.3V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR | ISSI | SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 8ns 48-Pin TFBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL-8TLI | ISSI | SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 8ns 44-Pin TSOP-II | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 135 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL-8TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 8 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 8ns Part Status: Active Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 270 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL-8TLI | ISSI | Мікросхеми пам'яті | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL-8TLI | ISSI | SRAM 4Mb (256K x 16) 8ns Async SRAM | на замовлення 138 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL-8TLI-TR | ISSI | SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 8ns 44-Pin TSOP-II T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL-8TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 8 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 8ns Part Status: Active Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL-8TLI-TR | ISSI | SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns,3.3V,44 Pin TSOP II, RoHS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616EFBLL-10BLI | ISSI | SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS | на замовлення 114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616EFBLL-10BLI | ISSI | High Speed Asynchronous CMOS Static RAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 480 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616EFBLL-10BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async w Packaging: Bulk Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 480 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616EFBLL-10BLI-TR | ISSI | High Speed Asynchronous CMOS Static RAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV25616EFBLL-10BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async w Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |

