Продукція > StP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 44 55 66 77 88 99 110 119  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP40N10
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N10FI
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N10L
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N20ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N20STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 200 Volt 40 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP40N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.088 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.078Ohm typ. 34A MDmesh M2
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+456.50 грн
10+294.84 грн
50+232.78 грн
100+199.71 грн
500+166.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N60M2
Код товару: 171525
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 32A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 128A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 56.5nC
Kind of package: tube
On-state resistance: 99mΩ
Pulsed drain current: 128A
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™ M2
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP40N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NE03L
на замовлення 89000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NE03L MOS-N-FET 30V 40A 80W
Код товару: 74164
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 40 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,014 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1850/29
Монтаж: THT
на замовлення: 10 шт
  • 10 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+24.00 грн
10+22.00 грн
100+19.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NE03L-20
на замовлення 721 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF02L
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF03
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF03LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF03LSTMMOSFET 30V 40A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF03LSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 30V; 28A; Idm: 160A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF03LSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30 Volt 40 Amp
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF03LST09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF03LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF03LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.67 грн
10+72.38 грн
50+54.17 грн
100+45.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF03LSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP40NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.022 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 2067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 35A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: STripFET™ II
Drain current: 35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+140.39 грн
5+102.43 грн
10+87.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 50 Amp
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.32 грн
10+92.41 грн
50+69.79 грн
100+58.64 грн
500+46.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP40NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.025 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10STN-MOSFET 40A 100V 150W 0.024Ω STP40NF10 TSTP40NF10
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+47.91 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+91.42 грн
172+82.21 грн
500+65.79 грн
1000+55.92 грн
2000+45.80 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+59.62 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10
Код товару: 101793
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.79 грн
10+91.62 грн
100+82.39 грн
500+63.59 грн
1000+51.90 грн
2000+44.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10-07
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10C
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10LSTMN-channel 100V - 0.028. - 40A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.74 грн
50+55.18 грн
100+54.83 грн
500+50.55 грн
1000+45.22 грн
2000+42.59 грн
5000+42.14 грн
10000+41.96 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
507+59.91 грн
Мінімальне замовлення: 507 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10L
Код товару: 101831
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 507 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10LSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 100V; 25A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: STripFET™
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: ±17V
On-state resistance: 36mΩ
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+176.86 грн
5+126.13 грн
10+109.20 грн
50+78.73 грн
100+69.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10LSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 40 Amp
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10LSTTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 17V; 36mOhm; 40A; 150W; -65°C ~ 175°C; STP40NF10L TSTP40NF10L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+48.55 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+55.62 грн
257+55.07 грн
258+54.71 грн
500+50.43 грн
1000+45.12 грн
2000+42.50 грн
5000+42.05 грн
10000+41.87 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±17V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.63 грн
10+154.73 грн
50+118.85 грн
100+100.67 грн
500+81.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+261.11 грн
111+128.02 грн
123+115.07 грн
500+89.06 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10LSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP40NF10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF10LS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF12STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 120 Volt 40 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF12STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 120V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF12STN-MOSFET; 120V; 20V; 32mOhm; 40A; 150W; -55°C ~ 175°C; STP40NF12 TSTP40NF12
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+54.48 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.77 грн
10+182.69 грн
50+141.57 грн
100+120.39 грн
500+98.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
697+138.96 грн
Мінімальне замовлення: 697 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF20STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 25A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: STripFET™
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+237.02 грн
10+186.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF20STMMOSFET N-CH 200V 40A TO220AB Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+780.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 697 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF20STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP40NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20 A, 0.038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NF20STMicroelectronicsMOSFETs Low charge STripFET
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NP10L
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NS15STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NS15STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 150V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP40NS15
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP410N4F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 180A TO220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP410N4F7AGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 180 A STripFET F7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP411B-320-ESeiko Printers MECH 112MM 320 DOT W/O CABLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP411G-320-E
Код товару: 174458
Додати до обраних Обраний товар
Інструмент та прилади > Побутова електроніка
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP411G-320-ESeiko PrintersPrinters 153X44.5X20 320 DOTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP420F
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4220BGA
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4228100SolaHDIndustrial Surge Protectors 1260W 28V AT 45A MAX 1P PS IECEX
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP423S
на замовлення 708 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4257
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP42N60M2-EPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP42N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.076 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP42N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+264.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP42N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+264.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP42N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 100 V
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+484.98 грн
50+250.59 грн
100+229.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP42N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP42N65DM5STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP42N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650 Volt 33 Amp
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP42N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+529.92 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP42N65M5STMMOSFET N-CH 650V 33A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP42N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+427.58 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP42N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP42N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+531.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP42N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+997.25 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP42N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+689.19 грн
5+603.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP42N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4310
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4349
на замовлення 7550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP43N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+368.79 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP43N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP43N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP43N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP43N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP43N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 44 55 66 77 88 99 110 119  [ Наступна Сторінка >> ]