Продукція > BUK
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 79500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3583 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 16500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 34500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 244500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y3R5-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2500 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40H,115 | Nexperia USA Inc. | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3441 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40HX | Nexperia | MOSFETs BUK7Y3R5-40H/SOT669/LFPAK | на замовлення 5870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y3R5-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0029 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3441 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y3R5-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0029 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 120 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 115 Bauform - Transistor: SOT-669 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y41-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y41-80EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1119 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y41-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y41-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y41-80EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1119 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y41-80EX | Nexperia | MOSFET N-channel 80 V 41 mo FET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y41-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y41-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y41-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y43-60E115 | NXP USA Inc. | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1854 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y43-60EX | Nexperia | MOSFETs BUK7Y43-60E/SOT669/LFPAK | на замовлення 1905 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y43-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK56 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y43-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK56 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y4R4-40E115 | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 814 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y4R4-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y4R4-40EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2781 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y4R4-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y4R4-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y4R4-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y4R4-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y4R4-40EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2781 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y4R4-40EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y4R4-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 147W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm | на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y4R4-40EX | Nexperia | MOSFETs BUK7Y4R4-40E/SOT669/LFPAK | на замовлення 1481 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y4R4-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y4R8-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y4R8-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y4R8-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y4R8-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 238W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5520 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y4R8-60EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y4R8-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2900 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 238W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm | на замовлення 1103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y4R8-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y4R8-60EX | Nexperia | MOSFETs SOT669 N CHAN 60V | на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y4R8-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y4R8-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y4R8-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y4R8-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y4R8-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 238W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5520 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y4R8-60EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y4R8-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2900 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 238W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm | на замовлення 1103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y4R8-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y53-100B,115 | Nexperia | MOSFETs BUK7Y53-100B/SOT669/LFPAK | на замовлення 2862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y53-100B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 24.8A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1467 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y53-100B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 24.8A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1467 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y54-75B,115 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 21.4A LFPAK56 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y59-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 17A LFPAK56 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 494 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y59-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 17A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y59-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 17A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y59-60EX | Nexperia | MOSFETs BUK7Y59-60E/SOT669/LFPAK | на замовлення 1427 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y59-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 17A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 494 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y59-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 17A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y65-100EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 19A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1023 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y65-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 19A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y65-100EX | Nexperia | MOSFETs BUK7Y65-100E/SOT669/LFPAK | на замовлення 2555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y65-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 19A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y65-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 19A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y65-100EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 19A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1023 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y65-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 19A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y65-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 19A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y6R0-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y6R0-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y6R0-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4021 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y6R0-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y6R0-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4021 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y6R0-60EX | Nexperia | MOSFETs BUK7Y6R0-60E/SOT669/LFPAK | на замовлення 14091 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y6R0-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y72-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 16A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y72-80EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y72-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.054 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y72-80EX | Nexperia | MOSFETs N-channel 40 V, 7.0 mohm standard level MOSFET in LFPAK56 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y72-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 16A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y72-80EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 16A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y72-80EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y72-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.054 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y72-80EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 16A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y7R0-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 68A LFPAK56 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y7R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 68A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y7R0-40HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y7R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 68 A, 5700 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 64W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm | на замовлення 1442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y7R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 68A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y7R0-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 68A LFPAK56 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y7R0-40HX | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 48A; Idm: 272A; 64W On-state resistance: 13.6mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 272A Power dissipation: 64W Gate charge: 26nC Polarisation: unipolar Drain current: 48A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 | на замовлення 1362 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7Y7R0-40HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y7R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 68 A, 5700 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 64W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm | на замовлення 1442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y7R0-40HX | Nexperia | MOSFETs SOT669 N-CH 40V 68A | на замовлення 703 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y7R2-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V LFPAK56 PWR-SO8 Qualification: AEC-Q101 Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y7R2-60EX | Nexperia | MOSFET BUK7Y7R2-60E/SOT669/LFPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y7R2-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V LFPAK56 PWR-SO8 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7Y7R6-40E | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

