Продукція > DMP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMP6050SFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.8A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 60V P-Ch Enh FET 20Vgss 1.8W
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.00 грн
10+43.90 грн
100+28.69 грн
500+20.78 грн
1000+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6050SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.043 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SPS-13DiodesMOSFET P-CH 60V 5.7A PWRDI5060-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 5.7A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2163 pF @ 30 V
на замовлення 725602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.57 грн
10+44.27 грн
100+27.07 грн
500+20.09 грн
1000+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6050SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.043 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 5208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 5.7A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2163 pF @ 30 V
на замовлення 725000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.15 грн
5000+16.11 грн
7500+16.02 грн
12500+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SPSW-13Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2163 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SSDDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.8A 8-Pin SO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.8A 8-Pin SO T/R
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.70 грн
15+53.63 грн
25+53.15 грн
100+37.66 грн
250+34.53 грн
500+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SSD-13DiodesMOSFET 2P-CH 60V 4.8A SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V Dual P-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs
на замовлення 4397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.8A 8-Pin SO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.8A 8-Pin SO T/R
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+53.15 грн
363+39.06 грн
367+38.67 грн
559+24.49 грн
Мінімальне замовлення: 267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -3.9A; Idm: -32A; 1.2W; SO8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Drain current: -3.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 55mΩ
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+71.59 грн
11+41.38 грн
100+30.50 грн
500+25.51 грн
1000+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.8A 8-Pin SO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SSD-13Diodes INC.2P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 4,8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1293 @ 30, Qg, нКл = 24 @ 10 В, Rds = 55 мОм @ 5 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SSD-13
Код товару: 143724
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.8A 8-Pin SO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.8A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.8A 8-Pin SO T/R
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6051SFVW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6051SFVW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6051SFVWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI3333-8 T&R 3K
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6051SFVWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6051SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6051SSDQ-13Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6051SSS-13Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6051SSSQ-13Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6101ASensata-CrydomDescription: DC INPUT MODULE 24V
Features: Epoxy Coated
Color: Black
Voltage - Output: 5VDC
Style: SIP
Voltage - Input: 24VDC
Current - Output: 18mA
Type: DC Input Module
Turn On Time: 5ms
Turn Off Time: 5ms
Current - Input: 34 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DLDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DL-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -130mA; Idm: -1.2A; 500mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -130mA
Pulsed drain current: -1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 560pC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DL-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DL-13
Код товару: 219804
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DL-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V
на замовлення 10838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.53 грн
33+9.27 грн
40+7.63 грн
50+6.20 грн
100+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DL-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DL-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.89 грн
6000+2.49 грн
9000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DL-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DL-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V
на замовлення 10293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.76 грн
36+8.53 грн
100+5.26 грн
500+3.60 грн
1000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DL-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -130mA; Idm: -1.2A; 500mW
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -1.2A
Drain current: -0.13A
Gate charge: 560pC
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+74.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DL-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DL-7DiodesMOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DLQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 186mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DLQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DLQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.186A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DLQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.186A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DLQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 186mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.64 грн
28+10.69 грн
100+6.66 грн
500+4.59 грн
1000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DLQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 186mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DLQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R 3K
на замовлення 5453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 4.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.97W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.4A; Idm: -20A; 1.3W
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.3W
Gate charge: 17.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -3.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: U-DFN2020-6
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 9481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 4.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.97W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 59675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6110SFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.11 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.97W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 4.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.97W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 726000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.24 грн
6000+9.92 грн
9000+9.45 грн
15000+8.38 грн
21000+8.09 грн
30000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6110SFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.11 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.97W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 4.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.97W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 727606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.70 грн
11+29.62 грн
100+19.03 грн
500+13.60 грн
1000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDFQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDFQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 3.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+13.40 грн
30000+12.61 грн
50000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDFQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 3.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDFQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 5404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 3.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.59 грн
10+38.29 грн
100+24.83 грн
500+17.87 грн
1000+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDFQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6110SSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.105 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.105ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.105ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSD-13DiodesMOSFET 2P-CH 60V 3.3A SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 2363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.09 грн
10+54.30 грн
25+45.56 грн
50+37.68 грн
100+33.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6110SSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.105 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.105ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.105ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V Dual P-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs
на замовлення 5180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 7.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3.3A Automotive 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 5310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 7.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.33 грн
10+45.17 грн
100+29.57 грн
500+21.44 грн
1000+19.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSSDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSS-13Diodes INC.P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Ciss, пФ @ Uds, В = 1030 @ 30, Qg, нКл = 19,4 @ 10 В, Rds = 110 мОм @ 4,5 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 25000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V
на замовлення 5662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.00 грн
10+43.75 грн
25+36.59 грн
50+30.19 грн
100+26.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6110SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSS-13DiodesMOSFET P-CH 60V 8SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V P-Ch 60Vds 20Vgs FET 1030pF 19.4nC
на замовлення 17349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSS-13
Код товару: 206035
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6110SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6110SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.