Продукція > DMP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 38  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMP6051SFVW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.04 грн
10+35.25 грн
100+20.20 грн
500+15.89 грн
1000+13.93 грн
2000+11.77 грн
4000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6051SFVWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI3333-8 T&R 3K
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.91 грн
10+38.06 грн
100+22.57 грн
500+17.77 грн
1000+14.77 грн
3000+13.38 грн
6000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6051SFVWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6051SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6051SSDQ-13Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6051SSS-13Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6051SSSQ-13Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6101ASensata-CrydomDescription: DC INPUT MODULE 24V
Current - Input: 34 mA
Turn Off Time: 5ms
Turn On Time: 5ms
Type: DC Input Module
Current - Output: 18mA
Voltage - Input: 24VDC
Style: SIP
Voltage - Output: 5VDC
Color: Black
Features: Epoxy Coated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DLDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DL-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V
на замовлення 42990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.89 грн
36+8.45 грн
100+5.24 грн
500+3.59 грн
1000+3.16 грн
2000+2.79 грн
5000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DL-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.87 грн
20000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DL-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -130mA; Idm: -1.2A; 500mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -130mA
Pulsed drain current: -1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 560pC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DL-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.38 грн
20000+2.07 грн
30000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DL-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.92 грн
20000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DL-13
Код товару: 219804
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DL-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DL-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DL-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V
на замовлення 10293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.89 грн
36+8.60 грн
100+5.31 грн
500+3.63 грн
1000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DL-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+16.09 грн
35+9.29 грн
100+5.85 грн
500+4.25 грн
1000+3.69 грн
3000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DL-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.92 грн
6000+2.51 грн
9000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DL-7DiodesMOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DLQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DLQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.186A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DLQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 186mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DLQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 186mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
28+10.79 грн
100+6.72 грн
500+4.63 грн
1000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DLQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 0.186A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DLQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 186mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DLQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R 3K
на замовлення 5453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.21 грн
30+10.82 грн
100+5.85 грн
500+4.32 грн
1000+3.83 грн
3000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 9481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.07 грн
13+26.52 грн
100+15.95 грн
500+12.47 грн
1000+10.10 грн
2500+9.34 грн
10000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 4.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.97W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 53474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.52 грн
10+31.40 грн
100+20.23 грн
500+14.45 грн
1000+12.99 грн
2000+11.76 грн
5000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 4.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.97W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.62 грн
20000+9.49 грн
30000+9.12 грн
50000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6110SFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.11 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.97W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.25 грн
500+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 4.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.97W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 727606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.16 грн
11+29.89 грн
100+19.20 грн
500+13.72 грн
1000+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 59675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.06 грн
13+26.60 грн
100+15.95 грн
500+12.47 грн
1000+11.01 грн
3000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6110SFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.11 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.97W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 4.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.97W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 726000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.35 грн
6000+10.01 грн
9000+9.54 грн
15000+8.46 грн
21000+8.17 грн
30000+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDFQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 3.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+13.53 грн
30000+12.72 грн
50000+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDFQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDFQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 3.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.08 грн
10+38.64 грн
100+25.06 грн
500+18.04 грн
1000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 3.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDFQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SFDFQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 5404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.08 грн
10+37.18 грн
100+22.50 грн
500+17.56 грн
1000+14.35 грн
3000+12.47 грн
9000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6110SSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.105 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.105ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.105ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+45.03 грн
22+36.98 грн
100+26.34 грн
500+19.32 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+40.23 грн
100+26.53 грн
500+19.18 грн
1000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSD-13DiodesMOSFET 2P-CH 60V 3.3A SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V Dual P-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs
на замовлення 5180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.42 грн
10+41.98 грн
100+24.11 грн
500+18.60 грн
1000+16.79 грн
2500+14.35 грн
5000+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6110SSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.105 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.105ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.105ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.07 грн
500+21.06 грн
1000+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 7.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 5310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.36 грн
10+41.42 грн
100+25.01 грн
500+20.83 грн
1000+17.77 грн
2500+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3.3A Automotive 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 7.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.03 грн
10+45.59 грн
100+29.84 грн
500+21.64 грн
1000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSSDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSS-13DiodesMOSFET P-CH 60V 8SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.01 грн
5000+11.86 грн
7500+11.31 грн
12500+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6110SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.23 грн
21+40.07 грн
100+24.14 грн
500+18.57 грн
1000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V P-Ch 60Vds 20Vgs FET 1030pF 19.4nC
на замовлення 17349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.54 грн
10+35.73 грн
100+18.74 грн
500+15.54 грн
1000+13.93 грн
2500+11.01 грн
5000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSS-13
Код товару: 206035
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSS-13Diodes INC.P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Ciss, пФ @ Uds, В = 1030 @ 30, Qg, нКл = 19,4 @ 10 В, Rds = 110 мОм @ 4,5 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 25000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V
на замовлення 17274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.87 грн
10+33.89 грн
100+21.31 грн
500+15.76 грн
1000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6110SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.14 грн
500+18.57 грн
1000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET PCH 60V 8SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 50350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.27 грн
10+38.72 грн
100+25.01 грн
500+18.20 грн
1000+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6110SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.17 грн
500+18.34 грн
1000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET PCH 60V 8SO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.60 грн
5000+13.80 грн
7500+13.42 грн
12500+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6110SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.01 грн
21+39.10 грн
100+26.17 грн
500+18.34 грн
1000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.69 грн
10+37.98 грн
100+22.02 грн
500+18.25 грн
1000+16.51 грн
2500+14.63 грн
5000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V Dual P-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVT-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.3A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.3A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 60V P-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.18 грн
10+39.02 грн
100+22.99 грн
500+17.98 грн
1000+15.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6110SVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.3 A, 0.105 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVT-7DiodesMOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.3A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6110SVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.3 A, 0.105 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.66 грн
50+36.33 грн
100+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.3A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
на замовлення 2547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.49 грн
10+38.04 грн
100+24.70 грн
500+17.78 грн
1000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVTQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.3A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.38 грн
10+47.32 грн
100+31.03 грн
500+22.53 грн
1000+20.41 грн
2000+18.63 грн
5000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVTQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.90 грн
10+47.51 грн
100+27.10 грн
500+20.97 грн
1000+18.95 грн
3000+15.75 грн
6000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
на замовлення 5770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.16 грн
10+41.89 грн
100+29.04 грн
500+22.77 грн
1000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVTQ-7DiodesMOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6111SVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 38  [ Наступна Сторінка >> ]