Продукція > Si4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4501ADY-T1-E3VISHAY
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4501ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V/8V 6.3A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 8V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4501ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V/8V 6.3A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 8V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4501ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V/8V 6.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4501ADYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4501BDY
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4501BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V/8V 12A 8SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 8V
Power - Max: 4.5W, 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4501BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V/8V 12A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 8V
Power - Max: 4.5W, 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4501BDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -8V Vds 8V Vgs SO-8 N&P PAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4501BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V/8V 9A/6.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4501DYSILICONIXSOP8
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4501DY-T1VISHAYSOP-8
на замовлення 6900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4501DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4501DYT1VISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4501DYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4503
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4503DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4503DY-T1
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4503DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4503DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4505SISOP-8
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4505DYVishay / SiliconixMOSFETs N- AND P- CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4505DY
на замовлення 606 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4505DY-E3Vishay / SiliconixMOSFETs N- AND P- CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4505DY-T1VISHAY
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4505DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V/8V 6A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 3.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 8V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4505DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4505DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V/8V 6A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 3.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 8V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4505DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30/8.0V 7.8/5.0A 18/42mohm @ 10/4.5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4505DYT1VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4505DYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4511SISOP-8
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4511BDY
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4511DYVISHAY09+
на замовлення 538 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4511DY-E3Vishay / SiliconixMOSFETs N- AND P- CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4511DY-T1-E3Vishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4511DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 7.2A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4511DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4511DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A, 4.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4511DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A, 4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4511DYT1E3VISHAY
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532SI09+ SOP8
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532ADT-T1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532ADYVishay SemiconductorТранзистор польовий N+P, Udss, В = 30 & -30, Id = 3,9 А, Ptot, Вт = 1,2, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 8 & 10, Rds = 44 & 62 мОм, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 & -1 В, td(on)+tr = 12 нс, td(off)+tf = 23 нс,... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532ADYVishay / SiliconixMOSFET 30V 4.9/3.9A 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532ADY-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4532CDY-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532ADY-T1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532ADY-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4532CDY-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W, 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532ADY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4532CDY-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532ADY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532ADY-T1-E3-SVishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W, 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532ADY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4532CDY-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532ADY-T11
на замовлення 3843 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532ADY-TI
на замовлення 3563 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532ADYT1E3VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532BY-T1
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDYVishay SiliconixSO-8, N- and P-Channel 30VDS MOSFET, -55...150C Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-E3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
287+49.37 грн
500+34.72 грн
1000+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 287 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.78W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.42 грн
5000+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.9/-3.4A
Power dissipation: 1.78W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47/89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9/12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+74.92 грн
8+54.30 грн
10+47.17 грн
50+33.34 грн
100+28.85 грн
500+21.29 грн
1000+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4532CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.78W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 37735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+95.95 грн
13+60.88 грн
100+40.15 грн
500+29.78 грн
1000+24.76 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3
Код товару: 201070
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.78W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 6170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.16 грн
10+43.68 грн
100+28.60 грн
500+20.74 грн
1000+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DYONSEMIDescription: ONSEMI - SI4532DY - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.053 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DYON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
672+52.66 грн
Мінімальне замовлення: 672 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DYON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.82 грн
25+40.18 грн
100+38.12 грн
250+34.73 грн
500+32.79 грн
1000+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DYonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.35 грн
5000+25.33 грн
7500+24.33 грн
12500+22.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DYON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+44.95 грн
1000+42.87 грн
2500+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DYONSEMIDescription: ONSEMI - SI4532DY - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.053 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DYON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DYonsemiMOSFETs 30V Dual N/P FET Enhancement Mode
на замовлення 4597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DYON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
347+40.82 грн
353+40.18 грн
358+39.54 грн
364+37.51 грн
500+34.15 грн
1000+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 347 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DYonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 20667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.46 грн
10+63.91 грн
100+42.60 грн
500+31.38 грн
1000+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DY(SILICONIX)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DY-NL
на замовлення 101296 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DY-T1VISHAYO4
на замовлення 8383 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DY.
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DYT1VISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DYT1E3VISHAY
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4534DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 60V 6.2A/8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 8A (Tc), 3A (Ta), 4.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V, 650pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V, 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V, 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 10040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.29 грн
10+80.33 грн
100+62.47 грн
500+49.69 грн
1000+40.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4534DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 60V 6.2A/3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.70 грн
10+90.45 грн
25+87.91 грн
50+78.81 грн
100+67.99 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4534DY-T1-GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4534DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 60V 6.2A/8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 8A (Tc), 3A (Ta), 4.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V, 650pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V, 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V, 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.16 грн
5000+38.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4534DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 60V 6.2A/3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4539SI07+ SOP8
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4539ADYVishay / SiliconixMOSFET 30V 5.9/4.9A 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4539ADYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4539ADY-T1VISHAY0349+
на замовлення 49362 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4539ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A, 3.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4539ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8SOIC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A, 3.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4539ADY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4539ADY-T1-E3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.4A/3.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4539ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A, 3.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]