Продукція > PBS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PBSS5160T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5160T,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5160T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 270 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 270mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 6275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5160T,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A TO-236AB Power - Max: 400 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 220MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5160T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5160T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5160T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5160T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 17910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5160T,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5160T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 153000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5160T,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5160T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 270 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 270mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 9275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5160T,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 400 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5160T-QR | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 1.25W; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Power dissipation: 1.25W Collector current: 1A Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 100...400 Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry Polarisation: bipolar Case: SOT23; TO236AB Type of transistor: PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5160T-QR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 0.9A TO-236AB Power - Max: 270 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 220MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5160T-QR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5160T-QR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 16938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5160T-QR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 186 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5160T-QR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 0.9A TO-236AB Power - Max: 270 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 220MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5160T-QR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5160T-QVL | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW Automotive 3-Pin SOT-23 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5160T-QVL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT23 60V 1A PNP TRANS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5160T-QVL | Nexperia USA Inc. | Description: PBSS5160T-Q/SOT23/TO-236AB Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 220MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 270 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5160TVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5160TVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 900 mA, 270 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 270mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 900mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 9995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5160TVL | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5160TVL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT23 60V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5160TVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5160TVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 900 mA, 270 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 270mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 900mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 9995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5160TVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 175mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5160U,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 0.7A SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 185MHz Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 415 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5160U,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 415mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5160U,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 415mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5160U,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS5160U/SOT323/SC-70 | на замовлення 188 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5160U,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5160U,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 250 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 185MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5160U,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 415mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5160U,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 415mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5160U,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 0.7A SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 185MHz Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 415 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5160U,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 415mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5160U,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; SC70,SOT323 Mounting: SMD Collector current: 1A Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 100...350 Frequency: 185MHz Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar Case: SC70; SOT323 Type of transistor: PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5160U,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 415mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5160U,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 415mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 297000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5160U,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5160U,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 250 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 185MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5160U,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 415mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5160U-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT323 60V 1A PNP BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5160V,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; SOT666 Mounting: SMD Collector current: 1A Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 100...350 Frequency: 220MHz Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar Case: SOT666 Type of transistor: PNP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5160V,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 0.9A SOT666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: SOT-666 Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | на замовлення 1987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5160V,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT NRND for Automotive Applications PBSS5160V/SOT666/SOT6 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5160V,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5160V,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 900 mA, 300 mW, SOT-666, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 900mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5160V,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 0.9A SOT666 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA Supplier Device Package: SOT-666 Frequency - Transition: 220MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5160V,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5220PAPS | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5220PAPS | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5220PAPS - Bipolares Transistor-Array, AEC-Q101, Zweifach pnp, -20 V, -2 A, 370 mW, 100 hFE, SOT-1118 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 370 Bauform - Transistor: SOT-1118 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -20 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: Zweifach pnp DC-Kollektorstrom: -2 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5220PAPS | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5220PAPS - Bipolares Transistor-Array, AEC-Q101, Zweifach pnp, -20 V, -2 A, 370 mW, 100 hFE, SOT-1118 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5220PAPS-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS5220PAPS-Q/SOT1118/HUSON6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5220PAPS-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2PNP 20V 2A DFN2020D-6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: DFN2020D-6 Frequency - Transition: 95MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Current - Collector (Ic) (Max): 2A Power - Max: 510mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 2 PNP (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5220PAPS115 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA PBSS5220PAPS SMALL Part Status: Active Packaging: Bulk Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: DFN2020D-6 Frequency - Transition: 95MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Current - Collector (Ic) (Max): 2A Power - Max: 370mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 2 PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad | на замовлення 7440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5220PAPSX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2PNP 20V 2A DFN2020D-6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020D-6 Frequency - Transition: 95MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Current - Collector (Ic) (Max): 2A Power - Max: 370mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 2 PNP (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5220PAPSX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 2A 960mW 6-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5220PAPSX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS5220PAPS/SOT1118/HUSON6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5220PAPSX | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 20V 2A 960mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 7440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5220PAPSX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2PNP 20V 2A DFN2020D-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 370mW Current - Collector (Ic) (Max): 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 95MHz Supplier Device Package: DFN2020D-6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5220PAPSX | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 20V; 2A; DFN2020D-6,SOT1118D Mounting: SMD Case: DFN2020D-6; SOT1118D Kind of package: reel; tape Type of transistor: PNP x2 Collector current: 2A Collector-emitter voltage: 20V Current gain: 100...400 Frequency: 95MHz Polarisation: bipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5220T | PHI | SOT23 | на замовлення 5930 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5220T | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5220T T/R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5220T,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT23 20V | на замовлення 61 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5220T,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5220T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 225hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5220T,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 20V 2A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 480 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5220T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 2A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5220T,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 2A; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Collector current: 2A Collector-emitter voltage: 20V Current gain: 150...225 Frequency: 100MHz Kind of package: 7 inch reel; tape Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Case: SOT23; TO236AB | на замовлення 1788 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5220T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 2A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5220T,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5220T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 225hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5220T,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 20V 2A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 480 mW | на замовлення 2071 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5220T-QR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5220T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 480 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 150hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 480mW euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 2A Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5220T-QR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 20V 2A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 225 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 300 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5220T-QR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5220T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 480 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5220T-QR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 20V 2A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 225 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 300 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5220T-QR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT23 20V 2A PNP BJT | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5220V,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS TAPE-7 | на замовлення 3980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5220V,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 20V 2A SOT-666 Power - Max: 900 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Supplier Device Package: SOT-666 Frequency - Transition: 185MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5220V,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 20V 2A SOT-666 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Supplier Device Package: SOT-666 Frequency - Transition: 185MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 900 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5230PAP,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 2A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5230PAP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2PNP 30V 2A 6HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mv @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 95MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5230PAP,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 30V 2A 200mW Automotive 6-Pin HUSON EP T/R | на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5230PAP,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5230PAP,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Zweifach pnp, 30 V, 2 A, 2 W, SOT-1118, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 100 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2 Bauform - Transistor: SOT-1118 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30 Wandlerpolarität: Zweifach pnp Übergangsfrequenz: 95 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5230PAP,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 2A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5230PAP,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 2816 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5230PAP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2PNP 30V 2A 6HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mv @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 95MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5230PAP,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 30V 2A 200mW Automotive 6-Pin HUSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5230PAP-QX | Nexperia USA Inc. | Description: PBSS5230PAP-Q/SOT1118/HUSON6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5230PAP-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS5230PAP-Q/SOT1118/HUSON6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5230QA147 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5230QAZ | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 30V 2A 1000mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 125000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5230QAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 30V 2A DFN1010D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 325 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5230QAZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 79735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5230QAZ | NXP Semiconductors | Description: TRANS PNP 30V 2A DFN1010D-3 Packaging: Bulk Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 325 mW | на замовлення 554308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5230QAZ | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 30V 2A 1000mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5230QAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 30V 2A DFN1010D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 325 mW | на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5230QAZ | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 30V 2A 1000mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 234308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5230QAZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 30 V, 2A PNP low VCE sat (BISS) transi | на замовлення 4740 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5230T | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5230T | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5230T | Yangjie Electronic Technology | PBSS5230T | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

