Продукція > RS1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS1G150MNTB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1G150MNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V | на замовлення 15557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1G150MNTB | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; Idm: 60A; 25W; HSOP8 Mounting: SMD Case: HSOP8 Kind of package: reel; tape On-state resistance: 13.3mΩ Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 25W Gate charge: 15nC Polarisation: unipolar Drain current: 43A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1G180MNTB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 1322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1G180MNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 20 V | на замовлення 1535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1G180MNTB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 1322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1G180MNTB | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 57A; Idm: 72A; 30W; HSOP8 Mounting: SMD Case: HSOP8 Kind of package: reel; tape On-state resistance: 9.2mΩ Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 30W Gate charge: 19.5nC Polarisation: unipolar Drain current: 57A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1G180MNTB | ROHM Semiconductor | MOSFETs Trans MOSFET N-CH 40V 18A | на замовлення 1352 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1G180MNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-HSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1G180MNTB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1G201ATTB1 | ROHM | Description: ROHM - RS1G201ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 78 A, 4200 µohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 40W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: HSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm | на замовлення 6610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1G201ATTB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6890 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1G201ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -78A; Idm: -80A; 40W; HSOP8 Mounting: SMD Case: HSOP8 Kind of package: reel; tape On-state resistance: 6.5mΩ Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 40W Gate charge: 130nC Polarisation: unipolar Drain current: -78A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -40V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1G201ATTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs HSOP8 P-CH 40V 20A | на замовлення 1978 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1G201ATTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 20A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1G201ATTB1 | ROHM | Description: ROHM - RS1G201ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 78 A, 4200 µohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm | на замовлення 6610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1G201ATTB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6890 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1G201ATTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 20A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 3560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1G201ATTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 20A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1G260MNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2988 pF @ 20 V | на замовлення 2288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1G260MNTB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 26A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1G260MNTB | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 104A; 35W; HSOP8 Mounting: SMD Case: HSOP8 Kind of package: reel; tape On-state resistance: 4.4mΩ Pulsed drain current: 104A Power dissipation: 35W Gate charge: 44nC Polarisation: unipolar Drain current: 80A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1G260MNTB | ROHM Semiconductor | MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1G260MNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2988 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1G300GNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1G300GNTB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 2124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1G300GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 120A; 35W; HSOP8 Mounting: SMD Case: HSOP8 Kind of package: reel; tape On-state resistance: 3mΩ Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 35W Gate charge: 56.8nC Polarisation: unipolar Drain current: 80A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1G300GNTB | ROHM Semiconductor | MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1G300GNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V | на замовлення 15526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1G300GNTB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin HSOP EP T/R | на замовлення 2261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1GAF | LUGUANG ELECTRONIC | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; SMA flat; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Case: SMA flat Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GAL | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 400V 1A THIN SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Thin SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GAL | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; thinSMA; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Reverse recovery time: 150ns Semiconductor structure: single diode Case: thinSMA Max. forward voltage: 1.3V Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GAL | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 400V 1A THIN SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Thin SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 14000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GAL | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 1A, 400V, Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 28000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GAL M2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 1A, 400V, Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 28000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GAL M3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 1A, 400V, Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 14000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GAL M3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 150NS, 1A, 400V, FAST RECOVERY R | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GAL M3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 150NS, 1A, 400V, FAST RECOVERY R | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GALH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 400V 1A THIN SMA Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Thin SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1GALH | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; thinSMA; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Reverse recovery time: 150ns Semiconductor structure: single diode Case: thinSMA Max. forward voltage: 1.3V Kind of package: reel; tape Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GALH | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 400V 1A 2-Pin Thin SMA T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 28000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GALH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 400V 1A THIN SMA Qualification: AEC-Q101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Grade: Automotive Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Thin SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 26998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1GALH | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 1A, 400V, Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GALH M2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 1A, 400V, Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 28000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GB | LUGUANG ELECTRONIC | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; SMB; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Case: SMB Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GB-13 | Diodes Incorporated | Description: DIODE STANDARD 400V 1A SMB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SMB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GB-13-F | Diodes Zetex | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SMB T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1GB-13-F | Diodes Zetex | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SMB T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1GB-13-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - RS1GB-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 150ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GB-13-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; SMB; Ufmax: 1.3V; reel,tape Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Reverse recovery time: 150ns Semiconductor structure: single diode Case: SMB Max. forward voltage: 1.3V Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GB-13-F | Diodes Incorporated | Description: DIODE STANDARD 400V 1A SMB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SMB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 130774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1GB-13-F | Diodes Zetex | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SMB T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1GB-13-F | Diodes Zetex | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SMB T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1GB-13-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - RS1GB-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 150ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GB-13-F | Diodes Incorporated | Description: DIODE STANDARD 400V 1A SMB Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Supplier Device Package: SMB Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AA, SMB Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1GB-13-F | Diodes Zetex | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SMB T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1GB-13-F | Diodes Incorporated | Rectifiers 1.0A 400V | на замовлення 6519 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GB-13-G | Diodes Incorporated | Description: DIODE GENERAL PURPOSE SMB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GF SMAF | KINGTRONICS | 1A; 400V; packaging: tape&reel RS1G SMAF KINGTRONICS rectifier diode DP RS1G Kt кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 1030 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1GF-T | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 400V 1A SMAF Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: SMAF Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 7480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1GF-T | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 1A, 400V, Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GF-T | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 400V 1A SMAF Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: SMAF Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GF-T M2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 1A, 400V, Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GFA | onsemi | Description: DIODE STD 400V 800MA SOD123FA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: SOD-123FA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1GFA | ON Semiconductor | Diode Switching 400V 0.8A 2-Pin SOD-123FL T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1GFA | onsemi | Rectifiers 400V 0.8A Fast Rectifier | на замовлення 19905 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GFA | onsemi | Description: DIODE STD 400V 800MA SOD123FA Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Average Rectified (Io): 800mA Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-123W Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: SOD-123FA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GFA | ON Semiconductor | Diode Switching 400V 0.8A 2-Pin SOD-123FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GFA | ONSEMI | Description: ONSEMI - RS1GFA - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 800 mA, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 A SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GFA | ONSEMI | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 0.8A; 250ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 0.8A Reverse recovery time: 250ns Semiconductor structure: single diode Case: SOD123F Max. forward voltage: 1.3V Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GFL | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 1A, 400V, Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GFL | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 400V 1A SOD123F Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: SOD-123F Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-123F Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 9970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1GFL | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 400V 1A SOD123F Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: SOD-123F Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-123F Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GFL RVG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns 1A 400V Fast R ecovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GFS | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 400V 1A SOD128 Package / Case: SOD-128 Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: SOD-128 Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1GFS | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; SOD128; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Reverse recovery time: 150ns Semiconductor structure: single diode Case: SOD128 Max. forward voltage: 1.3V Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GFS | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 1A, 400V, Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 28000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GFS | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 400V 1A SOD128 Package / Case: SOD-128 Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: SOD-128 Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount | на замовлення 27938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1GFS MWG | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SOD-128 T/R | на замовлення 27901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1GFS MWG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 1A, 400V, Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 14000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GFS MWG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 400V 1A SOD128 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-128 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-128 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 14000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GFS MWG | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SOD-128 T/R | на замовлення 27901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1GFS MWG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 400V 1A SOD128 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: SOD-128 Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-128 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1GFS MXG | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SOD-128 T/R | на замовлення 27980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1GFS MXG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 1A, 400V, Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 28000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GFS MXG | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SOD-128 T/R | на замовлення 27980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1GFSH | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; SOD128; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Reverse recovery time: 150ns Semiconductor structure: single diode Case: SOD128 Max. forward voltage: 1.3V Kind of package: reel; tape Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GFSH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 400V 1A SOD128 Qualification: AEC-Q101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Grade: Automotive Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: SOD-128 Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-128 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1GFSH | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 1A, 400V, Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 28000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GFSH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 400V 1A SOD128 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: SOD-128 Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-128 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1GFSHMWG | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SOD-128 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 27975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GFSHMWG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 400V 1A SOD128 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-128 Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: SOD-128 Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 14000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GFSHMWG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 1A, 400V, Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 14000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GFSHMXG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE, FAST, 1A, 400V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 28000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GFSHMXG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 1A, 400V, Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 28000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GFSHMXG | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SOD-128 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1GFSHMXG | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 400V 1A 2-Pin SOD-128 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| RS1GH | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 1A, 400V, Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RS1GH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AC, SMA Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Grade: Automotive Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|