Продукція > RS1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RS1G-13-FDiodes ZetexDiode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 785000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6073+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 6073 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-13-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - RS1G-13-F - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-13-FDiodes IncorporatedDescription: DIODE STANDARD 400V 1A SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 39626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
17+17.89 грн
25+14.82 грн
50+12.08 грн
100+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-13-FDiodes ZetexDiode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-13-FDiodes ZetexDiode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+3.97 грн
15000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-6600
на замовлення 6700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-AU_R1_000A1PanjitRectifiers PJ/RS1G/TR/7"/HF/1.8K/SMA/FR/SMD/RSM-10AH/RSM10-QI02/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-E3Vishay SemiconductorsRectifiers 1A,400V,150NS,GPP, SM FS. RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-E3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 14980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
17+18.42 грн
50+13.30 грн
100+10.90 грн
500+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-E3/5ATVISHAYCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 5µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-E3/5ATVishayDiode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.06 грн
35+21.78 грн
40+18.99 грн
100+13.76 грн
250+12.61 грн
500+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-E3/5ATVishayDiode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-E3/5ATVishay SemiconductorsRectifiers 400 Volt 1.0A 150ns 30 Amp IFSM
на замовлення 11941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-E3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-E3/5ATVishayDiode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-E3/5ATVishayDiode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-E3/5ATVishayDiode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-E3/61TVISHAYDescription: VISHAY - RS1G-E3/61T - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-E3/61TVishayDiode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 28800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+10.32 грн
5400+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-E3/61TVishayDiode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 4722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+16.35 грн
73+10.34 грн
80+9.45 грн
100+7.56 грн
250+6.87 грн
500+4.92 грн
1000+2.86 грн
3000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 10175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
17+18.42 грн
50+13.30 грн
100+10.90 грн
500+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-E3/61TVishayDiode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 4722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1806+7.84 грн
1839+7.69 грн
2464+5.74 грн
4238+3.22 грн
4703+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 1806 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-E3/61TVISHAYDescription: VISHAY - RS1G-E3/61T - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-E3/61TVishayDiode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 28800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2030+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 2030 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-E3/61TVishayFast Recov. SMD 1A,400V, 150NS Діоди та діодні збірки
на замовлення 1 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
1+780.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+7.29 грн
5400+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-E3/61TVISHAYCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Capacitance: 7pF
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Manufacturer standard package: 1800pcs.
на замовлення 1817 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.58 грн
26+16.61 грн
30+14.42 грн
100+8.62 грн
500+6.24 грн
1000+5.56 грн
1800+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-E3/61TVishayDiode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-E3/61TVishayDiode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 1817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
905+15.64 грн
1250+11.31 грн
1402+10.09 грн
1800+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 905 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-E3/61T
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-E3/61TVishay SemiconductorsRectifiers 1.0 Amp 400V 150ns
на замовлення 12205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-E3/61T.VISHAYDescription: VISHAY - RS1G-E3/61T. - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: 150
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: RS1G
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-E3C/HVishay General SemiconductorRectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-E3\5ATVishayRectifiers 1A, 400V, 150NS, SMA, GPP, SM FS. RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-E3\61TVishay SemiconductorsRectifiers 1A, 400V, 150NS, SMA, GPP, SM FS. RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-HFComchip TechnologySMD Fast Recovery Rectifier
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-HFComchip TechnologyRectifiers RECTIFIER FAST RECOVERY 400V 1A SMA
на замовлення 3555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-HFComchip TechnologyDescription: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
21+14.57 грн
50+10.48 грн
100+8.57 грн
500+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-HFComchip TechnologySMD Fast Recovery Rectifier
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-HFComchip TechnologyDescription: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-LF/RG.55AVISHAY
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-M3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 22500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-M3/5ATVishay SemiconductorsRectifiers 1A,400V,SMRECTIFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 22500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-M3/61TVishay SemiconductorsRectifiers 1A,400V,SMRECTIFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 19800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-M3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 19800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-M3\5ATVishayRectifiers 1A, 400V, 150NS, SMA, GPP, SM FS. RECT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 22500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-M3\61TVishayRectifiers 1A, 400V, 150NS, SMA, GPP, SM FS. RECT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 19800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-R1-00001PanjitPanjit SMA/FR/SMD/RSM-10AH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-TTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-T
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-TTaiwan SemiconductorDiode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-TTaiwan SemiconductorRectifiers 150ns, 1A, 400V, Fast Recovery Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-T M2GTaiwan SemiconductorRectifiers 150ns 1A 400V Fast R ecovery Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-T R2GTaiwan SemiconductorRectifiers 150ns, 1A, 400V, Fast Recovery Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-T R2GTaiwan SemiconductorDiode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-T R3GTaiwan SemiconductorDiode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G-T R3GTaiwan SemiconductorRectifiers 150ns 1A 400V Fast R ecovery Rectifier
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G/1Vishay SemiconductorsRectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G/1Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTBROHMDescription: ROHM - RS1G120MNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0162 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
453+31.26 грн
472+30.00 грн
500+28.92 грн
1000+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTBROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 34A; Idm: 48A; 25W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 20.7mΩ
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 25W
Gate charge: 9.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 34A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
на замовлення 23168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
10+37.14 грн
50+27.25 грн
100+22.56 грн
500+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.35 грн
100+29.62 грн
500+23.19 грн
1000+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTBROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTBROHMDescription: ROHM - RS1G120MNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0162 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
326+43.42 грн
477+29.67 грн
610+23.22 грн
1000+16.58 грн
Мінімальне замовлення: 326 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.18 грн
7500+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G14XF5Runic TechnologyDescription: IC INVERT SCHMITT 1CH 1INP SOT23
Features: Schmitt Trigger Input, Open Drain
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: SOT-23-5
Input Logic Level - High: 1.05V ~ 3.4V
Input Logic Level - Low: 0.6V ~ 1.15V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 2.7ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.95 грн
10+35.25 грн
25+31.70 грн
100+26.08 грн
250+24.33 грн
500+23.27 грн
1000+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G14XF5Runic TechnologyDescription: IC INVERT SCHMITT 1CH 1INP SOT23
Features: Schmitt Trigger Input, Open Drain
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: SOT-23-5
Input Logic Level - High: 1.05V ~ 3.4V
Input Logic Level - Low: 0.6V ~ 1.15V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 2.7ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.60 грн
6000+22.17 грн
9000+21.89 грн
15000+20.25 грн
21000+20.08 грн
30000+19.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G150MNTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G150MNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.37 грн
5000+26.22 грн
7500+25.18 грн
12500+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G150MNTBROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 4502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G150MNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 15557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.73 грн
10+66.50 грн
100+44.25 грн
500+32.56 грн
1000+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G150MNTBROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; Idm: 60A; 25W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 13.3mΩ
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 25W
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 43A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G180MNTBROHM SemiconductorMOSFETs Trans MOSFET N-CH 40V 18A
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G180MNTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+121.01 грн
166+85.43 грн
201+70.39 грн
500+57.07 грн
1000+44.13 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G180MNTBROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 57A; Idm: 72A; 30W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 9.2mΩ
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 30W
Gate charge: 19.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 57A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G180MNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 20 V
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.57 грн
10+90.20 грн
100+61.14 грн
500+45.70 грн
1000+43.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G180MNTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G180MNTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+120.80 грн
10+85.28 грн
100+70.27 грн
500+56.97 грн
1000+44.06 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G180MNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G201ATTB1ROHMDescription: ROHM - RS1G201ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 78 A, 4200 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 6610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G201ATTB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -78A; Idm: -80A; 40W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 6.5mΩ
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 40W
Gate charge: 130nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -78A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -40V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G201ATTB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6890 pF @ 20 V
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.74 грн
10+160.54 грн
50+123.85 грн
100+105.14 грн
500+85.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G201ATTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 20A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+229.53 грн
100+160.21 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G201ATTB1ROHMDescription: ROHM - RS1G201ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 78 A, 4200 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 6610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G201ATTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 20A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+290.92 грн
10+207.02 грн
100+153.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G201ATTB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6890 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G201ATTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 20A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+291.42 грн
69+207.38 грн
100+153.86 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G260MNTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 26A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+77.75 грн
250+74.64 грн
500+71.94 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G260MNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2988 pF @ 20 V
на замовлення 2288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.55 грн
10+116.09 грн
100+79.77 грн
500+61.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G260MNTBROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G260MNTBROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 104A; 35W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 4.4mΩ
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 35W
Gate charge: 44nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 80A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G260MNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2988 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G300GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.83 грн
7500+56.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G300GNTBROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G300GNTBROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 120A; 35W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 3mΩ
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 35W
Gate charge: 56.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 80A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G300GNTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+96.87 грн
153+92.54 грн
250+88.82 грн
500+82.56 грн
1000+73.95 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.