Продукція > STD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 40 45 50 53  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STD30PF03L-1STMicroelectronicsMOSFET P-Ch 30 Volt 24 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD30PF03L-1STTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD30PF03L-T4
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD30PF03LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 24A DPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD30PF03LT4STMicroelectronicsMOSFETs P-Ch 30 Volt 24 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD30PF06-TR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3155L104T4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD32EATON BUSSMANNDescription: EATON BUSSMANN - STD32 - HH-Sicherung, STD Series, 32 A, Schrauböse, 240 V
tariffCode: 85361090
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Nennspannung V AC: 240V
Nennspannung, V DC: -
Sicherungsstrom: 32A
euEccn: NLR
Bauform - HH-Sicherung: Schrauböse
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: STD Series
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+319.45 грн
5+285.31 грн
10+261.74 грн
20+238.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD32EatonDescription: FUSE CRTRDGE 32A 240VAC CYLINDR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD32D32
на замовлення 7757 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD34-07.2----клавиатура мембранная Клемники
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD34-07.2LC ELEKTRONIKCategory: Membrane Keypads
Description: Keypad: membrane; No.of butt: 12; W: 52mm; Pitch: 2.54mm; L: 116mm
Type of keypad: membrane
Number of buttons: 12
Width: 52mm
Terminal pitch: 2.54mm
Leads: flexible tape
Length: 116mm
Kit contents: connector 7pin in the set
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+850.78 грн
3+737.17 грн
10+684.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STD34-07.2
Код товару: 45723
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD340BLKVCCLED Mounting Hardware .2" DIA X .34" BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD340WHTVCCLED Mounting Hardware
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3525NLST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3525NLSST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD35N3LH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD35N3LH5
на замовлення 27600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD35N3LH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35N3LH5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30V 14m 35A 16mOhm STripFET V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD35N3LH5 1 pcs.
Код товару: 117046
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD35N3LL
на замовлення 27600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06LST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06LUMWDescription: TO-252 MOSFETS ROHS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.33 грн
10+60.46 грн
25+51.02 грн
100+37.76 грн
250+32.82 грн
500+29.80 грн
1000+26.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06LUMWDescription: TO-252 MOSFETS ROHS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06LUMWTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 35A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: STD35NF06LT4; STD35NF06L UMW TSTD35nf06lt4 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.08 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06L-T4
на замовлення 58700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+124.75 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06LT4STMDPAK, N-Channel MOSFET, Vds=60V, Id=35A,–55...+175 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06LT4
Код товару: 41124
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06LT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 35 Amp
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.74 грн
5000+52.56 грн
10000+52.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06LT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD35NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17.5 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 23652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.94 грн
50+103.23 грн
100+69.74 грн
500+48.91 грн
1000+41.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06LT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 35A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+132.76 грн
5+98.12 грн
10+86.38 грн
25+72.12 грн
50+62.90 грн
100+55.35 грн
500+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 37367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.57 грн
10+90.05 грн
100+60.87 грн
500+45.40 грн
1000+41.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.25 грн
5000+53.06 грн
10000+52.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06LT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD35NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17.5 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.81 грн
500+44.83 грн
1000+38.53 грн
5000+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.56 грн
5000+37.33 грн
7500+35.97 грн
12500+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.74 грн
10+85.37 грн
100+57.70 грн
500+43.06 грн
1000+40.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 35 Amp
на замовлення 5545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF06T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24.5A; 80W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24.5A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF3-1
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF3LLST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF3LL-1ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF3LLT4STSMD
на замовлення 181000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF3LLT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD35NF3LLT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.14 грн
10+47.40 грн
100+41.17 грн
500+36.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35P6LLF6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.79 грн
5000+51.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35P6LLF6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35P6LLF6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
285+49.79 грн
309+45.82 грн
315+44.98 грн
1000+41.46 грн
Мінімальне замовлення: 285 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35P6LLF6STMicroelectronicsMOSFETs P-channel 60 V, 0.025 Ohm typ., 35 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 10678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD35P6LLF6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD35P6LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.57 грн
10+104.04 грн
100+70.23 грн
500+51.78 грн
1000+44.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35P6LLF6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 25 V
на замовлення 4053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.57 грн
10+89.97 грн
100+60.83 грн
500+45.39 грн
1000+41.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35P6LLF6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD35P6LLF6STTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 36mOhm; 35A; 70W; -55°C ~ 175°C; STD35P6LLF6 TSTD35p6llf6
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+50.78 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD35P6LLF6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.79 грн
5000+51.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD361ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD36NH02LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 24V 30A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD36NH02LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 24V 30A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD36NH02LST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD36NH02LT4
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD36P4LLF6STMicroelectronicsMOSFETs P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ 36 A STripFET F6
на замовлення 3320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD36P4LLF6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD36P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 36 A, 0.0175 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
на замовлення 10718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.38 грн
10+105.67 грн
100+65.35 грн
500+46.49 грн
1000+39.85 грн
5000+36.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD36P4LLF6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 40V 36A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.50 грн
5000+29.99 грн
7500+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD36P4LLF6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD36P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 36 A, 0.0175 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0175ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
на замовлення 10718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.35 грн
500+46.49 грн
1000+39.85 грн
5000+36.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD36P4LLF6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 40V 36A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
на замовлення 8129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.28 грн
10+74.42 грн
100+49.86 грн
500+36.90 грн
1000+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD37P3H6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 49A DPAK
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD37P3H6AGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade P-channel -30 V, 11 mOhm typ., -49 A STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD38NF03
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD38NF03LST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD38NF03LT4
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD38NH02
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD38NH02LST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD38NH02L-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 24V 38A IPAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD38NH02LT
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD38NH02LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 24V 38A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 19A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD38NH02LT4STTO252
на замовлення 3816 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD38NH02LT4
Код товару: 100781
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD38NH02LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 24V 38A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD38NH02LT4-ESTM
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3LN62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.5A DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3LN62K3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 620V 2.5 Ohm SuperMESH3 3 Ohm RDS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3LN62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.5A DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Vgs (Max): ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 102 pF @ 100 V
на замовлення 3774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.33 грн
10+67.33 грн
100+49.00 грн
500+37.48 грн
1000+34.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 102 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3LN80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 4213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N25ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N30ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N30LSTTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N40K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 400V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N40K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 400V 2.7 Ohm 2A SuperMESH3
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 40 45 50 53  [ Наступна Сторінка >> ]