Продукція > IRL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRLR2905TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.25 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 42A TO-252AA (DPAK) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 9720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF
Код товару: 181683
1 Додати до обраних Обраний товар
КитайТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 35 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,025 Ом
Монтаж: SMD
у наявності: 2036 шт
  • 2006 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+119.36 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.10 грн
6000+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
362+39.25 грн
Мінімальне замовлення: 362 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+102.02 грн
6+76.28 грн
10+66.31 грн
50+45.87 грн
100+39.30 грн
500+29.25 грн
1000+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 42 A, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 48 @ 5 В, Rds = 27 мОм @ 25 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
2000+32.01 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZHXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905Z; IRLR2905ZTRL; IRLR2905ZTR; SP001577010; SP001568548; SP001574018; IRLR2905Z HXY MOSFET TIRLR2905z HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.21 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905Z
Код товару: 4031
1 Додати до обраних Обраний товар
InfineonТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 42 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 13,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1570/23
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 350 шт
  • 330 шт - склад
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 100 шт
  • 100 шт - очікується
1+46.50 грн
10+37.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZHXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905Z; IRLR2905ZTRL; IRLR2905ZTR; SP001577010; SP001568548; SP001574018; IRLR2905Z HXY MOSFET TIRLR2905z HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.21 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905Z Китай
Код товару: 211511
Додати до обраних Обраний товар
КитайТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 42 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 13,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1570/23
Монтаж: SMD
у наявності: 10 шт
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRInfineonN-MOSFET HEXFET 55V 42A 110W 0.0135Ω IRLR2905Z TIRLR2905z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 124 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRInfineonIRLR2905ZTRPBF MOSFET N-CH 55V 43A DPAK Транзистори
на замовлення 5 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
5+156.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRInfineonN-MOSFET HEXFET 55V 42A 110W 0.0135Ω IRLR2905Z TIRLR2905z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRInternational RectifierIRLR2905ZTRPBF MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
709+50.05 грн
1000+46.16 грн
10000+41.15 грн
100000+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 709 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRLPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLR2905ZTRLPBF - IRLR2905 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 720 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRLPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
225+97.18 грн
Мінімальне замовлення: 225 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 328100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
709+50.05 грн
1000+46.16 грн
10000+41.15 грн
100000+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 709 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+38.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+37.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.04 грн
10+76.36 грн
50+57.35 грн
100+48.07 грн
500+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
на замовлення 16077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.07 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
560+63.32 грн
1000+58.39 грн
Мінімальне замовлення: 560 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+116.34 грн
6+75.29 грн
10+65.48 грн
50+48.28 грн
100+42.71 грн
500+32.91 грн
1000+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
на замовлення 4456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+38.44 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF
Код товару: 216860
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+37.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.37 грн
13+58.73 грн
25+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
на замовлення 4456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+120.07 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
560+63.32 грн
Мінімальне замовлення: 560 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908
Код товару: 181913
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908PBFD-PAK Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908PBF
Код товару: 20922
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 30 А, Ptot, Вт = 120, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1890 @ 25, Qg, нКл = 33 @ 4,5 В, Rds = 28 мОм @ 23 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 28mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908PBF(транзистор)
Код товару: 67581
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRVBsemiTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 0,035Ohm; 40A; 3,75W; -55°C~175°C; Substitute: IRLR2908TRL-VG; IRLR2908TR; IRLR2908TR-VB; IRLR2908TR TIRLR2908TR VBS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.18 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRInternational RectifierN-MOSFET 80V 30A IRLR2908 TIRLR2908
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TR-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 50A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR2908; IRLR2908TR; SP001567410; SP001553170 IRLR2908TR-ML MOSLEADER TIRLR2908 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.49 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TR-TPTECH PUBLICTransistor N-MOSFET; 100V; 20V; 24mOhm; 31A; 53,5W; -55°C~175°C; Substitute: IRLR2908TR-TP; IRLR2908TR-VB; IRLR2908 TIRLR2908 c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+35.77 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2908TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 39 A, 0.0225 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 39
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 120
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0225
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRLPBFInfineonMOSFET N-CH 80V 30A DPAK Діоди та діодні збірки
на замовлення 3 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
3+260.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.49 грн
10+79.74 грн
25+78.95 грн
100+60.00 грн
250+55.00 грн
500+49.15 грн
1000+37.45 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 80V 39A 28mOhm 22nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2908TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 39 A, 0.0225 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 39
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 120
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0225
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRLPBF
Код товару: 139351
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRLPBF-INFInfineon TechnologiesDescription: IRLR2908 - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 39A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 39A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 28mOhms 22nC
на замовлення 23563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
на замовлення 11512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.03 грн
10+80.92 грн
50+60.91 грн
100+51.09 грн
500+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 120W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF
Код товару: 211866
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-252/D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 80 В
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+37.77 грн
6000+32.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+193.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 120W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBFInfineonMOSFET N-CH 80V 30A DPAK Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+158.06 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103IRTO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103PBF
Код товару: 85570
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-252/D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 55 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,019 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1600/50
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+24.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 19mOhms 33.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRIRTO-252
на замовлення 1046700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRBFIRDPAK 0831+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 46A 19mOhm 33.3nC LogLvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3103TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.019 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 107
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3103TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.019 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 55
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 107
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 30V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
590+60.16 грн
Мінімальне замовлення: 590 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 19mOhms 33.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 46A; 69W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.