Продукція > IRL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 40 44 48  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRLR2905PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 42A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905PBF
Код товару: 102405
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-252/D-Pak
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 42 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1700/48
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+16.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 42 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 48 @ 5 В, Rds = 27 мОм @ 25 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRUMWTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 55W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905 UMW TIRLR2905 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRUMWDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRInfineonN-MOSFET 42A 55V 110W 0.027Ω IRLR2905 smd TIRLR2905
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 536 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRUMWTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 55W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905 UMW TIRLR2905 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRJSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 17mOhm; 50A; 89W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905TR JSMICRO TIRLR2905 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TR-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905TR-ML MOSLEADER TIRLR2905 MOS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 36A 27mOhm 32nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
423+83.76 грн
500+75.38 грн
1000+69.52 грн
10000+59.76 грн
Мінімальне замовлення: 423 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
423+83.76 грн
500+75.38 грн
1000+69.52 грн
10000+59.76 грн
Мінімальне замовлення: 423 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.83 грн
50+49.99 грн
100+49.01 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
423+83.76 грн
500+75.38 грн
Мінімальне замовлення: 423 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
362+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 362 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF
Код товару: 86018
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 42 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1700/48
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 1143 шт
  • 886 шт - склад
  • 122 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 70 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 65 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+24.50 грн
10+21.80 грн
100+19.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+130.40 грн
10+80.05 грн
100+61.17 грн
500+50.29 грн
1000+44.40 грн
2000+35.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.04 грн
4000+42.46 грн
6000+42.03 грн
10000+40.13 грн
14000+37.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 8515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.28 грн
500+50.12 грн
1000+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 42A TO-252AA (DPAK) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+130.40 грн
177+80.05 грн
232+61.17 грн
500+50.29 грн
1000+44.40 грн
2000+35.42 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.93 грн
10+49.90 грн
20+46.88 грн
40+44.03 грн
50+43.27 грн
100+40.84 грн
200+38.49 грн
500+35.73 грн
1000+33.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 8515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.87 грн
50+86.97 грн
100+68.28 грн
500+50.12 грн
1000+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF
Код товару: 181683
1 Додати до обраних Обраний товар
КитайТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Idd, A: 35 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 2036 шт
  • 2021 шт - склад
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
на замовлення 10583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
496+71.42 грн
551+64.29 грн
1000+59.29 грн
Мінімальне замовлення: 496 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 42 A, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 48 @ 5 В, Rds = 27 мОм @ 25 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+43.94 грн
4000+42.36 грн
6000+41.93 грн
10000+40.04 грн
14000+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZHXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905Z; IRLR2905ZTRL; IRLR2905ZTR; SP001577010; SP001568548; SP001574018; IRLR2905Z HXY MOSFET TIRLR2905z HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905Z
Код товару: 4031
1 Додати до обраних Обраний товар
InfineonТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 42 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1570/23
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 527 шт
  • 516 шт - склад
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+46.50 грн
10+37.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZHXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905Z; IRLR2905ZTRL; IRLR2905ZTR; SP001577010; SP001568548; SP001574018; IRLR2905Z HXY MOSFET TIRLR2905z HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905Z Китай
Код товару: 211511
Додати до обраних Обраний товар
КитайТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 42 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1570/23
Монтаж: SMD
у наявності: 490 шт
  • 470 шт - склад
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRInfineonN-MOSFET HEXFET 55V 42A 110W 0.0135Ω IRLR2905Z TIRLR2905z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 134 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+46.53 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRInfineonN-MOSFET HEXFET 55V 42A 110W 0.0135Ω IRLR2905Z TIRLR2905z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+46.53 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
709+49.94 грн
1000+46.06 грн
10000+41.06 грн
100000+33.18 грн
Мінімальне замовлення: 709 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRLPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
225+89.31 грн
Мінімальне замовлення: 225 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 328900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
709+49.94 грн
1000+46.06 грн
10000+41.06 грн
100000+33.18 грн
Мінімальне замовлення: 709 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRLPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLR2905ZTRLPBF - IRLR2905 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
720+33.16 грн
Мінімальне замовлення: 720 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.05 грн
4000+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
743+47.65 грн
1000+43.94 грн
Мінімальне замовлення: 743 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+98.44 грн
6+75.98 грн
10+66.42 грн
50+45.79 грн
100+39.25 грн
500+29.18 грн
1000+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.36 грн
10+84.61 грн
100+59.40 грн
500+46.00 грн
1000+37.62 грн
2000+28.92 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
на замовлення 4621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.42 грн
50+70.47 грн
100+55.35 грн
500+40.46 грн
1000+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF
Код товару: 216860
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
на замовлення 5948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.33 грн
10+78.95 грн
100+52.93 грн
500+39.21 грн
1000+35.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 42A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+117.36 грн
168+84.61 грн
239+59.40 грн
500+46.00 грн
1000+37.62 грн
2000+28.92 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.75 грн
4000+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.66 грн
4000+32.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
743+47.65 грн
Мінімальне замовлення: 743 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+36.54 грн
4000+32.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBFInfineonMOSFET N-CH 55V 43A DPAK Транзистори
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
5+62.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.05 грн
4000+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.38 грн
16+50.22 грн
25+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
на замовлення 4621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.35 грн
500+40.46 грн
1000+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
на замовлення 9458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908
Код товару: 181913
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908PBFD-PAK Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 28mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908PBF
Код товару: 20922
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 30 А, Ptot, Вт = 120, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1890 @ 25, Qg, нКл = 33 @ 4,5 В, Rds = 28 мОм @ 23 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908PBF(транзистор)
Код товару: 67581
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRInternational RectifierN-MOSFET 80V 30A IRLR2908 TIRLR2908
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+50.57 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRVBsemiTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 0,035Ohm; 40A; 3,75W; -55°C~175°C; Substitute: IRLR2908TRL-VG; IRLR2908TR; IRLR2908TR-VB; IRLR2908TR TIRLR2908TR VBS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TR-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 50A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR2908; IRLR2908TR; SP001567410; SP001553170 IRLR2908TR-ML MOSLEADER TIRLR2908 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.43 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TR-TPTECH PUBLICTransistor N-MOSFET; 100V; 20V; 24mOhm; 31A; 53,5W; -55°C~175°C; Substitute: IRLR2908TR-TP; IRLR2908TR-VB; IRLR2908 TIRLR2908 c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+35.69 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2908TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 39 A, 0.0225 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 39
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 120
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0225
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 80V 39A 28mOhm 22nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.28 грн
10+79.56 грн
25+78.77 грн
100+59.86 грн
250+54.88 грн
500+49.04 грн
1000+37.36 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2908TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 39 A, 0.0225 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 39
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 120
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0225
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRLPBFInfineonMOSFET N-CH 80V 30A DPAK Діоди та діодні збірки
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
3+120.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRLPBF
Код товару: 139351
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRLPBF-INFInfineon TechnologiesDescription: IRLR2908 - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBFInfineonMOSFET N-CH 80V 30A DPAK Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+59.16 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 120W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.30 грн
500+49.59 грн
1000+41.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF
Код товару: 211866
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-252/D-Pak
Напруга сток-витік Uds, V: 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 40 44 48  [ Наступна Сторінка >> ]