Продукція > STD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STD38NH02LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 24V 38A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD38NH02LT4-ESTM
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3LN62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3LN62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3LN62K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 620V 2.5 Ohm SuperMESH3 3 Ohm RDS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 102 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3LN80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 4213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 102 pF @ 100 V
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.92 грн
10+78.90 грн
50+59.32 грн
100+49.75 грн
500+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N25ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N30ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N30LSTTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N40K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 400V 2.7 Ohm 2A SuperMESH3
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N40K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 400V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+38.09 грн
376+37.71 грн
379+37.45 грн
382+35.86 грн
500+32.97 грн
1000+31.42 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V
на замовлення 3046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.04 грн
10+43.15 грн
100+38.12 грн
500+32.72 грн
1000+30.89 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N62K3STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 2.7A; 45W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+56.38 грн
12+37.64 грн
100+32.16 грн
500+30.00 грн
1000+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N62K3STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.09 грн
25+37.71 грн
100+36.11 грн
250+33.20 грн
500+31.65 грн
1000+31.42 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N65M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N65M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.03 грн
10+81.07 грн
50+61.00 грн
100+51.17 грн
500+40.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD3N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 6828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte
на замовлення 5305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD3N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 6828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N95K5AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD3N95K5AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 4.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.3ohm
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N95K5AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.18 грн
10+111.88 грн
50+85.20 грн
100+71.88 грн
500+57.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N95K5AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 950 V, 4.3 Ohm typ 2 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N95K5AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD3N95K5AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 4.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.3ohm
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N95K5AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 2A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3N95K5AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NA50ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NA50T4STMTO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NB30ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NB30T4STM07+ TO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NB50ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NB50-1
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NB50T4STM07+ TO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NB60T4STM07+ TO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NC50ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NC50T4STTO-252
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NC60ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NC60-1ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NC60T4
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NE06
на замовлення 438 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NE60ZT4
на замовлення 49000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK06FP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.72 грн
10+180.84 грн
25+98.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK100ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+71.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK100ZSTMicroelectronicsMOSFETs Hi Vltg NPN Zener SuperMESH
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 152500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+97.89 грн
5000+95.10 грн
10000+94.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+89.26 грн
5000+86.98 грн
10000+86.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 152500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+97.89 грн
5000+95.10 грн
10000+94.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+218.72 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK100ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V
на замовлення 4023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.44 грн
10+145.01 грн
50+111.37 грн
100+94.36 грн
500+76.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK100ZSTMMOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK100ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD3NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 2.5 A, 6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+88.86 грн
5000+86.57 грн
10000+85.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK50ZST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK50Z-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 2.3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 4312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.66 грн
75+32.18 грн
150+28.63 грн
525+22.13 грн
1050+20.08 грн
2025+18.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK50Z-1STMicroelectronicsMOSFET N-Ch, 500V-3ohms Zener SuperMESH 2.3A
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK50Z-1
Код товару: 211593
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK50Z-1STTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 3,3Ohm; 2,3A; 45W; -55°C ~ 150°C; STD3NK50Z-1 TSTD3NK50z-1
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 2.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.51 грн
10000+44.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK50ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 2.3Amp Zener SuperMESH
на замовлення 7276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 2.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.52 грн
10+69.33 грн
100+49.93 грн
500+37.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK50ZT4
Код товару: 126951
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK50ZT4STMMOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 2.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 2.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.53 грн
10000+44.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 2.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60ZST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60Z-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.06 грн
10+67.76 грн
75+47.36 грн
150+39.76 грн
525+33.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 34675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
411+34.54 грн
429+33.07 грн
500+30.64 грн
1000+26.54 грн
6000+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 411 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60Z-1STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 9.6A
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+106.49 грн
10+52.35 грн
75+37.81 грн
150+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60Z-1STTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK STD3NK60Z-1 TSTD3NK60Z-1
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60Z-1STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD3NK60Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.4 A, 3.3 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 34675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.53 грн
23+34.35 грн
100+32.88 грн
500+29.38 грн
1000+24.43 грн
6000+22.54 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60Z-1STMMOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60Z-1STTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK STD3NK60Z-1 TSTD3NK60Z-1
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60Z-1STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 600V-3.3ohms Zener SuperMESH 2.4A
на замовлення 3916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60Z-1 (IPAK, ST)
Код товару: 114501
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: IPAK
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 2,4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,6 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 311/11,8
Монтаж: THT
товару немає в наявності
2+13.00 грн
10+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60Z1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60Z1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60ZDSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch, 600V-3.3ohms 2.4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60ZDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60ZD
Код товару: 83422
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60ZFPST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60ZT4STMMOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.50 грн
7500+33.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.