Продукція > 2N5

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 29 30 31 32 33 34 35 36  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2N5878 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 80V 10A TO-3
Power - Max: 150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: TO-3
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2.5A, 10A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5879Harris CorporationDescription: TRANS PNP 60V 15A TO-3
Power - Max: 160 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Supplier Device Package: TO-3
Frequency - Transition: 4MHz
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA (ICBO)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+5346.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5879HARRIS2N5879
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+7422.91 грн
100+7051.30 грн
500+6680.86 грн
1000+6083.91 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5879MOT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5879Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5879Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N587AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N588MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5880MOT01+ TO-3
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5880Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5880Microchip TechnologyDescription: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5880Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5880 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 80V 15A PNP
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5880 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 80V 15A 160W TH TRANSISTOR-BIPOL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.75A, 15A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 2A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-3
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 160 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5880 PBFREECentral Semiconductor2N5880 PBFREE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5880 TIN/LEADCentral Semiconductor2N5880 TIN/LEAD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5880 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 15A 160W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5881MOT01+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5881Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 60V 15A
Packaging: Bulk
Transistor Type: NPN
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 160 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5881Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5881Semelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 60V 15A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5882Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5882MOT01+ TO-3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5882Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 15A TO-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Supplier Device Package: TO-3
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 160 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5882Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5883onsemiBipolar Transistors - BJT 25A 60V 200W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5883MOT01+ TO-3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5883Microchip TechnologyDescription: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5883On SemiconductorPNP, Uкэ=60V, Iк=25A, h21=20...100, 200Вт, 4МГц, TO-204 (TO-3) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5883Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5883On SemiconductorТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5883Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5883 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5883 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5883-QR-BSemelab (TT electronics)2N5883-QR-B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5883-QR-BWelwyn Components / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT BIPOLAR POWER TRANSISTOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5883GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5883GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5883G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 25 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-204
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5883GonsemiBipolar Transistors - BJT 25A 60V 200W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5883GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 25A TO204
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+556.28 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5883GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 25A TO204
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5884Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5884ST/ON
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5884EVVODescription: SILICON PNP POWER TRANSISTORS,TO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5884onsemiBipolar Transistors - BJT 25A 80V 200W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5884Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5884Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5884ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5884MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N5884 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Verlustleistung Pd: 200
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5884 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Power SW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5884 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 80V 25A TO-3
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Supplier Device Package: TO-3
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5884 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 25A 200W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5884GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 25A TO204
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5884GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5884GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5884G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 25 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 25A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5884GonsemiBipolar Transistors - BJT 25A 80V 200W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5885Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5885STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5885MOT01+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5885onsemiBipolar Transistors - BJT 25A 60V 200W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5885EVVODescription: SILICON NPN POWER TRANSISTORS,TO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5885Vishay SemiconductorsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5885 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 60V 25A TO-3
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Supplier Device Package: TO-3
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5885 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Power SW
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5885 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 5.0V 200W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5885GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 2572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+418.66 грн
100+397.49 грн
500+376.32 грн
1000+343.60 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5885GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 25A TO204
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Tray
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5885GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5885G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 25 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-204
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5885GON Semiconductor
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5885GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5885GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 25A TO204
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 3092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+311.19 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5885GonsemiBipolar Transistors - BJT 25A 60V 200W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5885GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5886On SemiconductorТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5886ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5886Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+5531.90 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5886EVVODescription: SILICON NPN POWER TRANSISTORS,TO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5886Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5886CDILTranzystor NPN; 100; 200W; 80V; 25A; 4MHz; -65°C ~ 200°C; [Attention: Vcesat 1,4 2N5886 T2N5886
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+177.24 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5886onsemiBipolar Transistors - BJT 25A 80V 200W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5886Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+5531.90 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5886MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N5886 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Verlustleistung Pd: 200
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5886STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Power Switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5886CDILTranzystor NPN; 100; 200W; 80V; 25A; 4MHz; -65°C ~ 200°C; [Attention: Vcesat 1,4 2N5886 T2N5886
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+177.24 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5886Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5886 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 25A 200W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5886 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5886.MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N5886. - TRANSISTOR, NPN TO-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5886GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 4814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+405.72 грн
100+385.73 грн
500+365.74 грн
1000+332.26 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5886GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 25A TO204
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Tray
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5886GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5886G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 25 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 4hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 25A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5886GonsemiBipolar Transistors - BJT 25A 80V 200W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N588AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N589MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N589AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N59CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N590MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5900
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5902N/A
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5903MOTCAN
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 29 30 31 32 33 34 35 36  [ Наступна Сторінка >> ]