Продукція > 2SC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 52 65 78 91 104 117 130 134  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
2SC2712-BL,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-346 (S-Mini)
на замовлення 7483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.15 грн
24+13.42 грн
100+7.32 грн
500+5.38 грн
1000+4.83 грн
3000+4.76 грн
6000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-BL,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC2712-BL,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+20.78 грн
63+12.81 грн
101+8.04 грн
500+5.53 грн
1000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-BL,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC2712-BL,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.81 грн
101+8.04 грн
500+5.53 грн
1000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-BL-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-BL-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 50V 0.15A SOT-23
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-BL-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-BL/LLTOSHIBASOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-F4N/ASOT-23 05+
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GSLKORTransistor NPN; 400; 150mW; 50V; 150mA; 80MHz; -55°C ~ 125°C; Equivalent: 2SC2712-GR,LF; 2SC2712-GR(TE85L,F; 2SC2712-GR(T5L,F,T); 2SC2712GT1G; 2SC2712-GR-TP; 2SC2712-G SLKOR T2SC2712 SLK
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 50V 150MW 150MA NPN SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-G03+
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 50V 150MW 150MA NPN SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+6.99 грн
98+3.07 грн
160+1.87 грн
500+1.26 грн
1000+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GRToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GRTOSHIBASOT23
на замовлення 3030499 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR (TE85L)ToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR (TE85L,F)onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT SOT346S-MINI 50V NPN BIPOLAR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR(LG)
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR(T5L.M)TOSHIBASOT23-LR
на замовлення 5547 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR(T5LOKI)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR(T5LTSTF)TOHSIBA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR(T5RTRKF)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR(TE85L)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR(TE85L)TOSHIBASOT23-LR
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR(TE85L) SOT23-TOSHIBA
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR(TE85L,FToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1946+7.29 грн
2014+7.04 грн
2500+6.83 грн
5000+6.42 грн
10000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 1946 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR(TE85L,FToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR(TE85L,FTOSHIBACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 0.15W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Current gain: 70...700
Mounting: SMD
Frequency: 80MHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 5609 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
90+5.01 грн
130+3.27 грн
250+2.88 грн
1000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR(TE85L,FToshibaBipolar Transistors - BJT 150mA 50V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR(TE85L,FToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR(TE85R)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR(TE85R)TOSHIBASOT23-LR
на замовлення 4084 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR(TE85R,FToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F S-MINI PLN(LF),ACTIVE,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR(TLSPFTToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor Lo Freq 0.15A 50V
на замовлення 13862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.85 грн
39+8.18 грн
100+4.42 грн
500+3.18 грн
1000+2.83 грн
3000+2.14 грн
6000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.37 грн
6000+2.04 грн
9000+1.91 грн
15000+1.66 грн
21000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR,LFToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 24151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.65 грн
42+7.25 грн
100+4.47 грн
500+3.05 грн
1000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR,LF(BToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin S-Mini Automotive AEC-Q101
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1924 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC2712-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+6.44 грн
189+4.27 грн
417+1.93 грн
500+1.57 грн
1000+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC2712-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+1.57 грн
1000+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR,LF(TToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1534+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 1534 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR,LXGF(TToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
26+11.89 грн
100+7.42 грн
500+5.14 грн
1000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
на замовлення 7934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.15 грн
24+13.42 грн
100+7.32 грн
500+5.38 грн
3000+4.90 грн
6000+4.21 грн
9000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR,LXHFToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC2712-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.18 грн
51+16.03 грн
100+10.07 грн
500+6.91 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC2712-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.07 грн
500+6.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 50V 0.15A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GR-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GRLXGF(BToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI 50V .15A NPN EPITAXIAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GRT5L.MSOT23-LGTOSHIBA
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GRT5L.TSOT23-LGTOSHIBA
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GRTE85LFToshibaТранзистор NPN, Ptot, Вт = 150 мВ, Uceo, В = 50, Ic = 150 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 80,... Транзистори Корпус: TO-236MOD Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 2820 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-GRTE85LSOT23-LGTOSHIBA
на замовлення 4134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-LLLTOSHIBA00+ SOT-23
на замовлення 12100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-OTOSHIBA09+
на замовлення 26668 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-O(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC2712-O(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+15.22 грн
89+9.10 грн
143+5.64 грн
500+3.81 грн
1000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-O(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC2712-O(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+15.22 грн
89+9.10 грн
143+5.64 грн
500+3.81 грн
1000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-O-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-O-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 50V 0.15A SOT-23
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-O-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-OTE85LFToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin S-Mini Automotive AEC-Q101
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
834+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-OTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.15A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.37 грн
6000+2.04 грн
9000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-OTE85LFToshibaBipolar Transistors - BJT NPN 0.15A IC 50V Gen Purp Trans
на замовлення 8533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.85 грн
39+8.18 грн
100+4.42 грн
500+3.18 грн
1000+2.83 грн
3000+2.28 грн
6000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-OTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.15A TO-236
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.65 грн
42+7.25 грн
100+4.47 грн
500+3.05 грн
1000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-T(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-YShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 50V 150MW 120@2MA,6V 150MA NPN S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-YToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-Y
Код товару: 214321
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Інші мікросхеми
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-YShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 50V 150MW 120@2MA,6V 150MA NPN S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+6.99 грн
89+3.37 грн
146+2.05 грн
500+1.38 грн
1000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-Y LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT SOT346S-MINI 50V NPN BIPOLAR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-Y(T5LND)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-07)/OBSOLETE(10-10),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-Y(T5R,F,T)ToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F S-MINI PLN(LF),ACTIVE,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-Y(T5R,PP)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-Y(TE85L)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-07)/OBSOLETE(10-10),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-Y(TE85L)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 50684 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-Y(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT 150mA 50V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-Y(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-Y(TE85R,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-Y(TE85R,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F S-MINI PLN,ACTIVE,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-Y,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor Lo Freq 0.15A 50V
на замовлення 43670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+13.13 грн
41+7.78 грн
100+4.21 грн
500+3.11 грн
1000+2.69 грн
3000+2.14 грн
6000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-Y,LFToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.65 грн
44+6.88 грн
100+4.26 грн
500+2.90 грн
1000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-Y,LF(BToshibaBipolar Transistors - BJT
на замовлення 8572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+15.95 грн
36+9.05 грн
100+4.83 грн
500+3.45 грн
1000+3.04 грн
3000+2.62 грн
6000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-Y,LF(BToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4659+3.04 грн
4808+2.95 грн
5000+2.87 грн
10000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 4659 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-Y,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC2712-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 200mW
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.34 грн
139+5.81 грн
500+3.94 грн
1000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-Y,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC2712-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+15.46 грн
87+9.34 грн
139+5.81 грн
500+3.94 грн
1000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-Y,LF(TToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-Y,LXGF(TToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 635 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-Y,LXGF(TToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-Y,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)
на замовлення 6832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.15 грн
24+13.42 грн
100+7.32 грн
500+5.38 грн
1000+4.83 грн
3000+3.93 грн
6000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-Y,LXHFToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 6805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
26+11.89 грн
100+7.42 грн
500+5.14 грн
1000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-Y,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC2712-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.81 грн
101+8.04 грн
500+5.53 грн
1000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 52 65 78 91 104 117 130 134  [ Наступна Сторінка >> ]