Продукція > MMU

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MMUN2231LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5085+2.78 грн
6000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 5085 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 15@5.0MA,10V 200MW 100MA 50V SOT
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.05 грн
103+2.94 грн
168+1.80 грн
500+1.21 грн
1000+1.05 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 15@5.0MA,10V 200MW 100MA 50V SOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232GOODWORKDescription: 50V 100mA 200mW SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1onsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1ON07+;
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+12.00 грн
94+8.11 грн
95+8.02 грн
151+4.83 грн
250+4.43 грн
500+3.06 грн
1000+2.65 грн
3000+2.09 грн
6000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.74 грн
6000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1GOn SemiconductorTRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
на замовлення 19423 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.03 грн
117+3.61 грн
139+3.02 грн
152+2.78 грн
250+2.45 грн
500+2.20 грн
1000+1.96 грн
3000+1.59 грн
6000+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2825+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 2825 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1G
Код товару: 34988
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 50 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 50 В
Струм колектора Ic, А: 0,1 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 30
Примітка: Цифровий транзистор 4,7K + 4,7K
Монтаж: SMD
у наявності: 1431 шт
  • 1110 шт - склад
  • 51 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 80 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 190 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
10+2.00 грн
13+1.60 грн
100+1.20 грн
1000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2232LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 14505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1GON-SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2232LT1G TMMUN2232
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
600+1.08 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 48746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3958+3.57 грн
4574+3.09 грн
5792+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 3958 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.41 грн
55+5.59 грн
100+3.43 грн
500+2.32 грн
1000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+13.20 грн
94+8.11 грн
151+5.01 грн
500+3.48 грн
1000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2232LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 14505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232LT1GON-SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2232LT1G TMMUN2232
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2232T1
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 80@5MA,10V 200MW 100MA 50V SOT-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.83 грн
6000+1.56 грн
9000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 80@5MA,10V 200MW 100MA 50V SOT-2
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.41 грн
55+5.51 грн
100+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233BLT1
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233Lonsemionsemi SS SOT23 BR XSTR NPN 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1ONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2233LT1 - TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
Packaging: Bulk
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7869+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 7869 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1onsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.84 грн
6000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 23960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 67036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1GOn SemiconductorТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4871+2.90 грн
8671+1.63 грн
9000+1.57 грн
27000+1.50 грн
51000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 4871 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.41 грн
55+5.59 грн
100+3.43 грн
500+2.32 грн
1000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 71534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.32 грн
91+4.61 грн
135+3.12 грн
165+2.55 грн
200+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1GON-SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 MMUN2233LT1G ONS TMMUN2233
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1G-GKGOODWORKDescription: 50V 100mA 200mW SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233RLT1
на замовлення 5023 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4567+7.74 грн
10000+6.91 грн
Мінімальне замовлення: 4567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1onsemiDescription: TRANS BRT PNP 50V SOT-23
Packaging: Bulk
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3030+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 3030 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1ONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2234LT1 - TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 52426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14706+0.96 грн
15152+0.93 грн
15626+0.91 грн
16130+0.85 грн
16854+0.75 грн
17442+0.70 грн
30000+0.67 грн
Мінімальне замовлення: 14706 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 22137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
49+6.26 грн
100+3.86 грн
500+2.63 грн
1000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2234LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 25862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18293+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 18293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 25862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
976+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 976 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Base-emitter resistor: 47kΩ
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 22kΩ
Power dissipation: 0.246W
Polarisation: bipolar
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.09 грн
6000+1.79 грн
9000+1.68 грн
15000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2234LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 3410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+12.81 грн
100+7.56 грн
105+7.19 грн
106+6.87 грн
165+4.10 грн
250+3.88 грн
500+2.79 грн
1000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1GOn SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 52426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
279+2.71 грн
474+1.59 грн
523+1.44 грн
770+0.95 грн
785+0.86 грн
809+0.80 грн
1000+0.78 грн
3000+0.75 грн
6000+0.72 грн
Мінімальне замовлення: 279 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2235LT1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2235LT1onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2235LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.74 грн
58+7.30 грн
83+5.10 грн
100+4.34 грн
250+3.51 грн
500+2.99 грн
1000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2235LT1GonsemiDigital Transistors NPN DIGITAL TRANSISTOR (BRT)
на замовлення 33335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2235LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2235LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2235LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 32640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2235LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2235LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+14.42 грн
88+8.65 грн
89+8.56 грн
93+7.89 грн
140+4.82 грн
250+4.49 грн
500+3.32 грн
1000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2235LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2235LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 32640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2235LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2235LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
46+6.57 грн
100+4.06 грн
500+2.76 грн
1000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2235LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2235RLT1
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2236LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
49+6.26 грн
100+3.86 грн
500+2.63 грн
1000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2236LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 82000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2236LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2236LT1GonsemiDigital Transistors NPN DIGITAL TRANSISTOR (BRT)
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2237LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 261000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9458+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 9458 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2237LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20834+2.67 грн
100000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 20834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2237LT1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 15199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2237LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Base-emitter resistor: 22kΩ
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.246W
Polarisation: bipolar
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+29.80 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2237LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2237LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20834+2.67 грн
100000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 20834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2237LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2237LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2238Lonsemi SS SOT23 BR XSTR NPN 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2238LT1ONSOT-23
на замовлення 7740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2238LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2238LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2238LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9091+3.89 грн
10205+3.47 грн
100000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 9091 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2238LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9091+3.89 грн
10205+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 9091 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2238LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Current gain: 160...350
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2238LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9091+3.89 грн
10205+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 9091 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2238LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 14954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
45+6.72 грн
100+4.14 грн
500+2.82 грн
1000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2238LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2238LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2238LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9091+3.89 грн
10205+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 9091 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2238LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1210895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9091+3.89 грн
10205+3.47 грн
100000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 9091 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2238LT1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2238LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2238LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9091+3.89 грн
10205+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 9091 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2238LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.12 грн
6000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2238LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9091+3.89 грн
10205+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 9091 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2238LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.