Продукція > MMU
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMUN2235LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMUN2235LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2235LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 37956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2235LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 23500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2235LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 246 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2235LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2235LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 37956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2235LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMUN2235LT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ | на замовлення 17 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2235LT1G | onsemi | Digital Transistors NPN DIGITAL TRANSISTOR (BRT) | на замовлення 1155 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2235RLT1 | на замовлення 141000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2236LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Resistor - Base (R1): 100 kOhms Power - Max: 246 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2236LT1G | onsemi | Digital Transistors NPN DIGITAL TRANSISTOR (BRT) | на замовлення 13396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2236LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 82000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2236LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Resistor - Base (R1): 100 kOhms Power - Max: 246 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMUN2237LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMUN2237LT1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 15199 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMUN2237LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2237LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2237LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2237LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 261000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2237LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2238LT1 | ON | SOT-23 | на замовлення 7740 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMUN2238LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2238LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1210895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2238LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2238LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2238LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2238LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Resistors Included: R1 Only Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 246 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2238LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2238LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMUN2238LT1G | ON | 07+; | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMUN2238LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2238LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2238LT1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | на замовлення 24203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2238LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2238LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2238LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2238LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Resistors Included: R1 Only Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 246 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 30474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2240L | onsemi | NPN DIGITAL TRANSISTOR (BRT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMUN2240LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Resistors Included: R1 Only Resistor - Base (R1): 47 kOhms Power - Max: 246 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 159044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2240LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2240LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2240LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2240LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2240LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2240LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Resistors Included: R1 Only Resistor - Base (R1): 47 kOhms Power - Max: 246 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2240LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2240LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2240LT1G | onsemi | Digital Transistors NPN DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 14578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2240LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2241LT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2241LT1 - TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 53985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2241LT1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Resistors Included: R1 Only Resistor - Base (R1): 100 kOhms Power - Max: 246 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | на замовлення 53985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2241LT1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMUN2241LT1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2241LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 207000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2241LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2241LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 35818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2241LT1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | на замовлення 22368 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2241LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2241LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2241LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 170900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2241LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Resistors Included: R1 Only Resistor - Base (R1): 100 kOhms Power - Max: 246 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2241LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMUN2241T1 | на замовлення 99000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2369LT1G | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN5111T1G | на замовлення 90000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN5136 | на замовлення 66000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN5137 | на замовлення 93000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN5212T1G | на замовлення 90000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN5214DW1T1G | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN5215DW1T1G | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN5216DW1T1G | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN5230DW1T1G | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN5231DW1T1G | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN5232DW1T1G | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN5233DW1T1G | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN5234DW1T1G | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN5235DW1T1G | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN5236 | на замовлення 75000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN5236DW1T1G | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN5237 | на замовлення 147000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN5237DW1T1G | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUZ5232BPT | на замовлення 26488 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

