Продукція > Jan
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| JANTXV2N3637P | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3637P | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W PinD Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3637UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W 3 Pin CER Small-Signal BJT THT | на замовлення 81 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3637UB | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 175V 1A UB Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Power - Max: 1.5 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| JANTXV2N3637UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W 3 Pin CER Small-Signal BJT THT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3637UB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 175V 1A UB Qualification: MIL-PRF-19500/357 Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Grade: Military Supplier Device Package: UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3700 | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-18-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18-3 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3700 | MICROSEMI | TO18/Low Power NPN Silicon Transistor 2N3700 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3700 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Small-Signal BJT THT | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3700 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-18 Qualification: MIL-PRF-19500/391 Grade: Military Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 262 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N3700/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 255 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3700P | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 113 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3700P | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 113 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3700UB | MICROSEMI | UB/NPN TRANSISTOR 2N3700 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3700UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Round-End Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3700UB | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 1A UB Qualification: MIL-PRF-19500/391 Grade: Military Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Bulk | на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| JANTXV2N3700UB | Semicoa Semiconductors | Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin UB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3700UB | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 4-Pin Case UB Waffle | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3700UB/TR | Microchip Technology | Transistor GP BJT NPN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3700UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Round-End Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3700UB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 1A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/391 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3715 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3715 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 60V 10A TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 2V Supplier Device Package: TO-3 (TO-204AA) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 5 W Qualification: MIL-PRF-19500/408 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3715 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N3716 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 10A TO-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/408 Power - Max: 5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Grade: Military Supplier Device Package: TO-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3716 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N3716P | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 10A 5W NPN Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3716P | Microchip Technology | Description: POWER BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3724 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3724L | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3724UB | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3725 | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3725 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3725A | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3725L | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3725L | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3725UB | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3725UB | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3725UB/TR | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3735 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 104 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3735 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 40V 1.5A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V Supplier Device Package: TO-39 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/395 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3735L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3735L | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 40V 1.5A TO5 Qualification: MIL-PRF-19500/395 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Grade: Military Supplier Device Package: TO-5 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3737 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 40V 1.5A TO46-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3737 | MICROSEMI | TO46/1500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 2N3737 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3737UB | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 40V 1.5A UB Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/395 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3737UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 1.5A 500mW 3-Pin CER Small-Signal BJT SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3737UB/TR | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3739 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 300V 1A TO-66 Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 25mA, 250mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 250mA, 10V Supplier Device Package: TO-66 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 20 W Qualification: MIL-PRF-19500/402 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3740 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N3740 | Microsemi Corporation | Description: TRANS PNP 60V 4A TO-66 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3740 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3740P | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3741 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3741 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 4A TO66 Qualification: MIL-PRF-19500/441 Grade: Military Power - Max: 25 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 125mA, 1A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3741 | на замовлення 28 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N3741U4 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 10UA U4 Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 1.25mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V Supplier Device Package: U4 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 µA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 25 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N3749 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 5A TO111 Qualification: MIL-PRF-19500/315 Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Grade: Military Supplier Device Package: TO-111 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 20µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Stud Mount Package / Case: TO-111-4, Stud Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3763 | Microsemi Corporation | Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3763 | на замовлення 195 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N3763 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3764 | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: TRANS PNP 40V 1.5A TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 31 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N3766 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 60V 4A TO66 Qualification: MIL-PRF-19500/518 Grade: Military Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 1A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Packaging: Bulk Power - Max: 25 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500µA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N3766 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 4A NPN Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3767 | MOTOROLA | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| JANTXV2N3767 | MACOM Technology Solutions | Description: TRANS NPN 80V 4A TO-66 Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V Supplier Device Package: TO-66 Grade: Military Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 25 W Qualification: MIL-PRF-19500/518 | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| JANTXV2N3767 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 4A NPN Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3767P | Microchip Technology | Description: POWER BJT Power - Max: 25 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 1A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3767P | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 4A NPN Pin-D Test Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3771 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 40V 30A TO-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6A, 30A Current - Collector Cutoff (Max): 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 4V Supplier Device Package: TO-3 Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 6 W Qualification: MIL-PRF-19500/518 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3771 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 30A 6W Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3772 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 60V 20A TO-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 4A, 20A Current - Collector Cutoff (Max): 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 4V Supplier Device Package: TO-3 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 6 W Qualification: MIL-PRF-19500/518 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3772 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 20A 6W Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3772 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N3791 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 10A TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 2V Supplier Device Package: TO-3 (TO-204AA) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 5 W Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/379 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3791 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 10A 5W PNP Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3791 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N3792 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 10A TO-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 2V Supplier Device Package: TO-3 Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 5 W Qualification: MIL-PRF-19500/379 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3792 | на замовлення 87 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N3792P | Microchip Technology | Description: POWER BJT Power - Max: 5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 2V Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk Current - Collector Cutoff (Max): 5mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3792P | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 10A 5W PNP PinD Test Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3810 | Microchip Technology | Description: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78 Qualification: MIL-PRF-19500/336 Grade: Military Supplier Device Package: TO-78-6 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Power - Max: 350mW Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: 2 PNP (Dual) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-78-6 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3810 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3810 | MICROSEMI | TO-78PNP DUAL TRANSISTORS кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N3810/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N3810L | Microchip Technology | Description: TRANS 2PNP 60V 0.05A Qualification: MIL-PRF-19500/336 Grade: Military Supplier Device Package: TO-78-6 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Power - Max: 350mW Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: 2 PNP (Dual) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-78-6 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N3810L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N3810L/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N3810U | Microchip Technology | Description: TRANS 2PNP 60V 0.05A Qualification: MIL-PRF-19500/336 Grade: Military Power - Max: 350mW Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: 2 PNP (Dual) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-78-6 Metal Can Packaging: Bulk Supplier Device Package: TO-78-6 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Current - Collector (Ic) (Max): 50mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N3810U | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 50MA 350MW Dual Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| Jantxv2N3810U | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3810U/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 50MA 350MW Dual Small-Signal BJT THT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3810U/TR | Microchip Technology | Description: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-78-6 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-78-6 Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/336 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3811 | Microsemi Corporation | Description: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3811A | MSC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| JANTXV2N3811L | Microsemi Corporation | Description: TRANS 2PNP 60V 0.05A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3811U | Microsemi Corporation | Description: TRANS 2PNP 60V 0.05A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3811U | MICROSEMI | PNP DUAL TRANSISTORS 2N3811 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3838 | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR Transistor Type: NPN, PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-FlatPack Packaging: Bulk Part Status: Active Supplier Device Package: 6-FlatPack DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Power - Max: 350mW Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N3866 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |