Продукція > IRL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRLR3303HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3303PBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 31mOhms 17.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3303PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3303TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3303TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3303TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3303TRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3303TRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 33A 31mOhm 17.3nC LogLvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3303TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3303TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3303TRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 31mOhms 17.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3303TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3303TRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3303TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3303TRRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410International RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410
Код товару: 30761
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,105 Ом
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+23.50 грн
10+19.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410International RectifierTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.33 грн
25+165.38 грн
100+94.50 грн
500+80.19 грн
1000+59.06 грн
2500+55.08 грн
5000+52.65 грн
10000+51.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410CPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 17A TO-252AA (DPAK) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ptot, Вт = 79, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 800 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 5 В, Rds = 105 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
75+37.35 грн
150+32.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410PBF
Код товару: 105980
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-252/D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,105 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 800/34
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 48 шт
  • 6 шт - склад
  • 24 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+27.00 грн
10+24.30 грн
100+21.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410PBF-INFInfineon TechnologiesDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 155mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410 TIRLR3410
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRJGSEMITransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 140mOhm; 10A; 5W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410TR JGSEMI TIRLR3410 JGS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRHXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 130mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410TR HXY MOSFET TIRLR3410 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.38 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRJSMSEMITransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 20A; 42W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410TR JSMICRO TIRLR3410 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TR-CNCHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 80mOhm; 20A; 41,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410TR-CN CHIPNOBO TIRLR3410 CNB
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TR-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410TR-ML MOSLEADER TIRLR3410 MOS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.65 грн
9000+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+102.26 грн
203+69.88 грн
264+53.86 грн
293+46.67 грн
500+34.34 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1097+32.33 грн
Мінімальне замовлення: 1097 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 60A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
On-state resistance: 0.105Ω
Gate-source voltage: ±16V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.26 грн
11+69.88 грн
50+53.86 грн
100+46.67 грн
500+34.34 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBFInternational RectifierTO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 33734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.09 грн
10+54.15 грн
50+40.13 грн
100+33.41 грн
500+25.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.51 грн
9000+28.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.42 грн
11+73.43 грн
25+54.93 грн
100+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.57 грн
9000+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv
на замовлення 8474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF (транзистор)
Код товару: 89552
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,105 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 800/34
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
на замовлення: 6 шт
  • 6 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+39.00 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 6803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 338000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
901+39.37 грн
1000+36.30 грн
10000+32.37 грн
100000+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 901 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.06 грн
6000+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 800 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 5 В, Rds = 105 мОм @ 10 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 79, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+23.72 грн
6000+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+30.05 грн
6000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
901+39.37 грн
1000+36.30 грн
10000+32.37 грн
100000+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 901 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInfineonMOSFET N-CH 100V 15A DPAK (аналог 19N10L) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 6803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+108.10 грн
11+73.83 грн
50+56.89 грн
100+49.32 грн
500+35.26 грн
2000+29.36 грн
6000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.06 грн
6000+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC
на замовлення 22072 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+108.10 грн
192+73.83 грн
250+56.89 грн
278+49.32 грн
500+35.26 грн
2000+29.36 грн
6000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
476+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 476 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.98 грн
6000+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 17A TO-252AA (DPAK) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 30381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.54 грн
10+53.62 грн
50+39.82 грн
100+33.18 грн
500+25.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+90.13 грн
165+86.11 грн
250+82.65 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.01 грн
10+43.13 грн
100+32.24 грн
500+28.83 грн
1000+26.26 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
618+57.37 грн
1000+52.92 грн
Мінімальне замовлення: 618 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
618+57.37 грн
1000+52.92 грн
Мінімальне замовлення: 618 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+9.65 грн
80+9.50 грн
81+9.36 грн
83+8.88 грн
100+8.08 грн
250+7.63 грн
500+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3412
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3412PBF
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 17mOhm; 80A; 100W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR3636; IRLR3636TRL; IRLR3636TR; SP001553190; SP001569134; SP001574002; IRLR3636 HXY MOSFET TIRLR3636 HXY
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.12 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636PBF
Код товару: 105188
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-252/D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 50 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,054 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3779/33
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
УКТЗЕД: 8541290010
у наявності: 58 шт
  • 23 шт - склад
  • 24 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+85.00 грн
10+78.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636PbFInfineon TechnologiesMOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms 33nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636PbFInternational Rectifier(MFET,N-CH,60V,50A,DPAK) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636PbFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLR3636PBF - IRLR3636 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRInfineonN-MOSFET 50A 60V 143W 0.068Ω IRLR3636 IRLR3636TR (2000/T&R) IRLR3636TRL (3K/RL) IRLR3636-GURT; PGD06N026M; IRLR3636 IRLR3636-GURT TIRLR3636
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.93 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+61.75 грн
233+60.92 грн
236+60.10 грн
250+57.16 грн
500+52.19 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.89 грн
10+91.99 грн
50+69.54 грн
100+58.46 грн
500+46.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3636TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 99 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+57.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.75 грн
25+60.92 грн
100+57.96 грн
250+52.93 грн
500+50.11 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBFInfineonIRLR3636TRLPBF IRLR3636TRPBF (MFET,N-CH,60V,50A,TO-252AA (DPAK) SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.