Продукція > IRL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 44 48  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRLR3114ZInfineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZIRTO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZInternational RectifierDPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.29 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZPBF
Код товару: 36781
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, V: 40 V
Струм стоку Idd, A: 130 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,0049 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 3810/40
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+27.50 грн
10+24.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.89 грн
11+74.84 грн
25+73.75 грн
50+70.31 грн
100+64.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRInfineonN-MOSFET HEXFET 40V 42A 140W 0.0049Ω IRLR3114Z TIRLR3114z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 188 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTR-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 9mOhm; 120A; 52,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR3114Z; IRLR3114ZTR; SP001568538; SP001569142; IRLR3114ZTR-ML MOSLEADER TIRLR3114z MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 196 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
476+74.43 грн
528+66.98 грн
1000+61.77 грн
Мінімальне замовлення: 476 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.24 грн
50+83.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
на замовлення 14850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.82 грн
10+82.42 грн
100+55.42 грн
500+41.15 грн
1000+37.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+90.36 грн
209+67.79 грн
500+56.31 грн
1000+50.53 грн
2000+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF
Код товару: 122894
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, V: 40 V
Струм стоку Idd, A: 42 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 4,9 mOhm
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 80 шт
  • 30 шт - склад
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+42.00 грн
10+38.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC
на замовлення 5696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.06 грн
4000+49.39 грн
6000+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.06 грн
4000+49.39 грн
6000+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+121.94 грн
250+121.66 грн
500+117.05 грн
1000+108.13 грн
3000+103.57 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+38.41 грн
4000+34.35 грн
6000+33.01 грн
10000+29.56 грн
14000+28.86 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+155.56 грн
10+108.43 грн
100+76.78 грн
500+59.79 грн
1000+51.03 грн
2000+41.44 грн
4000+40.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
476+74.43 грн
528+66.98 грн
1000+61.77 грн
Мінімальне замовлення: 476 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.64 грн
10+90.36 грн
100+67.79 грн
500+54.30 грн
1000+46.78 грн
2000+38.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.78 грн
10+122.49 грн
25+122.22 грн
100+117.58 грн
250+108.63 грн
500+104.05 грн
1000+103.81 грн
3000+103.57 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+51.23 грн
4000+50.61 грн
6000+50.10 грн
10000+47.83 грн
14000+43.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3303IRTO-252
на замовлення 8220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3303HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3303PBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 31mOhms 17.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3303PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3303TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3303TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3303TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3303TRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3303TRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 33A 31mOhm 17.3nC LogLvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3303TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3303TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3303TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3303TRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 31mOhms 17.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3303TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3303TRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3303TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3303TRRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410IR07+ TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410International RectifierTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.92 грн
25+165.01 грн
100+94.29 грн
500+80.01 грн
1000+58.93 грн
2500+54.96 грн
5000+52.53 грн
10000+50.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410International RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410
Код товару: 30761
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Idd, A: 17 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+23.50 грн
10+19.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410 IRLR3410TRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 155mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410 TIRLR3410
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410CPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410PBF
Код товару: 105980
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-252/D-Pak
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Idd, A: 17 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 800/34
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 44 шт
  • 6 шт - склад
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+27.00 грн
10+24.30 грн
100+21.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ptot, Вт = 79, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 800 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 5 В, Rds = 105 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
75+37.35 грн
150+32.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 17A TO-252AA (DPAK) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410PBF-INFInfineon TechnologiesDescription: HEXFET POWER MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRUMWTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 155mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410TR UMW TIRLR3410 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 155mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410 TIRLR3410
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 313 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRHXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 130mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410TR HXY MOSFET TIRLR3410 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRJSMSEMITransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 20A; 42W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410TR JSMICRO TIRLR3410 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 155mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410 TIRLR3410
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRJGSEMITransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 140mOhm; 10A; 5W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410TR JGSEMI TIRLR3410 JGS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.34 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TR-CNCHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 80mOhm; 20A; 41,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410TR-CN CHIPNOBO TIRLR3410 CNB
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TR-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410TR-ML MOSLEADER TIRLR3410 MOS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.46 грн
10+62.95 грн
100+41.70 грн
500+30.61 грн
1000+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+108.24 грн
15+52.82 грн
100+42.36 грн
500+37.58 грн
1000+33.88 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.05 грн
6000+31.97 грн
9000+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.66 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+54.61 грн
262+54.07 грн
330+42.92 грн
333+40.97 грн
500+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+85.90 грн
260+54.41 грн
263+53.84 грн
500+41.19 грн
1000+37.46 грн
Мінімальне замовлення: 165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+108.24 грн
268+52.82 грн
334+42.36 грн
500+37.58 грн
1000+33.88 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
759+46.59 грн
1000+42.96 грн
Мінімальне замовлення: 759 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.93 грн
6000+34.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBFInternational RectifierTO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.35 грн
14+54.61 грн
25+54.07 грн
100+41.39 грн
250+37.93 грн
500+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 60A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
On-state resistance: 0.105Ω
Gate-source voltage: ±16V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF (транзистор)
Код товару: 89552
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Idd, A: 17 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 800/34
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+39.00 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 8943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.37 грн
500+28.23 грн
1000+24.11 грн
5000+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+26.98 грн
4000+26.04 грн
24000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInfineonMOSFET N-CH 100V 15A DPAK (аналог 19N10L) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.55 грн
20+39.05 грн
26+30.14 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 8363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.68 грн
10+62.12 грн
100+41.18 грн
500+30.20 грн
1000+27.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+102.70 грн
203+69.93 грн
269+52.73 грн
500+38.50 грн
1000+33.09 грн
2000+29.82 грн
4000+29.52 грн
6000+28.86 грн
10000+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+89.93 грн
165+85.92 грн
250+82.47 грн
500+76.66 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.70 грн
11+69.93 грн
100+52.73 грн
500+38.50 грн
1000+33.09 грн
2000+29.82 грн
4000+29.52 грн
6000+28.86 грн
10000+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 8943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+90.23 грн
15+57.39 грн
100+41.37 грн
500+28.23 грн
1000+24.11 грн
5000+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 17A TO-252AA (DPAK) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
476+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 476 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4176 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.64 грн
10+43.53 грн
100+32.54 грн
500+29.10 грн
1000+26.50 грн
2000+24.32 грн
4000+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.89 грн
4000+24.81 грн
6000+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 44 48  [ Наступна Сторінка >> ]