Продукція > IPB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB90N06S404ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 150W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm | на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 272 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB90N06S404ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB90N06S404ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB90N06S404ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm | на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB90N06S404ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB90N06S4L-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | на замовлення 707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB90N06S4L04ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB90N06S4L04ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2 | на замовлення 1489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB90N06S4L04ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB90N06S4L04ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB90N06S4L04ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB90N06S4L04ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB90N06S4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB90N06S4L04ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB90N06S4L04ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB90N06S4L04ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB90N06S4L04ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB90N06S4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm | на замовлення 1384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB90N06S4L04ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB90R340C3 | Infineon | IPB90R340C3ATMA2 MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB90R340C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 900V 15A D2PAK-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB90R340C3 | Infineon technologies | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IPB90R340C3ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB90R340C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 900V 15A D2PAK-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB90R340C3ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB90R340C3ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB90R340C3ATMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB90R340C3ATMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB90R340C3ATMA1 Код товару: 172820
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IPB90R340C3ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB90R340C3ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB90R340C3ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.34 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 208W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C3 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm | на замовлення 2379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB90R340C3ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB90R340C3ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 15A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V | на замовлення 878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB90R340C3ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB90R340C3ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB90R340C3ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.34 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 208W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C3 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm | на замовлення 2379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB90R340C3ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB90R340C3ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 15A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB90R340C3ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB90R340C3ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_LEGACY | на замовлення 924 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB90R340C3ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB95R130PFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 950V 36.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB95R130PFD7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB95R130PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 36.5 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB95R130PFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 25.1A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.25mA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 400 V | на замовлення 2434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB95R130PFD7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 1621 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB95R130PFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 950V 36.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB95R130PFD7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB95R130PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 36.5 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB95R130PFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 25.1A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.25mA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 400 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB95R310PFD7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 1889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB95R310PFD7ATMA1 Код товару: 206249
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IPB95R310PFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER_NEW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 10.4A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 400 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB95R310PFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB95R310PFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER_NEW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 10.4A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 400 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB95R450PFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 950V 13.3A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 400 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPB95R450PFD7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 1914 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPB95R450PFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 950V 13.3A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 400 V | на замовлення 1377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPBB13R | Sfera Labs | I/O Modules Iono Pi Board RTC FCC Compliant | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPBB13X | Sfera Labs | I/O Modules Iono Pi Board | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPBB20R | Sfera Labs | Raspberry Pi Hats / Add-on Boards IONO PI BOARD RTC | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPBD-02-D | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 4POS 4.20MM Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 4 Pitch: 0.165" (4.20mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.165" (4.20mm) Part Status: Active Insulation Material: Polyamide (PA), Nylon Number of Rows: 2 | на замовлення 3652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPBD-02-D | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPBD-02-D - Steckverbindergehäuse, IPBD, Buchse, 4 -polig, 4.19 mm tariffCode: 39269097 Anzahl der Positionen: 4-polig productTraceability: No SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) rohsCompliant: YES Rastermaß: 4.19mm Ausführung: Buchse euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Zur Verwendung mit: Buchsenkontakte der Produktreihe CC69 von Samtec Produktpalette: IPBD | на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPBD-02-D | Samtec | Heavy Duty Power Connectors .165 Power Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 2819 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPBD-02-D-K | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPBD-02-D-K - Steckverbindergehäuse, IPBD, Buchse, 4 -polig, 4.19 mm tariffCode: 85366990 Anzahl der Positionen: 4-polig productTraceability: No rohsCompliant: YES Rastermaß: 4.19mm Ausführung: Buchse euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Buchsenkontakte der Produktreihe CC69L/CC69R von Samtec usEccn: EAR99 Produktpalette: IPBD SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPBD-02-D-K | Samtec | Heavy Duty Power Connectors 4.19MM POWER MATE WTB HEADER | на замовлення 13031 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPBD-02-D-K | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 4POS 4.20MM Features: Polarizing Key Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 4 Pitch: 0.165" (4.20mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.165" (4.20mm) Part Status: Active Insulation Material: Polyamide (PA), Nylon Number of Rows: 2 | на замовлення 19963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPBD-02-D-K-M | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 4POS 4.20MM Features: Pick and Place, Polarizing Key Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 4 Pitch: 0.165" (4.20mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.165" (4.20mm) Insulation Material: Polyamide (PA), Nylon Number of Rows: 2 | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPBD-02-D-K-M | Samtec | Heavy Duty Power Connectors .165 Power Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 415 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPBD-02-D-K-M | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 4POS 4.20MM Features: Pick and Place, Polarizing Key Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 4 Pitch: 0.165" (4.20mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.165" (4.20mm) Part Status: Active Insulation Material: Polyamide (PA), Nylon Number of Rows: 2 | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPBD-02-S | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPBD-02-S - Steckverbindergehäuse, eine Reihe, IPBD, Buchse, 2 -polig, 4.19 mm tariffCode: 85366990 Anzahl der Positionen: 2-polig productTraceability: No SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) rohsCompliant: YES Rastermaß: 4.19mm Ausführung: Buchse euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC69 Produktpalette: IPBD | на замовлення 5418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPBD-02-S | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 2POS 4.20MM Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 2 Pitch: 0.165" (4.20mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Part Status: Active Insulation Material: Polyamide (PA), Nylon Number of Rows: 1 | на замовлення 1218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPBD-02-S | Samtec | Heavy Duty Power Connectors .165 Power Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 2421 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPBD-02-S-K | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 2POS 4.20MM Features: Polarizing Key Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 2 Pitch: 0.165" (4.20mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Part Status: Active Insulation Material: Polyamide (PA), Nylon Number of Rows: 1 | на замовлення 6222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPBD-02-S-K | Samtec | Heavy Duty Power Connectors 4.19MM POWER MATE DISCRETE HSG | на замовлення 8673 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPBD-02-S-K | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPBD-02-S-K - Steckverbindergehäuse, IPBD, Buchse, 2 -polig, 4.19 mm tariffCode: 39269097 Anzahl der Positionen: 2-polig productTraceability: No SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) rohsCompliant: YES Rastermaß: 4.19mm Ausführung: Buchse euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC69 von Samtec Produktpalette: IPBD | на замовлення 341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPBD-02-S-K-M | Samtec | Conn Housing 2 POS 4.19mm Crimp ST Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPBD-02-S-K-M | Samtec Inc. | Description: .165" POWER MATE DISCRETE WIRE S Features: Pick and Place, Polarizing Key Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 2 Pitch: 0.165" (4.20mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.165" (4.20mm) Insulation Material: Polyamide (PA), Nylon Number of Rows: 1 | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPBD-02-S-K-M | Samtec | Conn Housing 2 POS 4.19mm Crimp ST Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPBD-02-S-K-M | Samtec Inc. | Description: .165" POWER MATE DISCRETE WIRE S Features: Pick and Place, Polarizing Key Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 2 Pitch: 0.165" (4.20mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.165" (4.20mm) Insulation Material: Polyamide (PA), Nylon Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPBD-02-S-K-M | Samtec | Heavy Duty Power Connectors .165 Power Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPBD-02-S-M-K | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 2POS 4.20MM Features: Pick and Place, Polarizing Key Packaging: Tube Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 2 Pitch: 0.165" (4.20mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Part Status: Active Number of Rows: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPBD-03-D | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPBD-03-D - Steckverbindergehäuse, IPBD, Buchse, 6 -polig, 4.19 mm tariffCode: 39269097 Anzahl der Positionen: 6-polig productTraceability: No SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) rohsCompliant: YES Rastermaß: 4.19mm Ausführung: Buchse euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Zur Verwendung mit: Buchsenkontakte der Produktreihe CC69 von Samtec Produktpalette: IPBD | на замовлення 459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPBD-03-D | Samtec | Heavy Duty Power Connectors 4.19MM POWER MATE SOCKET | на замовлення 2251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPBD-03-D | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 6POS 4.20MM Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 6 Pitch: 0.165" (4.20mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.165" (4.20mm) Part Status: Active Insulation Material: Polyamide (PA), Nylon Number of Rows: 2 | на замовлення 1070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPBD-03-D-K | Samtec | Heavy Duty Power Connectors 4.19MM POWER MATE DISCRETE HDR | на замовлення 8225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPBD-03-D-K | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 6POS 4.20MM Features: Polarizing Key Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 6 Pitch: 0.165" (4.20mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Row Spacing: 0.165" (4.20mm) Part Status: Active Insulation Material: Polyamide (PA), Nylon Number of Rows: 2 | на замовлення 1177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPBD-03-D-K | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPBD-03-D-K - Steckverbindergehäuse, IPBD, Buchse, 6 -polig, 4.19 mm tariffCode: 39269097 Anzahl der Positionen: 6-polig productTraceability: No rohsCompliant: YES Rastermaß: 4.19mm Ausführung: Buchse euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Buchsenkontakte der Produktreihe CC69L/CC69R von Samtec usEccn: EAR99 Produktpalette: IPBD SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPBD-03-D-K-M | Samtec | Heavy Duty Power Connectors .165 Power Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPBD-03-S | Samtec | Conn Housing RCP 3 POS 4.19mm Crimp ST Cable Mount Black Loose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPBD-03-S | Samtec | Conn Housing RCP 3 POS 4.19mm Crimp ST Cable Mount Black Loose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPBD-03-S | Samtec | Conn Housing RCP 3 POS 4.19mm Crimp ST Cable Mount Black Loose | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPBD-03-S | Samtec | Heavy Duty Power Connectors 4.19MM POWER MATE SOCKET | на замовлення 2833 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPBD-03-S | SAMTEC | Description: SAMTEC - IPBD-03-S - Steckverbindergehäuse, eine Reihe, IPBD, Buchse, 3 -polig, 4.19 mm tariffCode: 85366990 Anzahl der Positionen: 3-polig productTraceability: No SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) rohsCompliant: YES Rastermaß: 4.19mm Ausführung: Buchse euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC69 Produktpalette: IPBD | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPBD-03-S | Samtec | Conn Housing RCP 3 POS 4.19mm Crimp ST Cable Mount Black Loose | на замовлення 7305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPBD-03-S | Samtec | Conn Housing RCP 3 POS 4.19mm Crimp ST Cable Mount Black Loose | на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPBD-03-S | Samtec | Conn Housing RCP 3 POS 4.19mm Crimp ST Cable Mount Black Loose | на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPBD-03-S | Samtec | Conn Housing RCP 3 POS 4.19mm Crimp ST Cable Mount Black Loose | на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 23 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPBD-03-S | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 3POS 4.20MM Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Termination: Crimp Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 3 Pitch: 0.165" (4.20mm) Contact Type: Female Socket Fastening Type: Latch Lock Insulation Material: Polyamide (PA), Nylon Number of Rows: 1 | на замовлення 1610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPBD-03-S-K | Samtec | Conn Housing PL 3 POS 4.19mm Crimp ST Cable Mount Bulk | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPBD-03-S-K | Samtec | Conn Housing PL 3 POS 4.19mm Crimp ST Cable Mount Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPBD-03-S-K | Samtec Inc. | Description: CONN RCPT HSG 3POS 4.20MM | на замовлення 9452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPBD-03-S-K | Samtec | Conn Housing PL 3 POS 4.19mm Crimp ST Cable Mount Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPBD-03-S-K | Samtec | Conn Housing PL 3 POS 4.19mm Crimp ST Cable Mount Bulk | на замовлення 6690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPBD-03-S-K | Samtec | Heavy Duty Power Connectors .165 Power Mate Discrete Wire Socket Housing | на замовлення 4293 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

