Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF6218STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT PCh -150V -27A 150mOhm 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6218STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6218STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 150V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6218STRLPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 27 А, Ptot, Вт = 250, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2210 @ 25, Qg, нКл = 110 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 16 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220-AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6218STRLPBFTR-NDIR2010
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6218STRRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6218STRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF621RHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 6837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+42.74 грн
Мінімальне замовлення: 478 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF623RHarris CorporationDescription: 4A, 150V, 1.2OHM, N-CHANNEL MOSF
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
722+32.99 грн
Мінімальне замовлення: 722 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF624IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF624Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF624
Код товару: 7924
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 4,1 A
Rds(on), Ohm: 1,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 335/14
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF624Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF624Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF624LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF624PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF624PBFVishay SemiconductorsMOSFET 250V N-CH HEXFET
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.94 грн
10+66.57 грн
100+49.37 грн
500+44.83 грн
1000+44.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF624PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF624PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 4.4A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF624PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 250V 4.4A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF624PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF624SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF624SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF624SPBF
Код товару: 165360
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF624SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF624SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.46 грн
50+91.80 грн
100+82.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF624SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF624SPBFVishay SemiconductorsMOSFET N-Chan 250V 4.4 Amp
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.97 грн
10+122.06 грн
100+87.28 грн
250+85.89 грн
500+74.02 грн
1000+62.50 грн
2000+59.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF624STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF624STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF626Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 275 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630HARRISIRF630
на замовлення 11535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+117.85 грн
500+106.07 грн
1000+97.82 грн
10000+84.10 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630Vishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 9 А, Ptot, Вт = 74, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 800 @ 25, Qg, нКл = 43 @ 10 В, Rds = 400 мОм @ 5,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+93.24 грн
154+92.47 грн
186+76.44 грн
500+59.17 грн
1000+49.96 грн
Мінімальне замовлення: 153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630HARRISIRF630
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+117.85 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 9 А, Ptot, Вт = 75, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25, Qg, нКл = 45 @ 10 В, Rds = 400 мОм @ 4,5 A, 10 В, Tексп, °C = -65...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 22679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
241+84.12 грн
Мінімальне замовлення: 241 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.60 грн
10+86.73 грн
100+49.72 грн
500+39.10 грн
1000+33.31 грн
2000+30.24 грн
5000+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.68 грн
11+77.80 грн
100+58.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630HARRISIRF630
на замовлення 10770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+117.85 грн
500+106.07 грн
1000+97.82 грн
10000+84.10 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SiliconixN-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+95.01 грн
151+94.23 грн
182+77.91 грн
500+60.31 грн
1000+50.92 грн
2000+45.19 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
на замовлення 967 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+130.34 грн
10+77.24 грн
25+67.41 грн
50+61.02 грн
100+55.22 грн
250+48.41 грн
500+44.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.71 грн
50+93.92 грн
100+77.65 грн
500+60.12 грн
1000+50.76 грн
2000+45.04 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630ST MICROELECTRONICSN-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
на замовлення 33 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
7+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 6846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.11 грн
50+89.84 грн
100+80.81 грн
500+60.98 грн
1000+56.21 грн
2000+52.19 грн
5000+47.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.24 грн
50+92.47 грн
100+76.44 грн
500+59.17 грн
1000+49.96 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 (TO-220, ST)
Код товару: 3058
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 600/19
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+14.50 грн
100+13.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6302
Код товару: 31879
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A
Код товару: 18853
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9 A
Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630AFSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A_CP001ONSEMIDescription: ONSEMI - IRF630A_CP001 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
844+35.44 грн
Мінімальне замовлення: 844 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A_CP001ON SemiconductorIRF630A_CP001
на замовлення 177675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
665+53.35 грн
1000+49.22 грн
10000+43.88 грн
100000+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A_CP001ON SemiconductorIRF630A_CP001
на замовлення 45755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
665+53.35 грн
1000+49.22 грн
10000+43.88 грн
Мінімальне замовлення: 665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A_CP001Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 223430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+42.40 грн
Мінімальне замовлення: 478 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630BFairchild
на замовлення 10005 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630BTSTUFairchild SemiconductorDescription: IRF630B - 200V N-CHANNEL MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630BTSTU_FP001onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630B_FP001onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630B_FP001Fairchild/ON SemiconductorN-канальный ПТ (Vds=200V, Id=9A@T=25C, Id=5.7A@T=100C, Rds=0.34 R@Vgs=10V, P=72W, -55 to 150C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630B_FP001FAIRCHILDf24
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630FPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630FP
на замовлення 978 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630FPSTMN-кан. MOSFET 200V, 9A, 0.35Ом, 30Вт, TO-220FP (PowerMesh II) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630MSTTO-220
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630MSTMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630MFST00+ TO-220
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630MFPSTM9 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630MFPSTMicroelectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630MFPST09+ SON-8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N IR
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NInternational RectifierN-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+36.28 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N Minos---TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630N-ML MOSLEADER TIRF630 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N-R4942
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
412+34.43 грн
Мінімальне замовлення: 412 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
593+59.82 грн
Мінімальне замовлення: 593 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+44.53 грн
2000+44.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 9,3 А, Ptot, Вт = 82, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 575 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 300 мОм @ 5,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.43 грн
50+34.08 грн
100+33.78 грн
500+32.48 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF
Код товару: 15961
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності: 223 шт
  • 167 шт - склад
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 747 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.03 грн
10+45.30 грн
25+39.34 грн
50+35.81 грн
100+33.79 грн
250+31.27 грн
500+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.19 грн
50+64.94 грн
100+57.95 грн
500+42.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 54650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
371+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 371 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+44.53 грн
2000+44.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+199.00 грн
150+94.50 грн
169+84.32 грн
500+64.09 грн
1000+54.20 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+51.32 грн
16000+46.90 грн
24000+43.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 82W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.31 грн
13+66.15 грн
100+55.56 грн
500+39.41 грн
1000+31.63 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
593+59.82 грн
Мінімальне замовлення: 593 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.45 грн
10+91.54 грн
100+52.37 грн
500+41.55 грн
1000+36.94 грн
2000+33.73 грн
5000+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]