Продукція > IRL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 44 48  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+31.64 грн
4000+30.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 13385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
421+33.66 грн
Мінімальне замовлення: 421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 8943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.37 грн
500+28.23 грн
1000+24.11 грн
5000+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+26.98 грн
4000+26.04 грн
24000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInfineonMOSFET N-CH 100V 15A DPAK (аналог 19N10L) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.55 грн
20+39.05 грн
26+30.14 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
618+57.24 грн
1000+52.80 грн
10000+47.08 грн
Мінімальне замовлення: 618 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
821+17.25 грн
834+16.96 грн
848+16.69 грн
862+15.83 грн
Мінімальне замовлення: 821 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
618+57.24 грн
1000+52.80 грн
Мінімальне замовлення: 618 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+17.79 грн
44+17.25 грн
50+16.36 грн
100+14.90 грн
250+14.07 грн
500+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3412
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3412PBF
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 17mOhm; 80A; 100W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR3636; IRLR3636TRL; IRLR3636TR; SP001553190; SP001569134; SP001574002; IRLR3636 HXY MOSFET TIRLR3636 HXY
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636PbFInfineon TechnologiesMOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms 33nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636PBF
Код товару: 105188
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-252/D-Pak
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Idd, A: 50 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,054 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 3779/33
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
УКТЗЕД: 8541290010
у наявності: 80 шт
  • 40 шт - склад
  • 24 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+85.00 грн
10+78.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636PbFInternational Rectifier(MFET,N-CH,60V,50A,DPAK) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLR3636PBF - IRLR3636 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636PbFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRInfineonN-MOSFET 50A 60V 143W 0.068Ω IRLR3636 IRLR3636TR (2000/T&R) IRLR3636TRL (3K/RL) IRLR3636-GURT IRLR3636 IRLR3636-GURT TIRLR3636
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.85 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 99A 6.8mOhm 33nC Log Lvl
на замовлення 2542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+64.85 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3636TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 99 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.70 грн
10+109.73 грн
100+74.13 грн
500+56.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+65.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+204.40 грн
10+143.62 грн
100+104.23 грн
500+80.76 грн
1000+69.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.03 грн
10+100.46 грн
100+68.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.68 грн
25+75.26 грн
100+72.17 грн
250+66.46 грн
500+63.44 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+75.68 грн
188+75.26 грн
189+74.85 грн
250+71.77 грн
500+66.09 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3636TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 99 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 143W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.13 грн
500+56.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+65.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+73.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRPBFInfineon(MFET,N-CH,60V,50A,TO-252AA (DPAK) SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+76.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+77.57 грн
4000+75.07 грн
6000+72.82 грн
10000+58.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
347+101.97 грн
500+91.78 грн
1000+84.63 грн
Мінімальне замовлення: 347 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 527 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+158.05 грн
5+122.78 грн
10+107.77 грн
25+88.06 грн
50+75.39 грн
100+65.33 грн
500+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
на замовлення 11567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.30 грн
10+104.54 грн
100+71.14 грн
500+53.36 грн
1000+49.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 50 A, Ptot, Вт = 143, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3779 @ 50, Qg, нКл = 49 @ 4,5 В, Rds = 6,8 мОм @ 50 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,5 @ 100 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 5 Од. вим:
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.87 грн
50+97.54 грн
100+73.40 грн
500+51.10 грн
1000+44.87 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+77.75 грн
4000+75.24 грн
6000+72.98 грн
10000+58.54 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+70.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.57 грн
10+145.62 грн
25+137.46 грн
100+100.29 грн
250+69.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms 33nC
на замовлення 5203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.26 грн
4000+45.16 грн
6000+43.50 грн
10000+39.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.04 грн
10+143.75 грн
100+104.39 грн
500+86.26 грн
1000+71.42 грн
2000+61.63 грн
4000+59.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+145.62 грн
103+137.46 грн
136+104.00 грн
250+74.53 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.40 грн
500+51.10 грн
1000+44.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF транзистор
Код товару: 196330
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705IR07+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZIR
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZPBFInternational RectifierTO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 44nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZPBF
Код товару: 41262
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 42 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2900/44
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+44.00 грн
10+39.50 грн
100+34.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRInfineonN-MOSFET HEXFET 55V 42A 130W 0.008Ω IRLR3705Z TIRLR3705z
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 491 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+71.82 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+41.51 грн
4000+37.17 грн
6000+35.75 грн
10000+32.04 грн
14000+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3705ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 8000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.83 грн
500+53.51 грн
1000+45.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 74000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+54.72 грн
4000+47.82 грн
6000+47.33 грн
10000+45.18 грн
14000+40.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF
Код товару: 190163
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBFInternational RectifierTO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.83 грн
10+113.31 грн
100+78.35 грн
500+62.00 грн
1000+52.75 грн
2000+47.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3705ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 8000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.88 грн
10+107.30 грн
100+72.83 грн
500+53.51 грн
1000+45.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+166.83 грн
125+113.31 грн
181+78.35 грн
500+62.00 грн
1000+52.75 грн
2000+47.02 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 20358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.44 грн
10+88.23 грн
100+59.56 грн
500+44.35 грн
1000+40.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 74000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+54.84 грн
4000+47.93 грн
6000+47.45 грн
10000+45.29 грн
14000+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 89A 8mOhm 44nC Log Lvl
на замовлення 9367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+129.15 грн
5+99.80 грн
10+87.22 грн
50+66.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
461+76.76 грн
512+69.10 грн
1000+63.72 грн
Мінімальне замовлення: 461 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3711ZIR05+
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3714Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3714IR07+ TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3714PBFIR
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3714PBFТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3714PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3714TRIOR03+
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3714TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3714TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3714TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3714TRPBF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3714TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3714TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3714ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 37A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3714ZIR07+ TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3714ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3714ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 37 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 37
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 35
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1
Verlustleistung: 35
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3714ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 37A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3714ZTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 37A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3714ZTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 37A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3714ZTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 37A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 44 48  [ Наступна Сторінка >> ]