Продукція > si3

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI3552DV-T2Vishay / SiliconixMOSFETs 30V N & P CH (D-S) TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DY-T1-E3
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3553QSI95+ TSOP
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3554M
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 4087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
344+41.19 грн
500+29.70 грн
1000+26.40 грн
3000+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 344 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W, 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.12 грн
43+17.59 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3585CDV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.56 грн
50+36.74 грн
100+32.01 грн
500+21.98 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 3.1/-1.7A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.9/8W
Case: SC74; TSOP6
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8/9nC
Technology: TrenchFET®
Drain current: 3.1/-1.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20/-20V
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 78/316mΩ
на замовлення 3984 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+56.00 грн
15+29.94 грн
50+22.81 грн
100+20.63 грн
500+16.77 грн
1000+15.60 грн
3000+14.09 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
280+50.56 грн
386+36.74 грн
442+32.01 грн
621+21.98 грн
Мінімальне замовлення: 280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR
на замовлення 24557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3585CDV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W, 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.00 грн
10+34.87 грн
50+25.56 грн
100+21.16 грн
500+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3585CDV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585DVVISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585DV-T1
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585DV-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 24018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3585DV-T1-GE3
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si3585DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3585DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3586DVVISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3586DV-T1-E3VishayN/P-MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm/220mOhm; 2,9A/2,1A; 830mW; -55°C ~ 150°C; SI3586DV-T1-E3 Vishay TSI3586dv
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3586DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3586DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3586DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3586DV-T1-GE3
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si3586DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3588DV
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3588DV-T1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3588DV-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI3585CDV-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3588DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW, 83mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 570mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3588DV-T1-E3
на замовлення 410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3588DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW, 83mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 570mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3588DV-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI3585CDV-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3588DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW, 83mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 570mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3588DV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI3585CDV-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3588DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW, 83mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 570mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3588DV-T2Vishay / SiliconixMOSFET 20V, N/P-CH 132/334MOHM@1.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3588DV-T3Vishay / SiliconixMOSFET 20V, N/P-CH 132/334MOHM@1.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3588DV-T5Vishay / SiliconixMOSFET 20V N/P-CH 132/334MOHM@1.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3590DV-T1
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3590DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 14340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.41 грн
10+58.80 грн
100+38.85 грн
500+28.41 грн
1000+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3590DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.59 грн
6000+20.94 грн
9000+20.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3590DV-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR
на замовлення 233027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3590DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.7A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3590DV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3590DV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.062 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 830mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 830mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3590DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.41 грн
10+58.50 грн
100+38.64 грн
500+28.26 грн
1000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3590DV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR
на замовлення 101648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3590DV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3590DV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.062 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 830mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 830mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3590DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.7A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3590DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI35C-08200Утримувач MicroSim картки з відкидною металевою кришкою, 6 контактів HOLDER
на замовлення 275 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
14+49.39 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI36LD
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI37C-08200Nano Sim Card Holder 6P SMT Аксесуари для GSM модемів
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI37C-08200
Код товару: 196115
Додати до обраних Обраний товар
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Роз'єми для карт SIM, microSIM, SD, microSD, Smart
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI37C-08200Утримувач NanoSim карти, має повну перемичку від прогину картки HOLDER
на замовлення 3743 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
16+44.45 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3801DN-T1
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3801DSSI01+ SOT-23-6
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3801DV
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3801DV-T012AVISHAY
на замовлення 492000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3801DV-T1SILICONIX05+ SOT-163
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3803DV-T030AVISHAY
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3803DV-T1SI05+ SOT-163
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3805DV
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3805DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3805DV-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 3.3A 1.4W 84mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3805DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3805DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3805DV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 3.3A 1.4W 84mohm @ 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si3812DVVISHAY
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3812DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3812DV-T1-E3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3812DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3812DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3831DVVISHAY
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3831DV-T1SILICONIX01+ SOT26
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3831DV-T1-E3
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3831DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: IC PWR SW BI-DIR PCHAN 6TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3831DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: IC PWR SW BI-DIR PCHAN 6TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3850ADV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.08W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 960mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3850ADV-T1-E3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3850ADV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.08W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 960mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3850DV-T1VISHAY03+ SOP23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3850DV-T1-E3
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3851-T1-E3
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3851DV
на замовлення 11800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3851DV-T1VISHAY0330+
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3851DV-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 1.8A 1.15W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3851DV-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 3008 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3851DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 1.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.8A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3851DV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 1.8A 1.15W 200mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.