Продукція > IXF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXFX360N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 360A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX360N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 360A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX360N15T2IXYSMOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX38N80Q2IXYSMOSFETs 38 Amps 800V 0.22 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX38N80Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX400N15X3IXYSMOSFETs PLUS247 150V 400A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX400N15X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 400A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 365 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX400N15X3LittelfusePower MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX40N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 40A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX40N90PIXYSMOSFETs Polar HiperFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX40N90PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 900V 40A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1997.94 грн
30+1462.82 грн
120+1393.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX420N10TIXYSMOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX420N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 420A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1670W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 670 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47000 pF @ 25 V
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1693.82 грн
30+1037.68 грн
60+967.23 грн
120+852.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX420N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 420A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1544.58 грн
30+1175.16 грн
120+1126.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX420N10TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 420A; 1670W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1.67kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 670nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX420N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 420A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N50FIXYSDescription: MOSFET N-CH 44A PLUS247-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 44A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N50QIXYSMOSFETs 44 Amps 500V 0.12 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N55QIXYSDescription: MOSFET N-CH 550V 44A PLUS247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N55QIXYSMOSFET 44 Amps 550V 0.11 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N60IXYSMOSFETs 600V 44A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 44A PLUS247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N60PLUS247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1828.64 грн
30+1128.23 грн
120+989.87 грн
510+926.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N80PIXYSMOSFETs 44 Amps 800V
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N80Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N80Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/44A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX48N50IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX48N50QIXYS
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX48N50QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 48A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX48N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 48A PLUS247-3
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX48N50QPLUS247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX48N50QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 48A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX48N50QIXYSMOSFETs 48 Amps 500V 0.1 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX48N50QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 48A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX48N60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX48N60PIXYSMOSFETs 600V 48A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX48N60Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/48A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX48N60Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX50N50LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 500V 50A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX50N50LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 500V 50A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX50N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 50A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX50N50LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 500V 50A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1821.68 грн
10+1806.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX50N50IXYSMOSFETs 50 Amps 500V 0.1 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX50N50LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 500V 50A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1821.68 грн
10+1806.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX50N50LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 500V 50A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX520N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 520A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41000 pF @ 25 V
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1119.29 грн
30+667.58 грн
120+581.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX520N075T2IXYSMOSFETs TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 520A
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX520N075T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 520A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX520N075T2
Код товару: 168486
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX520N075T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 520A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 520A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 545nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX52N100XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 1kV; 52A; 1.25kW; TO247-3; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Polarisation: N
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 52A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 245nC
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 260ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX52N100XIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 52A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6725 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX52N100XIXYSMOSFETs 1000V 52A PLUS247 Power MOSFET
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX52N30QIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 52A PLUS247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX52N60Q2IXYSMOSFETs 52 Amps 600V 0.12 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX52N60Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 52A PLUS247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX55N50IXYSMOSFET 500V 55A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX55N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX55N50FIXYSMOSFET 500V 55A
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX55N50FIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 27.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX60N25QIXYSDescription: MOSFET N-CH PLUS247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX60N55Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX60N55Q2IXYSMOSFET 60 Amps 550V 0.09 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX62N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 62A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Packaging: Tube
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 31A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX62N25IXYSMOSFETs 62 Amps 250V 0.035 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N50P
Код товару: 88763
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N50PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1447.05 грн
120+1251.15 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N50PТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N50PIXYSMOSFETs 64.0 Amps 500 V 0.09 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 64A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 64A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1258.10 грн
5+1036.57 грн
10+971.16 грн
30+883.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N50Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 64A; 1000W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N50Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N50Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N50Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/64A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1772.49 грн
30+1436.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1872.53 грн
30+1160.18 грн
60+1083.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60PIXYSMOSFETs MOSFET
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P
Код товару: 185990
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1236.86 грн
30+738.71 грн
60+684.89 грн
120+600.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P3IXYSMOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1039.35 грн
25+991.37 грн
50+951.47 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFX64N60P3 - MOSFET, N-CH, 600V, 64A, PLUS247
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 64
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 1.13
Bauform - Transistor: PLUS247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar3 HiPerFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX64N60Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/64A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX66N50Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 66A PLUS247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX66N85XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 66A; 1250W; PLUS247™; 250ns
Mounting: THT
Power dissipation: 1.25kW
Gate charge: 230nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 66A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 850V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
On-state resistance: 65mΩ
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX66N85XIXYSMOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX66N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 66A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX66N85XLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 850V 66A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2006.57 грн
30+1249.45 грн
120+1192.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX73N30QIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 73A PLUS247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX73N30QIXYSMOSFETs 73 Amps 300V 0.042 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.