Продукція > IXF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFX98N50P3 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 98A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFX98N50P3 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 98A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFX98N50P3 | Ixys Corporation | Trans MOSFET N-CH 500V 98A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFY12N65X3 | IXYS | Description: DISCRETE MOSFET 12A 650V X3 TO25 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFY12N65X3 | Littelfuse | MOSFETs TO252 650V 12A N-CH X3CLASS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFY13N60X3 | IXYS | Description: DISCRETE MOSFET 13A 600V X3 TO25 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFY13N60X3 | Littelfuse | MOSFETs TO252 600V 13A N-CH X3CLASS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFY26N30X3 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 300V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFY26N30X3 | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXFY26N30X3 - MOSFET, N-CH, 300V, 26A, TO-252 tariffCode: 0 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 300 Dauer-Drainstrom Id: 26 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 170 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 170 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series Wandlerpolarität: N Channel Kanaltyp: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053 directShipCharge: 25 SVHC: To Be Advised | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFY26N30X3 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 300V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFY26N30X3 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 300V 26A TO252AA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA Power Dissipation (Max): 170W (Tc) | на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXFY26N30X3 | IXYS | MOSFETs TO252 300V 26A N-CH X3CLASS | на замовлення 1874 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXFY30N25X3 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 250V 30A TO252AA Technology: MOSFET (Metal Oxide) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | на замовлення 6203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXFY30N25X3 | IXYS | MOSFETs TO252 250V 30A N-CH X3CLASS | на замовлення 661 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXFY30N25X3 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 250V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFY30N25X3 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 170W; TO252; 82ns Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Case: TO252 Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 21nC Reverse recovery time: 82ns On-state resistance: 60mΩ Drain current: 30A Power dissipation: 170W Drain-source voltage: 250V Polarisation: unipolar | на замовлення 46 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXFY36N20X3 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO252AA Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 25 V | на замовлення 2070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXFY36N20X3 | IXYS | MOSFETs TO252 200V 36A N-CH X3CLASS | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXFY36N20X3 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 200V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 350 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFY36N20X3 | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXFY36N20X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.038 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXFY4N60P3 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4A Power dissipation: 114W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 8A Gate charge: 6.9nC Reverse recovery time: 250ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFY4N60P3 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFY4N60P3 | IXYS | MOSFETs Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFY4N85X | IXYS | Description: MOSFET N-CH 850V 3.5A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | на замовлення 1610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXFY4N85X | IXYS | MOSFET 850V/3.5A Ultra Junction X-Class HiPerFET Power MOSFET, TO-252 | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFY5N50P3 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFY5N50P3 | IXYS | MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFY8N65X2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO252AA Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFY8N65X2 | IXYS | MOSFET 650V/8A TO-252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFY8N65X2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 105ns | на замовлення 93 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXFZ140N25T | IXYS | MOSFETs DiscMSFT NChTrenchGate-Gen1 DE475 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFZ140N25T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 250V 100A DE475 Packaging: Tube Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 445W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: DE475 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFZ520N075T2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 75V 465A DE475 Packaging: Tube Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 465A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Supplier Device Package: DE475 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFZ520N075T2 | IXYS | MOSFET TrenchT2 HiperFETs Gate TrenchT2 MOSFET | на замовлення 300 шт: термін постачання 336-345 дні (днів) |
|