Продукція > STD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STD5NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 4.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.17 грн
10+102.35 грн
100+69.69 грн
500+52.27 грн
1000+48.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK50ZT4STD5NK50ZT4 Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 110 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.98 грн
5000+37.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.55 грн
25+60.21 грн
100+57.74 грн
250+53.16 грн
500+50.75 грн
1000+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK50ZT4
Код товару: 84994
Додати до обраних Обраний товар

8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK50ZT4STMMOSFET N-CH 500V 4.4A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
234+60.55 грн
235+60.21 грн
237+59.87 грн
250+57.42 грн
500+52.86 грн
1000+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 234 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK50ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD5NK50ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.4 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK50ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 4.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK50ZT4STD5NK50ZT4 Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.19 грн
5000+61.10 грн
7500+59.00 грн
12500+56.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK50ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD5NK50ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.4 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK52ZDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 520V 4.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 520 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK52ZD-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 520V 4.4A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 520 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK52ZD-1
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK60ZST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.80 грн
7500+44.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.60 грн
10+120.24 грн
50+91.56 грн
100+77.24 грн
500+62.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK60ZT4STMMOSFET N-CH 600V 5A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK60ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.16A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 20A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK60ZT4
Код товару: 191547
3 Додати до обраних Обраний товар
VBsemiТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 650 В
Струм стоку Idd, А: 4,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1417/48
Монтаж: SMD
у наявності: 33 шт
  • 26 шт - склад
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+52.00 грн
10+46.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.93 грн
7500+45.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK60ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 5 Amp Zener SuperMESH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NK60ZT4
Код товару: 39383
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,6 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 690/26
Монтаж: SMD
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
1+65.00 грн
10+59.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50STMicroelectronicsMOSFET N-Channel 500V - 0.7 Ohm - 7.5A DPAK MDmesh(TM) PO, POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50-1ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50-1STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 7.5 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 7.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.76 грн
5000+72.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50AG
Код товару: 176283
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD5NM50AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.5 A, 0.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.44 грн
10+110.80 грн
100+79.28 грн
500+63.50 грн
1000+58.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 7.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+116.92 грн
130+109.38 грн
170+83.26 грн
200+76.10 грн
500+60.62 грн
1000+56.65 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 500 V, 700 mOhm typ., 7.5 A MDmesh Power MOSFET in a
на замовлення 5579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 7.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.24 грн
5000+72.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD5NM50AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.5 A, 0.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 7.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 7.5 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50T4
Код товару: 32698
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Струм стоку Idd, А: 7,5 А
Монтаж: SMD
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
1+49.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50Z
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60STTO-252/D-PAK
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+121.44 грн
133+106.83 грн
150+97.42 грн
525+92.51 грн
1050+84.16 грн
2025+78.16 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60-1STM(TO252) DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+87.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.44 грн
75+106.83 грн
150+97.42 грн
525+92.51 грн
1050+84.16 грн
2025+78.16 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+86.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+98.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60-1STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 5 Amp
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+98.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60-1STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; Idm: 20A; 96W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 96W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Gate charge: 18nC
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+96.64 грн
75+74.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+87.42 грн
10000+86.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 5 Amp
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4STMMOSFET N-CH 600V 5A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD5NM60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+87.42 грн
10000+86.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+99.13 грн
145+97.60 грн
148+96.07 грн
150+91.17 грн
250+83.04 грн
500+78.41 грн
1000+77.10 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.1A; 96W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 96W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.13 грн
10+97.60 грн
25+96.07 грн
100+91.17 грн
250+83.04 грн
500+78.41 грн
1000+77.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 6606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.66 грн
10+143.11 грн
50+109.70 грн
100+92.84 грн
500+75.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4STMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25, Qg, нКл = 18 @ 10 В, Rds = 1 Ом @ 2,5 А, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 96, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 275 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
2500+42.83 грн
Мінімальне замовлення: 275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+87.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4STTransistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 5A; 96W; -55°C ~ 150°C; STD5NM60T4 TSTD5NM60t4
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.74 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD5NM60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5P06VT4onsemiDescription: PFET DPAK SPCL 60V TR
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1374+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 1374 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD6EatonFuse HRC 6A 240V Stud Mount Lug 12 X 47mm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD6EATON BUSSMANNDescription: EATON BUSSMANN - STD6 - HH-Sicherung, STD Series, 6 A, Schrauböse, 240 V
tariffCode: 85361090
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Nennspannung V AC: 240V
Nennspannung, V DC: -
Sicherungsstrom: 6A
euEccn: NLR
Bauform - HH-Sicherung: Schrauböse
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: STD Series
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD6EatonFuse HRC 6A 240V Stud Mount Lug 12 X 47mm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD6EatonFuse HRC 6A 240V Stud Mount Lug 12 X 47mm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD6Eaton BussmannDescription: FUSE CARTRIDGE 6A 240VAC CYLINDR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD6Bussmann / EatonSpecialty Fuses 6A 240VAC INDUSTRIAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD6EatonFuse HRC 6A 240V Stud Mount Lug 12 X 47mm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1508.44 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD6025NLST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD6025NLSSTTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60GK08SIRECTIFIERCategory: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 800V; 60A; 21MM; Ufmax: 1.57V; Ifsm: 1.5kA
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 60A
Case: 21MM
Max. forward voltage: 1.57V
Threshold on-voltage: 0.85V
Max. forward impulse current: 1.5kA
Gate current: 100mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Features of semiconductor devices: glass passivated
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD60GK14SIRECTIFIERCategory: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.4kV; 60A; 21MM; Ufmax: 1.57V; Ifsm: 1.5kA
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.4kV
Load current: 60A
Case: 21MM
Max. forward voltage: 1.57V
Max. forward impulse current: 1.5kA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: glass passivated
Gate current: 100mA
Threshold on-voltage: 0.85V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1038.64 грн
3+867.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STD60GK16SIRECTIFIERCategory: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 60A; 21MM; Ufmax: 1.57V; Ifsm: 1.5kA
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 60A
Case: 21MM
Max. forward voltage: 1.57V
Max. forward impulse current: 1.5kA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: glass passivated
Gate current: 100mA
Threshold on-voltage: 0.85V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1038.64 грн
3+867.16 грн
10+769.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STD60GK16BSIRECTIFIER
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60N02
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60N02R-011
на замовлення 24300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60N03LH5T4
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60N3LH5
Код товару: 17761
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD60N3LH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 48A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD60N3LH5STMicroelectronicsMOSFETs N-Channel 30V Pwr Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD60N3LH5-HSTMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD60N3LH5YSTMicroelectronicsSTMicroelectronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD60N55ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60N55-1ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.