Продукція > 2N2
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N2219AL | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2219AL | Microsemi | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-5 Tray | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N2219AL | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Long-Lead Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2219AP | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN PinD Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2219AP | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2219E3 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2219E3 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Lead-Free Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2219N | MOT | 95+ | на замовлення 165 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N221A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N222 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N2220 | ST | на замовлення 75000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N2220A | ST | на замовлення 65000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N2221 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2221 | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N2221 | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO-18 Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2221 | ST | на замовлення 89500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N2221 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-18 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1.2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2221 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 800mA 500mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2221 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 800mA 500mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2221A | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2221A | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18 Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2221A | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N2221A | ST | на замовлення 85000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N2221A | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 120 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2221A | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2221A PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS | на замовлення 540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2221A PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-18 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.8 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2221A TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 800mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2221A/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2221AL | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2221AL | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Long-Lead Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2221AUA | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 650mW 4-Pin UA Waffle | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N2221AUA | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 650mW 4-Pin UA Waffle | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2221AUA | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 650mW 4-Pin UA Waffle | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N2221AUA | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 50V 0.8A 4-SMD Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: 4-SMD Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 650 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2221AUA | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Small-Signal BJT SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2221AUA/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 650 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2221AUA/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Small-Signal BJT SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2221AUB | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 50V 0.8A 3-SMD Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: 3-SMD Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 109 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2221AUB | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW 3 Pin CER Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2221AUB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 107 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2221AUB/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 107 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222 | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.5/1.2W Case: TO18 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 300MHz | на замовлення 11856 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N2222 | CDIL | Транзистор: NPN; биполярный; 30В; 0,8А; 0,5/1,2Вт; TO18; 4дБ Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N2222 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 800 mA, 1.2 W, TO-18, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1.2W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-18 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C | на замовлення 10714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222 | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO-18 Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222 | CDIL | NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222 T2N2222 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N2222 | CDIL | NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222 T2N2222 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 144 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N2222 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 30V 0.6A TO-18 Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222 (CDIL) Код товару: 199089
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N2222 (біполярний транзистор NPN) Код товару: 4035
6
Додати до обраних
Обраний товар
| Fairchild | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-92 Гранична частота fT: 250 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 60 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 60 В Струм колектора Ic, А: 0,8 А Коефіцієнт передачі струму h21: 300 Монтаж: THT | у наявності: 5126 шт
на замовлення: 4 шт
|
| ||||||||||||||||||
| 2N2222 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N2222 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-18 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW | на замовлення 2857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N2222 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 800MA 400MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 30Vceo 5.0V 800mA 500mW | на замовлення 1685 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222/2907 | ?? | 08+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222/2N2907 | FSC | 08+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N22222N2907 | на замовлення 98000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| 2N2222A | Good-Ark Semiconductor | Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222A | CDIL | NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222A-CDI; 2N2222A REE; 2N2222A-CEN; 2N2222A CDIL T2N2222a кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 160 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N2222A | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 40V 600MA NPN TO-92 | на замовлення 88260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N2222A | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222A | On Semiconductor | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222A Код товару: 213005
3
Додати до обраних
Обраний товар
| Semtech | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-92 Гранична частота fT: 300 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 40 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 75 В Струм колектора Ic, А: 0,8 А Коефіцієнт передачі струму h21: 300 Монтаж: THT | у наявності: 48 шт
|
| ||||||||||||||||||
| 2N2222A | Good-Ark | Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222A | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.5/1.2W Case: TO18 Current gain: 40...120 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 300MHz | на замовлення 2533 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N2222A | DIOTEC | Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: 2N2222A-DIO; 2N2222A T2N2222a p DIO кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 5090 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N2222A | Diotec Semiconductor | Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92 | на замовлення 826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N2222A | Diotec Semiconductor | Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92 | на замовлення 3299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N2222A | Centralsemi | NPN, 40V 0.8A TO-18 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222A | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT THT | на замовлення 12177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222A | STMicroelectronics | Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.3A, P=0.5W, B=100-300@Ic=150mA, Ft=250 MHz, -65 to +200C)... Транзистори Корпус: TO-18 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1000 шт | на замовлення 3638 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N2222A | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 43846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N2222A | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 | на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N2222A | DIOTEC | Description: DIOTEC - 2N2222A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 625mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222A | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-18 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222A | CDIL | NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222A-CDI; 2N2222A REE; 2N2222A-CEN; 2N2222A CDIL T2N2222a кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N2222A | Lumimax Optoelectronic Technology | Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92 | на замовлення 16838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N2222A | Rectron | Bipolar Transistors - BJT TO-18 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222A | CDIL | NPN 40V 0,6A 0,5W B:100-300 TO18 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222A | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222A | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 625mW; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 250MHz | на замовлення 43846 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N2222A | SLKOR | Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: KSP2222ABU (BULK); KSP2222ATA (AMMO); KSP2222ATF; 2N2222A-DIO (AMMO); 2N2222A SLKOR T2N2222a SLK кількість в упаковці: 1000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N2222A | Diotec Semiconductor | Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N2222A | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18 | на замовлення 5146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N2222A | Diotec | NPN, Uкэ=40V, Iк=0.6A (0.8 имп.), h21=35...300, 0.5Вт, 300МГц, TO-18 (круглый) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222A Код товару: 217018
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N2222A | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 40V, 600mA, NPN | на замовлення 13193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222A | MICROSEMI | TO-18NPN Transistor 2N2222A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222A | Semicoa Semiconductors | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222A | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N2222A - Bipolartransistor (BJT), einfach, hohe Schaltfrequenz, NPN, 40V, 1.2W, 800mA, TO-18 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1.2W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-18 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C | на замовлення 257485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222A | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222A | STM | NPN, Uкэ=40V, Iк=0.6A (0.8 имп.), h21=35...300, 0.5Вт, 300МГц, TO-18 (круглый) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222A | Diotec Semiconductor | Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N2222A | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222A | CDIL | Транзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 0,8 А, ft, МГц = 300, Icutoff-max = 10 мкА, Р, Вт = 1,2, Тексп, °C = -65...+200,... Транзистори Корпус: TO-18 Од. вим: шт кількість в упаковці: 4000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. |

