Продукція > 2N2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
2N2219ALMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Long-Lead Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219ALMicrosemiTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-5 Tray
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1632.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219ALMicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219APMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN PinD Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219APMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219E3Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Lead-Free Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219E3Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219NMOT95+
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N221AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N222MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2220ST
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2220AST
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2221ST
на замовлення 89500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2221STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2221onsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2221onsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.8A TO-18
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2221 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 30V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1.2 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2221 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 800mA 500mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2221 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 800mA 500mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2221ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2221Aonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2221AST
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2221AonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2221AMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2221AMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2221A PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.8 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2221A PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2221A TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 800mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2221A/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2221ALMicrosemi CorporationDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2221ALMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Long-Lead Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2221AUAMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Small-Signal BJT SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2221AUAMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 650mW 4-Pin UA Waffle
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+1283.31 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2221AUAMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 650mW 4-Pin UA Waffle
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2221AUAMicrosemi CorporationDescription: TRANS NPN 50V 0.8A 4-SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 650 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2221AUAMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 650mW 4-Pin UA Waffle
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+1283.31 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2221AUA/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A UA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 650 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2221AUA/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Small-Signal BJT SMT TR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2221AUBMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW 3 Pin CER Small-Signal BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2221AUBMicrosemi CorporationDescription: TRANS NPN 50V 0.8A 3-SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: 3-SMD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2221AUB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: UB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2221AUB/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222onsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.8A TO-18
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222CDILТранзистор: NPN; биполярный; 30В; 0,8А; 0,5/1,2Вт; TO18; 4дБ Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222CDILNPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222 T2N2222
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.38 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222onsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 30V 0.6A TO-18
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N2222 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 800 mA, 1.2 W, TO-18, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-18
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 7844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.84 грн
19+43.10 грн
100+31.93 грн
500+24.51 грн
1000+20.25 грн
5000+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Type of transistor: NPN
Case: TO18
Power dissipation: 0.5/1.2W
Collector current: 0.8A
Collector-emitter voltage: 30V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 13537 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.41 грн
13+34.80 грн
25+20.93 грн
100+18.83 грн
500+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222CDILNPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222 T2N2222
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.38 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222 (CDIL)
Код товару: 199089
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 4035
6 Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 250 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 300
Монтаж: THT
у наявності: 6413 шт
  • 6210 шт - склад
  • 165 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Харків
10+2.00 грн
16+1.30 грн
100+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 30V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.03 грн
10+141.76 грн
100+98.33 грн
500+74.84 грн
1000+69.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+133.14 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Silicon
на замовлення 1493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.25 грн
10+146.15 грн
100+91.47 грн
500+74.72 грн
1000+68.43 грн
2000+63.68 грн
4000+61.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 60Vcbo 30Vceo 5.0V 800mA 500mW
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+246.84 грн
10+159.00 грн
100+108.23 грн
500+90.78 грн
1000+83.79 грн
2000+71.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 30V 800MA 400MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222/2907??08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222/2N2907FSC08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N22222N2907
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222ACDILТранзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 0,8 А, ft, МГц = 300, Icutoff-max = 10 мкА, Р, Вт = 1,2, Тексп, °C = -65...+200,... Транзистори Корпус: TO-18 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222ACDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Type of transistor: NPN
Case: TO18
Power dissipation: 0.5/1.2W
Collector current: 0.8A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 40...120
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 5340 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+54.31 грн
12+35.47 грн
30+21.18 грн
100+19.08 грн
500+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222AOn SemiconductorТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222ADiotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+2.26 грн
8000+1.94 грн
12000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222AonsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222ASemicoa SemiconductorsTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222AMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+266.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222ACDILNPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222A-CDI; 2N2222A REE; 2N2222A-CEN; 2N2222A CDIL T2N2222a
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222ACentralsemiNPN, 40V 0.8A TO-18 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222ALumimax Optoelectronic TechnologyDescription: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.64 грн
60+5.07 грн
104+2.92 грн
500+2.13 грн
1000+1.82 грн
2000+1.65 грн
3000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222A
Код товару: 217018
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222AMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222AMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N2222A - Bipolartransistor (BJT), einfach, hohe Schaltfrequenz, NPN, 40V, 1.2W, 800mA, TO-18
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-18
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 250536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.09 грн
20+41.06 грн
100+30.39 грн
500+23.37 грн
1000+19.27 грн
5000+17.25 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222ASTMicroelectronicsТранзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.3A, P=0.5W, B=100-300@Ic=150mA, Ft=250 MHz, -65 to +200C)... Транзистори Корпус: TO-18 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3638 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222ADiotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.92 грн
14+22.09 грн
100+14.06 грн
500+9.94 грн
1000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222ADIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 625mW; TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Type of transistor: NPN
Case: TO92
Power dissipation: 0.625W
Collector current: 0.6A
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 33918 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
84+5.43 грн
87+4.88 грн
91+4.62 грн
109+3.86 грн
500+2.67 грн
1000+2.33 грн
4000+1.86 грн
8000+1.70 грн
12000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222ACDILNPN 40V 0,6A 0,5W B:100-300 TO18 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222ADiotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 2739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.78 грн
44+7.04 грн
100+4.36 грн
500+2.97 грн
1000+2.61 грн
2000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222AMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT THT
на замовлення 18163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222AGood-ArkTrans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222ADiotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 33818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3261+4.35 грн
4214+3.36 грн
8000+3.01 грн
12000+2.73 грн
24000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 3261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222ADIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N2222A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+10.92 грн
104+7.87 грн
125+6.56 грн
500+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222ACDILNPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222A-CDI; 2N2222A REE; 2N2222A-CEN; 2N2222A CDIL T2N2222a
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222ADiotecNPN, Uкэ=40V, Iк=0.6A (0.8 имп.), h21=35...300, 0.5Вт, 300МГц, TO-18 (круглый) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222AShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 40V 600MA NPN TO-92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 93407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.07 грн
71+4.31 грн
113+2.68 грн
500+1.80 грн
1000+1.57 грн
2000+1.38 грн
5000+1.15 грн
10000+1.02 грн
50000+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222ARectronBipolar Transistors - BJT TO-18
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222A
Код товару: 213005
1 Додати до обраних Обраний товар
SemtechТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 300
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 4000 шт
  • 4000 шт - очікується 05.07.2026
1+20 грн
7+3.00 грн
10+2.50 грн
100+2.20 грн
1000+1.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222AMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+262.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222ADIOTECTransistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: 2N2222A-DIO; 2N2222A T2N2222a p DIO
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 6090 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222ASTMNPN, Uкэ=40V, Iк=0.6A (0.8 имп.), h21=35...300, 0.5Вт, 300МГц, TO-18 (круглый) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222ADiotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.43 грн
8000+7.41 грн
12000+7.05 грн
20000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222AMICROSEMITO-18NPN Transistor 2N2222A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222ADiotec SemiconductorBipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 40V, 600mA, NPN
на замовлення 25797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+10.51 грн
44+7.47 грн
100+5.38 грн
500+4.33 грн
1000+3.77 грн
4000+2.79 грн
8000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222ACentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222ADIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N2222A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.29 грн
12000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222A LEADCentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]