Продукція > BFR
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BFR183WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323 Supplier Device Package: PG-SOT323 Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Frequency - Transition: 8GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Current - Collector (Ic) (Max): 65mA Power - Max: 450mW Gain: 18.5dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR184P1 | ITT Cannon, LLC | Description: CONN RCPT MALE 4P SILV SLDR CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR189P1 | ITT Cannon, LLC | Description: CONN RCPT 7POS W/PINS BULKHEAD | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR19 | PH | CAN | на замовлення 638 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR193 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR193 | SIEMENS | 96+ | на замовлення 1772 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR193 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR193 (BFR193E6327) Код товару: 83373
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BFR193 E7764 | INFINEON | 09+ | на замовлення 2785 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR193AW-G08 | на замовлення 645000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BFR193E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 13796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193E6327HTSA1 | Infineon | NPN 12V 0.8A 0.58W Tranz. BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 TBFR193 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 680 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10dB ~ 15dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active | на замовлення 13260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193E6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFR193E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 80mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 10981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193E6327HTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW | на замовлення 29965 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR193E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10dB ~ 15dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 104 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR193E6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFR193E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 80mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 10981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327 | Infineon | RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR193E6327SOT23-RC | INFINEON | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BFR193F | на замовлення 63000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BFR193F E6327 | Infineon | SOT23 | на замовлення 78000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR193F TSFP-3 Код товару: 106212
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TSFP-3 fT: 8 GHz Uceo,V: 12 V Ucbo,V: 20 V Ic,A: 0,08 A Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| BFR193FH6327 Код товару: 187138
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BFR193FH6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG TSFP-3 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 19dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-TSFP-3-1 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR193FH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 80mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR193FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-TSFP-3 Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Frequency - Transition: 8GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Power - Max: 580mW Gain: 12.5dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR193FH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 80mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR193FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R | на замовлення 86075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 57615 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-TSFP-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Power - Max: 580mW Gain: 12.5dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Frequency - Transition: 8GHz | на замовлення 2706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193L3 | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BFR193L3E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSLP-3-1 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 80mA Power dissipation: 0.58W Case: TSLP-3-1 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 8GHz | на замовлення 751 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB ~ 19dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1 Part Status: Active | на замовлення 7863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R | на замовлення 13436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R | на замовлення 4388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193L3E6327XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFR193L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: TSLP-3-1 Dauerkollektorstrom: 80mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R | на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R | на замовлення 13436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB ~ 19dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R | на замовлення 840000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R | на замовлення 4388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193L3E6327XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFR193L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: TSLP-3-1 Dauerkollektorstrom: 80mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R | на замовлення 9765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R | на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R | на замовлення 14900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193TE6327 | INFINEON | 03+ | на замовлення 9010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR193TW | VISHAY | на замовлення 15100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BFR193TW-GS08 | на замовлення 5699 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| Bfr193W | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| Bfr193W | на замовлення 123000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| Bfr193W | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR193W H6327 | Infineon | NPN 12V 8GHz 80mA 580mW BFR193WE6727 *OBSOLETE; BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327 Infineon TBFR193w кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2680 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193WE6327 | Infineon | SOT-323 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR193WE6327 | Infineon Technologies | Description: HIGH LINEARITY TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 16dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR193WE6327 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BFR193WE6327 - BFR193 HIGH LINEARITY SI- AND SIGEC-TR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR193WH6327 | Infineon Technologies | Description: HIGH LINEARITY TRANSISTOR Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1 Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Frequency - Transition: 8GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Power - Max: 580mW Gain: 16dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR193WH6327 Код товару: 122764
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-323 fT: 8 GHz Uceo,V: 12 V Ucbo,V: 20 V Ic,A: 0,08 A h21: 100 Монтаж: SMD | у наявності: 415 шт
|
| ||||||||||||||||||
| BFR193WH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 80mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193WH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Collector current: 80mA Power dissipation: 0.58W Collector-emitter voltage: 20V Frequency: 8GHz Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Case: SOT323 Type of transistor: NPN | на замовлення 677 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193WH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 80mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 16dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Active | на замовлення 1936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR193WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 1075 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 18005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFR193WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 96 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR193WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 16dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR194 | infineon | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BFR196R | infinen | SOT143 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR20 | PH | CAN | на замовлення 498 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR20-11P-1 | ITT Cannon, LLC | Description: CONN RCPT MALE 13P SILV SLDR CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR20-11S-1 | ITT Cannon | Circular MIL Spec Connector | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR20-15P-1 | ITT Cannon, LLC | Description: CONN RCPT MALE 7P SILV SLDR CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR20-15S-1 | ITT Cannon, LLC | Description: CONN RCPT FMALE 7P SILV SLDR CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR20-17P-1 | ITT Cannon, LLC | Description: CONN RCPT MALE 6P SILV SLDR CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR20-18P-1 | ITT Cannon, LLC | Description: CONN RCPT MALE 9P SILV SLDR CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR20-18S | ITT Cannon, LLC | Description: CONN RCPT FMALE 9P SILV SLDR CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR20-19P-1 | ITT Cannon, LLC | Description: CONN RCPT MALE 3P SILV SLDR CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR20-22S-1 | ITT Cannon | D-Sub Standard Connectors | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR20-23S-1 | ITT Cannon | Circular MIL Spec Connector | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR20-24P-1 | ITT Cannon, LLC | Description: CONN RCPT MALE 4P SILV SLDR CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR20-27P-1 | ITT Cannon | Circular MIL Spec Connector | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR20-27S | ITT Cannon, LLC | Description: CONN RCPT FMALE 14P SOLDER CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR20-27S-1 | ITT Cannon, LLC | Description: CONN RCPT FMALE 14P SOLDER CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR20-27S-1A206 | ITT Cannon, LLC | Description: ER 14C 14#16 SKT RECP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFR20-27SY-1A206 | ITT Cannon, LLC | Description: BFR 14C 14#16 SKT RECP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

