Продукція > CSD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CSD16322Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8SON Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): +10V, -8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Supplier Device Package: 8-SON Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16322Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8SON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): +10V, -8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Supplier Device Package: 8-SON Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16323Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16323Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16323Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 4400 µohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm | на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16323Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16323Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16323Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16323Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16323Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16323Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 4400 µohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm | на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 79 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16323Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16323Q3 | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Pwr MOSF ET | на замовлення 56716 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16323Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16323Q3C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8SON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): +10V, -8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SON-EP (3x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16323Q3C | Texas Instruments | MOSFET Dual Cool NCh NexFET Power MOSFET | на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16323Q3C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8SON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): +10V, -8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SON-EP (3x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16323Q3T | Texas Instruments | Description: PROTOTYPE Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16325Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 12.5 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16325Q5 | Texas Instruments | MOSFETs N-Channel NexFET Pow er MOSFET | на замовлення 2675 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16325Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16325Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16325Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R | на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16325Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 12.5 V | на замовлення 7688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16325Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R | на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16325Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R | на замовлення 5572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16325Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 12.5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16325Q5C | Texas Instruments | MOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16327Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16327Q3 | Texas Instruments | MOSFETs N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD163 A 595-CSD16327Q3T | на замовлення 6605 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16327Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16327Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 3400 µohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 8V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm | на замовлення 2332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16327Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16327Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | на замовлення 4351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16327Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16327Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16327Q3 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16327Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 3400 µohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 8V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm | на замовлення 2332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16327Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16327Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16327Q3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | на замовлення 3750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16327Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16327Q3T Код товару: 153742
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| CSD16327Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16327Q3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V | на замовлення 3954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16327Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16327Q3T | Texas Instruments | MOSFETs 25-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD16327Q3 | на замовлення 1753 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16327Q3T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 60A; Idm: 240A; 74W; VSON-CLIP8 Case: VSON-CLIP8 Mounting: SMD Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 74W Polarisation: unipolar Technology: NexFET™ Drain current: 60A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 25V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -8...10V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 6.5mΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16340Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16340Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16340Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16340Q3 | Texas Instruments | MOSFETs N Channel NexFET Pow er MOSFET A 595-CSD A 595-CSD16340Q3T | на замовлення 8980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16340Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16340Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V | на замовлення 20474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16340Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16340Q3T | Texas Instruments | MOSFETs 25V -55 to 150 A 595 -CSD16340Q3 A 595-C A 595-CSD16340Q3 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16340Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16340Q3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16340Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16340Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16340Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16340Q3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V | на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16342Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 1437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16342Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V | на замовлення 2963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16342Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16342Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16342Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16342Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 8V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16342Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16342Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16342Q5A | Texas Instruments | MOSFETs N-Channel NexFET Pow er MOSFET | на замовлення 4207 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16342Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 1437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16342Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD163CEVM-591 | Texas Instruments | Power Management IC Development Tools CSD163CEVM-591 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD163CEVM-591 | Texas Instruments | Description: EVAL BOARD FOR TPS40304 Packaging: Bulk Voltage - Output: 1.2V Voltage - Input: 8V ~ 14V Current - Output: 25A Contents: Board(s) Frequency - Switching: 600kHz Regulator Topology: Buck Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: TPS40304 Supplied Contents: Board(s) Main Purpose: DC/DC, Step Down Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output Part Status: Active | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD163CEVM-591 | Texas Instruments | TPS40304 DC to DC Controller 1.17VDC to 1.23VDC Output Evaluation Board | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16401Q5 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16401Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1300 µohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 3.1W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 44 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16401Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16401Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 38A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V | на замовлення 1489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16401Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16401Q5 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16401Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1300 µohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 3.1W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16401Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16401Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16401Q5 | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs A 595-CSD1640 A 595-CSD16401Q5T | на замовлення 1760 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16401Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 38A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16401Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16401Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16401Q5T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V | на замовлення 705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16401Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16401Q5T | Texas Instruments | MOSFETs 25-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD16401Q5 | на замовлення 502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16401Q5T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 240A; 156W Case: VSON-CLIP8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 156W Polarisation: unipolar Technology: NexFET™ Drain current: 100A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 25V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -12...16V On-state resistance: 2.3mΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16401Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16401Q5T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16401Q5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16403Q5A | Texas Instruments | MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs | на замовлення 5118 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16403Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16403Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 28A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V | на замовлення 12699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16403Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16403Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16403Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 28A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD16403Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16404Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16404Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16404Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 81 A, 4100 µohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm | на замовлення 1416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD16404Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 12.5 V | на замовлення 2493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|