Продукція > IKW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IKW40N120CS7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 357 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 82A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N120H3 | Infineon Technologies | High speed Trans IGBT Chip | на замовлення 284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N120H3 | Infineon | IGBT 1200 В, 80 А, TO-247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N120H3 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N120H3 Код товару: 153177
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IKW40N120H3 | Infineon | Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C; IKW40N120H3 TIKW40n120h3 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 561 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N120H3FKSA1 Код товару: 144428
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IKW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 4180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N120H3FKSA1 | Infineon | IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 483W Through Hole PG-TO247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N120H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N120H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V MSL: - Verlustleistung: 483W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 7915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 80A Power dissipation: 483W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 185nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H3 Technology: TRENCHSTOP™ 3 | на замовлення 422 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 4181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 355 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns Switching Energy: 4.4mJ Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 185 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 483 W | на замовлення 2094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N120T2 Код товару: 150870
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
|
| |||||||||||||
| IKW40N120T2 | Infineon | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N120T2 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A | на замовлення 205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N120T2 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N120T2 Код товару: 73806
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IKW40N120T2 | Infineon | IGBT 1200 В, 40 А, PG-TO247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N120T2FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N120T2FKSA1 - IGBT, 75 A, 1.75 V, 480 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 480W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 75A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N120T2FKSA1 | Infineon | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A | на замовлення 523 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3 Collector current: 40A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 165A Technology: TRENCHSTOP™ Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Kind of package: tube Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Power dissipation: 480W Gate charge: 192nC Type of transistor: IGBT | на замовлення 218 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 1200V 75A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 258 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 33ns/314ns Switching Energy: 5.25mJ Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 192 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 480 W | на замовлення 3936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N60DTP | Infineon | на замовлення 21840 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IKW40N60DTP | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 67A 246W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 67A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 87 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/222ns Switching Energy: 1.06mJ (on), 610µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10.1Ohm, 15V Gate Charge: 177 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 67 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 246 W | на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 67A 246W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N60DTPXKSA1 | Infineon | IKW40N60DTPXKSA1 IKW40N60DT Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306mW TO-247 Транзистори | на замовлення 60 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 67A 246W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N60DTPXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N60DTPXKSA1 - IGBT, 67 A, 1.6 V, 246 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6 Verlustleistung Pd: 246 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TRENCHSTOP DC-Kollektorstrom: 67 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N60H3 | Infineon Technologies | IGBTs 600V 40A 306W | на замовлення 328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N60H3 | Infineon Technologies | Description: IKW40N60 - DISCRETE IGBT WITH AN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N60H3 | Infineon technologies | на замовлення 243 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IKW40N60H3 Код товару: 128556
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IKW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 153W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 223nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 160A Turn-on time: 52ns Turn-off time: 218ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N60H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N60H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 306 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V MSL: - Verlustleistung: 306W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 124 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/197ns Switching Energy: 1.68mJ Test Condition: 400V, 40A, 7.9Ohm, 15V Gate Charge: 223 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 306 W | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N60H3FKSA1 | Infineon | IKW40N60H3FKSA1 IKW40N60H3 IGBT 600V 80A 306.0W TO247-3 Транзистори | на замовлення 35 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N60H3FKSA1 (TO-247, Infineon) IGBT N-ch 600V/80A Код товару: 160842
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В | товару немає в наявності
|
| |||||||||||||
| IKW40N65ES5 | Infineon Technologies | IGBTs Trenchstop 5 IGBT | на замовлення 347 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N65ES5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 115W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Turn-on time: 37ns Turn-off time: 153ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ 5 | на замовлення 175 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY | на замовлення 321 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N65ES5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N65ES5XKSA1 - IGBT, 79 A, 1.7 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 79A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 79A TO247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT with Anti-parallel Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT with Anti-parallel Diode | на замовлення 34800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N65ET7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 76A; 230.8W; TO247-3; 1.05mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 76A Power dissipation: 230.8W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 235nC Turn-on switching energy: 1.05mJ Technology: Field Stop; Trench | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package | на замовлення 7800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT with Anti-parallel Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N65ET7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N65ET7XKSA1 - IGBT, 76 A, 1.35 V, 230.8 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 230.8W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 76A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 76A TO247-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 230.8 W Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 76 A Part Status: Active Gate Charge: 235 nC Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 1.05mJ (on), 590µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 20ns/310ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT with Anti-parallel Diode | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N65F5 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 74A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 73 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 19ns/165ns Switching Energy: 350µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Grade: Automotive Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 250 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N65F5F | Infineon Technologies | Description: IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 255 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N65F5FKSA1 | Infineon | IKW40N65F5FKSA1 IKW40N65F5 Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N65F5FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N65F5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 74A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 255 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N65F5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 74A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: F5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N65H5 | Infineon | IGBT Chip N-CH Trench Field Stop 650V 74A 255W IKW40N65H5FKSA1 TIKW40n65h5 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N65H5 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N65H5 | Infineon technologies | на замовлення 242 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IKW40N65H5 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N65H5 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N65H5 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 74A TO247-3 Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Switching Energy: 380µJ (on), 120µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 20ns/153ns IGBT Type: Trench Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 250 W Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 92 nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 74A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 62 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 22ns/165ns Switching Energy: 390µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 255 W | на замовлення 1165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

