Продукція > IRL
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRL3102STRLPBF | Infineon / IR | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 38.7nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3102STRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3102STRRPBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103 Код товару: 7965
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, V: 30 V Струм стоку Idd, A: 61 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,013 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2500/58 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRL3103 | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 64A TO-220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103 Код товару: 189656
Додати до обраних
Обраний товар
| JSMicro | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Напруга сток-витік Uds, V: 30 V Струм стоку Idd, A: 64 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 12 mOhm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 12 mOhm Монтаж: THT | у наявності: 111 шт
|
| ||||||||||||||||
| IRL3103D1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 64A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103D1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 64A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103D1S | IR | TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103D1S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103D1SPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103D1STRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103D1STRL | IOR | 2000 | на замовлення 760 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103D1STRLP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±16V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103D1STRLP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103D1STRLP | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103D1STRLPBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103D1STRR | Vishay | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103D1STRR | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103D1STRRPBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103D2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 54A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103D2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 54A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103D2S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 54A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103D2S | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103D2STRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 54A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103D2STRL | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103HR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103L | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 64A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103LHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103LPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 22nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103LPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 64A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 64A TO-220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103PBF Код товару: 52399
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Напруга сток-витік Uds, V: 30 V Струм стоку Idd, A: 64 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 12 mOhm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1650/33 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRL3103PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 30V 56A 12mOhm 22nC LogLvlAB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 64A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRL3103PBF - IRL3103 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103S | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103S Код товару: 24772
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRL3103SHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(2+Tab) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103SHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103SPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 12mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103SPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103STRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103STRL | IR | 01+ TO263 | на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103STRLHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103STRLPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRL3103STRLPBF - IRL3103 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 20913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRL3103STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 110W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 64A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103STRLPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 22nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 134913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRL3103STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRL3103STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103STRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103STRR | HARRIS | 2001 | на замовлення 680 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103STRRHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103STRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 94W (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103STRRPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 22nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3104S | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3202L | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 48A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 7V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: TO-262-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3202PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 48A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 7V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3202PBF Код товару: 56364
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRL3202S | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3202S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 48A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 7V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3202STRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 48A D2PAK Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 7V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3215 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 12A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 166mOhm @ 7.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3215 | на замовлення 1700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRL3215 Код товару: 55948
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRL3215HR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3215PBF | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 150V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 11212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRL3215PBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3302 | International Rectifier/Infineon | N-канальный ПТ (Vds=20V, Id=39A@T=25C, Rds=20mOhm @Vgs=7V, P=57W, -55 to 175C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3302 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 39A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 23A, 7V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3302L | Vishay / Siliconix | MOSFET Discrete Semiconductor Products | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3302L | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 39A TO262-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V Supplier Device Package: TO-262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 23A, 7V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3302L | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3302PBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3302PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 39A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 23A, 7V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3302S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 23A, 7V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3302S | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3302SPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 23A, 7V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3302SPBF | Infineon / IR | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 8.7nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3302ST | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3302STRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 23A, 7V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3302STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3302STRLPBF | Infineon / IR | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 20.7nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3302STRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 23A, 7V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3302STRRPBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3303 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 38A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3303 | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3303D1 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3303D1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 38A TO220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 68W (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3303D1PBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3303D1S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3303D1S Код товару: 79756
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D2PAK (TO-263) Напруга сток-витік Uds, V: 30 V Струм стоку Idd, A: 27 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,026 Ohm Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRL3303D1S | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3303D1SHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3303D1SPBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3303D1STRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |