Продукція > MJE

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MJE15032GonsemiDescription: TRANS NPN 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 2657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.52 грн
50+94.26 грн
100+84.96 грн
500+64.43 грн
1000+59.52 грн
2000+55.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W NPN
на замовлення 10220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+96.74 грн
148+95.78 грн
150+94.82 грн
500+90.51 грн
1000+75.23 грн
2000+47.05 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
на замовлення 461 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+130.06 грн
10+83.03 грн
40+59.54 грн
50+56.19 грн
100+53.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032G (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 28060
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 250 V
Ucbo,V: 250 V
Ic,A: 8 А
h21: 70
Монтаж: THT
товару немає в наявності
очікується: 100 шт
  • 100 шт - очікується 05.07.2026
1+26.50 грн
10+23.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GMJE15033G
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032MJE15033
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033onsemiDescription: TRANS PNP 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.Description: TRANS PNP 250V 8A To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.19 грн
10+72.53 грн
100+43.55 грн
500+28.61 грн
1000+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033On SemiconductorТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033CEVVODescription: TRANS PNP 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.25 грн
10+100.31 грн
100+68.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A, 2W, 250V Complementary Silicon Plastic Power Transistor
на замовлення 23135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.36 грн
50+140.02 грн
100+126.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+54.21 грн
100+53.67 грн
500+53.13 грн
1000+50.78 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
232+61.16 грн
234+60.55 грн
236+59.95 грн
Мінімальне замовлення: 232 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GOn SemiconductorТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
269+52.66 грн
Мінімальне замовлення: 269 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Current gain: 50
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON-SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB MJE15033G ONS TMJE15033 ons
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+77.98 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+281.36 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.16 грн
50+60.55 грн
100+59.95 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033G
Код товару: 27993
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
Гранична частота fT, MHz: 30 MHz
Напруга Uке, V: 250 V
Напруга Uкб, V: 250 V
Струм Iк, A: 8 A
Коефіцієнт підсилення h21, max: 70
у наявності: 24 шт
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+30.00 грн
10+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+114.26 грн
250+73.55 грн
500+71.66 грн
1000+66.75 грн
2500+60.22 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15033G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.81 грн
11+77.46 грн
100+65.76 грн
500+48.91 грн
1000+42.43 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GonsemiDescription: TRANS PNP 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.66 грн
50+96.22 грн
100+86.76 грн
500+65.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorТранзистор PNP, Ptot,Вт = 2, VCEO,В = 250, Ic = 8 А, Тип монт. = выводной, ft,МГц = 30, hFE = 10 (при 2A, 5 В), VCEO(sat),В = 0.5 @ 100 мА, 1A, Тэксп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+67.00 грн
100+57.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034onsemiDescription: TRANS NPN 350V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034(транзистор)
Код товару: 67257
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+110.15 грн
250+98.50 грн
500+77.54 грн
1000+65.36 грн
2500+58.14 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+125.54 грн
6+82.19 грн
10+68.77 грн
50+51.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GonsemiDescription: TRANS NPN 350V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.28 грн
50+85.34 грн
100+76.78 грн
500+57.99 грн
1000+53.47 грн
2000+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W NPN
на замовлення 5724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15034G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.06 грн
12+72.99 грн
100+69.99 грн
500+64.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+164.15 грн
194+72.95 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034G(транзистор)
Код товару: 61129
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034MJE15035
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035
Код товару: 67258
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
Гранична частота fT, MHz: 30 MHz
Напруга Uке, V: 350 V
Напруга Uкб, V: 350 V
Струм Iк, A: 4 A
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035onsemiDescription: TRANS PNP 350V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15035G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.00 грн
11+77.95 грн
100+65.92 грн
500+48.76 грн
1000+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+53.67 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GonsemiDescription: TRANS PNP 350V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.87 грн
50+66.16 грн
100+59.28 грн
500+44.31 грн
1000+40.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W PNP
на замовлення 5149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+200.31 грн
14+55.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GON SemiconductorТранзистор PNP , Тип монт. выводной, VCEO,В x, Ic x, Ptot,Вт x, ft,МГц x,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+55.43 грн
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Collector current: 4A
Power dissipation: 50W
Collector-emitter voltage: 350V
Frequency: 30MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 173 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+130.06 грн
10+63.74 грн
50+53.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GOn SemiconductorTRANS PNP 350V 4A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G(транзистор)
Код товару: 61130
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE16002
на замовлення 7253 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE16002HARRISMJE16002
на замовлення 9182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+143.79 грн
500+128.47 грн
1000+119.04 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE16002Harris CorporationDescription: TRANS NPN 6V 5A TO220AB
Power - Max: 80 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1.5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 9182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+74.99 грн
Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE16004onsemiDescription: TRANS NPN 450V 5A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 103800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+46.39 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE16004ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE16004 - 5-A SWITCH MAX II POWER TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 103800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+48.69 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE16004Motorola(NPN,450V,5A,80W,TO-220AB) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE16004ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 103800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+77.85 грн
505+70.06 грн
1000+64.62 грн
10000+55.55 грн
100000+43.10 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170onsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A TO126
Power - Max: 12.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170ON09+
на замовлення 20148 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170On SemiconductorТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GOn SemiconductorPNP 40V 3A TO-225AA (TO-126-3) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 6890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
868+40.78 грн
1000+37.61 грн
Мінімальне замовлення: 868 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE170G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.61 грн
13+64.05 грн
100+42.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GON Semiconductor
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
868+40.78 грн
1000+37.61 грн
Мінімальне замовлення: 868 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W PNP
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A TO-126
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
на замовлення 9122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.22 грн
10+52.16 грн
100+34.44 грн
500+25.17 грн
1000+22.87 грн
2000+20.93 грн
5000+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170G
Код товару: 161611
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+23.88 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170S
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170STUonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A TO126-3
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TO-126-3
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171On SemiconductorPNP, Uкэ=60V, Iк=3A (6 имп.), h21=12...250, 50МГц, 12.5Вт, TO-225AA (комплемент. MJE181) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171onsemiDescription: TRANS PNP 60V 3A TO-126
Power - Max: 12.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
614+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 614 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
434+32.64 грн
481+29.45 грн
544+26.01 грн
1000+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 434 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 3A TO-126
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.17 грн
10+65.67 грн
100+43.58 грн
500+32.02 грн
1000+29.16 грн
2000+26.75 грн
5000+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+31.79 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+36.87 грн
1000+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE171G - Bipolarer HF-Transistor, PNP, -60 V, 50 MHz, 1.5 W, -3 A, TO-225
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: -3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.91 грн
15+57.87 грн
100+37.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.36 грн
24+32.64 грн
100+29.45 грн
500+25.08 грн
1000+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W PNP
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171STUonsemiDescription: TRANS PNP 60V 3A TO-126-3
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TO-126-3
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Power Sw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]