Продукція > NSV

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NSV60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.30 грн
17+48.20 грн
100+31.46 грн
500+22.57 грн
1000+18.74 грн
5000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T1GON Semiconductor
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSV60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.46 грн
500+22.57 грн
1000+18.74 грн
5000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.11 грн
10+35.78 грн
100+24.79 грн
500+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)
на замовлення 155832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 364000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.11 грн
10+35.93 грн
100+24.88 грн
500+19.51 грн
1000+16.60 грн
2000+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 364000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+16.36 грн
8000+14.93 грн
12000+13.82 грн
28000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)
на замовлення 4530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV9435T1GonsemiDigital Transistors SS SOT233 BR XSTR PNP
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV9435T1GON Semiconductor
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSV9435T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 30V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 800mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 720 mW
Frequency - Transition: 110 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 20965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.98 грн
10+41.51 грн
100+27.10 грн
500+19.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV9435T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 30V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 800mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 720 mW
Frequency - Transition: 110 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.65 грн
2000+17.25 грн
3000+16.40 грн
5000+14.48 грн
7000+13.95 грн
10000+13.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV9435T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 300mV; 3A; 720mW; SOT223; 10kΩ
Application: automotive industry
Kind of transistor: BRT
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Case: SOT223
Collector-emitter voltage: 300mV
Power dissipation: 0.72W
Collector current: 3A
Quantity in set/package: 1000pcs.
Pulsed collector current: 5A
Current gain: 220
Base resistor: 10kΩ
Frequency: 110MHz
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA235(MPS-F-7217
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA278JRCSMD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA278-903MHZ
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA278903MHZ
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA279JRCSMD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA279927MHZ
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA391
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA531
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA531.
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA531/886.0/931.
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA541
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA541.
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA543(1765MHZ)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVA543-1765MHZJRC3X3
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB114YPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB114YPDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS BRT 50V 100MA SOT563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB123JPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SRF MT RST XSTR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB123JPDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB124XPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 COMPLEMENTARY
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB124XPDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB143TPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2273+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 2273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB143TPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS RSTR XSTR TR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB143TPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB143ZPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-563 COMPLEMENTARY 4.7/47 K OH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB143ZPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2147+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 2147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB143ZPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB144EPDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR TR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB144EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB1706DMW5T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88-A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.08 грн
10+32.23 грн
100+20.72 грн
500+14.79 грн
1000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB1706DMW5T1GonsemiDigital Transistors Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 6038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVB1706DMW5T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88-A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.59 грн
6000+11.10 грн
9000+10.58 грн
15000+9.37 грн
21000+9.05 грн
30000+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA114EDXV6T1GonsemiDigital Transistors SS SOT563 RSTR XSTR
на замовлення 3488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563-6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4873+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 4873 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA114EMXWTBGonsemiDigital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA114EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
29+10.64 грн
33+9.42 грн
100+7.57 грн
250+6.97 грн
500+6.60 грн
1000+6.20 грн
2500+5.88 грн
5000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA114YDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA114YDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA123YMXWTBGonsemiDigital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA123YMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
29+10.64 грн
33+9.42 грн
100+7.57 грн
250+6.97 грн
500+6.60 грн
1000+6.20 грн
2500+5.88 грн
5000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA124EMXWTBGonsemiDigital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA124EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
29+10.64 грн
33+9.42 грн
100+7.57 грн
250+6.97 грн
500+6.60 грн
1000+6.20 грн
2500+5.88 грн
5000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA143EMXWTBGonsemiDigital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA143EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
15+21.51 грн
100+13.65 грн
500+9.64 грн
1000+8.61 грн
2000+7.75 грн
5000+6.70 грн
10000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP BIPO 60V SOT564
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
14+22.34 грн
100+11.28 грн
500+8.63 грн
1000+6.41 грн
2000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA143ZDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP BIPO 60V SOT564
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.96 грн
8000+5.49 грн
12000+4.75 грн
28000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA144EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
15+21.51 грн
100+13.65 грн
500+9.64 грн
1000+8.61 грн
2000+7.75 грн
5000+6.70 грн
10000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA144EMXWTBGonsemiDigital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS116LT3GonsemiDescription: DIODE STANDARD 75V 200MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS116LT3GONSEMICategory: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.2A; 3us; SOT23; Ufmax: 1.1V; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 3µs
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.1V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: small signal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS116LT3GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching 75V SWITCH DIODE SS SOT23
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 180-189 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS116LT3GonsemiDescription: DIODE STANDARD 75V 200MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16TT1GonsemiDescription: DIODE STD 100V 200MA SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
39+7.77 грн
100+4.81 грн
500+3.28 грн
1000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16TT1GON SemiconductorDiodes - General Purpose, Power, Switching SWITCHING DIODE 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16TT1GonsemiDescription: DIODE STD 100V 200MA SC75 SOT416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16TT1GonsemiSmall Signal Switching Diodes SWITCHING DIODE 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16W1T1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 200MA SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
25+12.45 грн
100+7.80 грн
500+5.39 грн
1000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16W1T1GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SC88 SWITCHING DIODE
на замовлення 1691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16W1T1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 200MA SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16W1T1GONSEMICategory: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 3ns; SC88; Ufmax: 1.2V; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 3ns
Semiconductor structure: triple independent
Case: SC88
Max. forward voltage: 1.2V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: small signal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16W1T1GONN
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16WT1G
на замовлення 444000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16WT3GonsemiDescription: DIODE STANDARD 100V 200MA SC703
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16WT3GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SC70 SWCH DIO 75V TR
на замовлення 9450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS19LT1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 120V 200MA SOT233
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 69155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.05 грн
66+4.60 грн
100+4.39 грн
500+2.48 грн
1000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS19LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS19LT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 120 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 120V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+9.35 грн
122+6.67 грн
256+3.18 грн
500+2.81 грн
1000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS19LT1GON Semiconductor
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS19LT1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 120V 200MA SOT233
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS19LT1GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SOT23 SWCH DIO 120V TR
на замовлення 31893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS19LT1GONSEMICategory: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 120V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 120V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS19LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS19LT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 120 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 120V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.81 грн
1000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS20LT3GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SWCH DIO 200V
на замовлення 9709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS20LT3GONSEMICategory: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: small signal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS20LT3GonsemiDescription: DIODE STANDARD 200V 200MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
48+6.34 грн
100+3.89 грн
500+2.65 грн
1000+2.32 грн
2000+2.05 грн
5000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS20LT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVBAS20LT3G - 200 V SWITCHING DIODE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS20LT3GonsemiDescription: DIODE STANDARD 200V 200MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9970 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS20LT3GON Semiconductor
на замовлення 9920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21AHT1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 250V 0.2A 2-Pin SOD-323 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21AHT1GON SemiconductorDiode Small Signal Switching 250V 0.2A 2-Pin SOD-323 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS21AHT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]