Продукція > NVB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVBLS1D7N10MCTXGonsemiDescription: PTNG 100V STD TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.4A (Ta), 265A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 303W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 698µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D7N10MCTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS1D7N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 265 A, 1800 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 303W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D7N10MCTXGonsemiMOSFETs PTNG 100V STD TOLL
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS4D0N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 584µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS4D0N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 316W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS4D0N15MConsemiMOSFETs PTNG 150V IN CEBU TOLL FOR AUTOMOTIVE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS4D0N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS4D0N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 584µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS4D0N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS4D0N15MCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 187A; Idm: 900A; 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 158W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Pulsed drain current: 900A
Gate charge: 90.4nC
Drain current: 187A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS4D0N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBPPanduitRacks & Rack Cabinets N TYPE VERTICAL BLKG PANELS 42RU-8RU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBP1000Panduit CorpDescription: N-TYPE VERTICAL BLANKING PANELS
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBV-M207-6ABB Power Electronics Inc.Description: PA NVBVM2076 FTNG 90C M20 NW17 P
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBV-M253-11ABB Power Electronics Inc.Description: PA NVBVM25311 FTNG 90C M25NW23 P
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBV-M253-11ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories FTNG 90C M25NW23 PA6/BR 11 IP68 BLK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBV-M253GT-11ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories FTNG 90C M25NW23 PA6/BR 11 68GT BLK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBV-M257-11ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories FTNG 90C M25NW17 PA6/BR 11 IP68 BLK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBV-M257GT-11ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories FTNG 90C M25NW17 PA6/BR 11 68GT BLK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBYST001N08XTXGonsemiMOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET IN TCPAK 10X12 (FQB6)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBYST001N08XTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 467A 16TCPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 467A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.19mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 475µA
Supplier Device Package: 16-TCPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8678 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBYST001N08XTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 467A 16TCPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 467A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.19mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 475µA
Supplier Device Package: 16-TCPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8678 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBYST0D6N08XTXGonsemiMOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET IN TCPAK 10X12
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBYST0D8N08XTXGonsemiMOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET IN TCPAK 10X12 (FQB8)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBYST1D4N08XTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 396A 16TCPAK
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+332.34 грн
10+211.42 грн
100+149.72 грн
500+121.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBYST1D4N08XTXGonsemiMOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET IN TCPAK 10X12 (FQB7)
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBYST1D4N08XTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 396A 16TCPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.