Продукція > PDT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PDTA114EK115PhilipsDescription: TRANS PREBIAS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 707973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8876+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 8876 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EKSOT23-0
на замовлення 177200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EMNexperiaNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EM,315NXP SemiconductorsTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5629+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 5629 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EM,315Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883
Resistors Included: R1 and R2
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EM,315NexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EM,315NexperiaDigital Transistors PDTA114EM/SOT883/XQFN3
на замовлення 5055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EM,315NexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5629+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 5629 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EM,315Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
на замовлення 6549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
28+10.87 грн
100+6.76 грн
500+4.67 грн
1000+4.12 грн
2000+3.66 грн
5000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EM-QYLNexperia USA Inc.Description: PDTA114EM-Q/SOT883/XQFN3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EM-QYLNexperia USA Inc.Description: PDTA114EM-Q/SOT883/XQFN3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EM/L315NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EMB,315NexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EMB,315NexperiaDigital Transistors PDTA114EMB/SOT883B/XQFN3
на замовлення 4349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EMB,315Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EMB,315NexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EMB,315Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 14127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.66 грн
100+6.02 грн
500+4.13 грн
1000+3.64 грн
2000+3.23 грн
5000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQA147NXP USA Inc.Description: TRANS PREBIAS
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 280 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9489+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 9489 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQA147NXPDescription: NXP - PDTA114EQA147 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12077 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQAZNexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQAZNXP SemiconductorsTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 440mW Automotive 3-Pin DFN-D EP
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5495+6.44 грн
10000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 5495 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA114EQAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQAZNexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQAZNexperiaDigital Transistors PDTA114EQA/SOT1215/DFN1010D-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQAZNexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQB-QZNexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQB-QZNexperiaDigital Transistors PDTA114EQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQB-QZNexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 420mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5129+6.89 грн
10000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 5129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQB-QZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA114EQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 340mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQB-QZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA114EQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 340mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQBZNexperiaPDTA114EQBZ
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9678+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 9678 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQBZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA114EQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: DFN1110D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQBZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA114EQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: DFN1110D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQBZNexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQBZNexperiaDigital Transistors PDTA114EQB/SOT8015/DFN1110D-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQC-QZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA114EQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQC-QZNexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 180 MHz
Power - Max: 360 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1412D-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQC-QZNexperiaDigital Transistors SOT8009 50V .1A PNP RET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQC-QZNexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5770+6.13 грн
10000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 5770 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQC-QZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA114EQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQCZNexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 180 MHz
Power - Max: 360 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1412D-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQCZNexperiaDigital Transistors PDTA114EQC/SOT8009/DFN1412D-3
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQCZNexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQCZNexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 180 MHz
Power - Max: 360 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1412D-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 24970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.74 грн
100+6.03 грн
500+4.14 грн
1000+3.65 грн
2000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ES AMONXP SemiconductorsBipolar Transistors - Pre-Biased TRANS RET AMMO RADIAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ES,126NXP USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ETNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ETNXP SEMICONDUTORSTRANS PREBIAS PNP 50V 250MW TO236AB
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
6+56.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET T/RNXP SemiconductorsTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16043+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 16043 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET T/RNXP SemiconductorsDigital Transistors TRANS RET TAPE-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,215NexperiaTRANS PREBIAS PNP 50V SOT-23-3 Транзистори
на замовлення 600 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,215NexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,215NXP USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,215NexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,215NXP/Nexperia/We-EnТранзистор цифровий smd, Структура = PNP, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, hFE = 30 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 1 мкА, Ptot, Вт = 0,25, R1, кОм = 10, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,15 @ 500 мкA, 10 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,215NexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+4.34 грн
250+3.20 грн
1000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,215Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA114ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,215NexperiaDigital Transistors PDTA114ET/SOT23/TO-236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,215NexperiaTransistor PNP; 30; 250mW; 50V; 100mA; 180MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: PDTA114ET,235 (10K/RL); PDTA114ET,215 (3K/RL); PDTA114ET/DG/B2; PDTA114ET/DG/B4,21; PDTA114ET,215 TPDTA114et
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,215NexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,215NEXPERIACategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 30
на замовлення 8641 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.93 грн
60+7.04 грн
85+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,215NexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8523+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 8523 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,215Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,235NXP SemiconductorsTrans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 64176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14355+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 14355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,235NXPDescription: NXP - PDTA114ET,235 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 154808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25773 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,235NexperiaDigital Transistors PDTA114ET/SOT23/TO-236AB
на замовлення 4537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,235NexperiaTRANS PREBIAS PNP 50V SOT-23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,235Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 14331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.19 грн
52+5.89 грн
100+3.62 грн
500+2.45 грн
1000+2.15 грн
2000+1.89 грн
5000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,235NXP SemiconductorsTrans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14355+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 14355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,235NexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,235Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET-QRNexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET-QRNEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA114ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET-QRNEXPERIACategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Frequency: 180MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET-QRNexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET-QRNEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA114ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET-QRNexperiaDigital Transistors PDTA114ET-Q/SOT23/TO-236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET-QRNexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 180 MHz
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET-QVLNexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 180 MHz
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: TO-236AB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET-QVLNexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET-QVLNexperiaDigital Transistors PDTA114ET-Q/SOT23/TO-236AB
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET-QVLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA114ET-QVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET-QVLNexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET-QVLNexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET-QVLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA114ET-QVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET.215
Код товару: 133123
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT, МГц: 180 МГц
Напруга Uке, В: 50 В
Напруга Uкб, В: 50 В
Струм Iк, А: 0,1 А
товару немає в наявності
5+4.00 грн
10+3.30 грн
100+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET.215NXPТранзистор: PNP, биполярный, 50В, 100мА, 250мВт, SOT23,TO236AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET/DG/B2,215NXP SemiconductorsPDTA114ET/DG/B2,215
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5455+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 5455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET/DG/B2215NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET/FD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ETGEGSMDNXPSC-75 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EUNXPSOT323 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EUNXP08+ SOT-323
на замовлення 507000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EU
Код товару: 43344
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EUNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EU(03)
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EU,115NexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+14.87 грн
88+8.62 грн
89+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EU,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
46+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EU,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA114EU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.