Продукція > PDT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 12 16 20 24 28 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PDTA114EMB,315Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 14237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.86 грн
29+10.54 грн
50+7.51 грн
100+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EMB,315NexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EMB,315Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q100
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EMB,315NexperiaDigital Transistors SOT883B 50V .1A PNP RET
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.52 грн
24+13.34 грн
100+7.04 грн
500+5.11 грн
1000+4.49 грн
2500+3.93 грн
5000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQA147NXPDescription: NXP - PDTA114EQA147 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12077+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 12077 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQA147NXP USA Inc.Description: TRANS PREBIAS
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 280 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9489+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 9489 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQAZNXP SemiconductorsTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 440mW Automotive 3-Pin DFN-D EP
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6123+5.79 грн
10000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 6123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQAZNexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 280 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQAZNexperiaDigital Transistors PDTA114EQA/SOT1215/DFN1010D-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQAZNexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS
Packaging: Bulk
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11585+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 11585 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA114EQAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQB-QZNexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
26+11.67 грн
50+8.36 грн
100+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQB-QZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA114EQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+19.97 грн
67+12.08 грн
108+7.52 грн
500+5.12 грн
1000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQB-QZNexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 420mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5704+6.22 грн
10000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 5704 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQB-QZNexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQB-QZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA114EQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.08 грн
108+7.52 грн
500+5.12 грн
1000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQB-QZNexperiaDigital Transistors SOT8015 50V .1A PNP RET
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.24 грн
24+13.73 грн
100+7.32 грн
500+5.25 грн
1000+4.56 грн
2500+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQBZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA114EQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: DFN1110D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+21.18 грн
47+17.48 грн
100+9.34 грн
500+5.69 грн
1000+3.57 грн
5000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQBZNexperiaPDTA114EQBZ
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9678+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 9678 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQBZNexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQBZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA114EQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: DFN1110D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.69 грн
1000+3.57 грн
5000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQBZNexperiaDigital Transistors PDTA114EQB/SOT8015/DFN1110D-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQBZNexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQC-QZNexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 180 MHz
Power - Max: 360 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1412D-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQC-QZNexperiaDigital Transistors SOT8009 50V .1A PNP RET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQC-QZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA114EQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.00 грн
108+7.48 грн
500+5.10 грн
1000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQC-QZNexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 180 MHz
Power - Max: 360 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1412D-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.31 грн
32+9.50 грн
100+5.87 грн
500+4.04 грн
1000+3.56 грн
2000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQC-QZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA114EQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+19.89 грн
68+12.00 грн
108+7.48 грн
500+5.10 грн
1000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQC-QZNexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5770+6.14 грн
10000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 5770 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQCZNexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 180 MHz
Power - Max: 360 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1412D-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+3.56 грн
10000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQCZNexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQCZNexperiaDigital Transistors SOT8009 50V .1A PNP RET
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.87 грн
25+12.94 грн
100+6.90 грн
500+4.97 грн
1000+4.35 грн
2500+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EQCZNexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 180 MHz
Power - Max: 360 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1412D-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 24970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.64 грн
27+11.22 грн
50+8.00 грн
100+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ES AMONXP SemiconductorsBipolar Transistors - Pre-Biased TRANS RET AMMO RADIAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ES,126NXP USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ETNXP SEMICONDUTORSTRANS PREBIAS PNP 50V 250MW TO236AB
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+56.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ETNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET T/RNXP SemiconductorsTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16043+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 16043 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET T/RNXP SemiconductorsDigital Transistors TRANS RET TAPE-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,215Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,215NexperiaDigital Transistors PDTA114ET/SOT23/TO-236AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,215NEXPERIACategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 30
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,215NexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16043+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 16043 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,215NexperiaTRANS PREBIAS PNP 50V SOT-23-3 Транзистори
на замовлення 600 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,215PhilipsPDTA114ET,215
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16043+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 16043 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,215Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.77 грн
64+4.71 грн
103+2.92 грн
500+1.97 грн
1000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,215NexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16043+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 16043 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,215NexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 53900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16043+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 16043 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA114ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+11.68 грн
133+6.09 грн
211+3.82 грн
500+2.68 грн
1500+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,215NXP/Nexperia/We-EnТранзистор цифровий smd, Структура = PNP, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, hFE = 30 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 1 мкА, Ptot, Вт = 0,25, R1, кОм = 10, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,15 @ 500 мкA, 10 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,235NXP SemiconductorsTrans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14355+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 14355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,235Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,235NXPDescription: NXP - PDTA114ET,235 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 154808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25773+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 25773 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,235NexperiaTRANS PREBIAS PNP 50V SOT-23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,235NXP SemiconductorsTrans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 101776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14355+2.47 грн
100000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 14355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,235NexperiaDigital Transistors SOT23 50V .1A PNP RE T
на замовлення 18829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.04 грн
44+7.38 грн
100+3.45 грн
500+2.35 грн
1000+2.00 грн
2500+1.73 грн
5000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET,235Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.43 грн
40+7.48 грн
57+5.28 грн
100+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET-QRNEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA114ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET-QRNexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET-QRNexperiaDigital Transistors SOT23 50V .1A PNP RET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET-QRNexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 180 MHz
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET-QRNEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA114ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET-QRNEXPERIACategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 180MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET-QRNexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 975000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15152+2.34 грн
100000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 15152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET-QVLNexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET-QVLNexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 180 MHz
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: TO-236AB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET-QVLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA114ET-QVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET-QVLNexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET-QVLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA114ET-QVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET-QVLNexperiaDigital Transistors SOT23 50V .1A PNP RE T
на замовлення 9989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+20.05 грн
39+8.18 грн
100+3.80 грн
500+2.62 грн
1000+2.28 грн
2500+1.93 грн
5000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET.215
Код товару: 133123
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT, MHz: 180 MHz
Напруга Uке, V: 50 V
Напруга Uкб, V: 50 V
Струм Iк, A: 0,1 A
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+3.30 грн
100+2.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET.215NXPТранзистор: PNP, биполярный, 50В, 100мА, 250мВт, SOT23,TO236AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET/DG/B2,215NXP SemiconductorsPDTA114ET/DG/B2,215
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5455+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 5455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET/DG/B2215NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ET/FD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114ETGEGSMDNXPSC-75 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EUNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EUNXPSOT323 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EU
Код товару: 43344
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EUNXP08+ SOT-323
на замовлення 507000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EU(03)
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EU,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA114EU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EU,115NexperiaDigital Transistors SOT323 50V .1A PNP R ET
на замовлення 21851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+20.05 грн
38+8.49 грн
100+3.93 грн
500+2.69 грн
1000+2.35 грн
3000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EU,115NexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
495+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 495 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EU,115NXP SemiconductorsTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13889+2.55 грн
100000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 13889 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EU,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EU,115NEXPERIACategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 30
на замовлення 10319 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.26 грн
93+4.49 грн
159+2.63 грн
188+2.21 грн
250+1.66 грн
500+1.50 грн
1000+1.38 грн
3000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EU,115NexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7615+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 7615 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EU,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA114EU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EU,115NexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EU,115NexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 261000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13889+2.55 грн
100000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 13889 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EU,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.32 грн
54+5.61 грн
100+3.48 грн
500+2.36 грн
1000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EU,115NexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 495 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EU,135Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.32 грн
55+5.46 грн
100+3.35 грн
500+2.27 грн
1000+1.99 грн
2000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EU,135NexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EU,135Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EU,135NexperiaDigital Transistors PDTA114EU/SOT323/SC-70
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EU,135NexperiaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EU-QFNEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTA114EU-QF - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 379 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA114EU-QFNexperiaDigital Transistors SOT323 50V .1A PNP RET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 12 16 20 24 28 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]