Продукція > PJM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PJMK074N60FRCH_T0_00201PanjitMOSFETs 600V/ 74mOhms / 53A/ Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMK074N60FRCH_T0_00201Panjit International Inc.Description: 600V/ 74M / 53A/ FAST RECOVERY Q
Packaging: Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+563.06 грн
10+420.15 грн
30+384.48 грн
120+330.95 грн
270+318.16 грн
510+309.99 грн
1020+297.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMN060N65FR2_R2_00201Panjit International Inc.Description: 650V/ 60M / FAST RECOVERY QRR/T
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+472.97 грн
10+306.70 грн
100+222.40 грн
500+197.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMN060N65FR2_R2_00201PanjitMOSFETs 650V/ 60mO / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMN060N65FR2_R2_00201Panjit International Inc.Description: 650V/ 60M / FAST RECOVERY QRR/T
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMN080N65FR2_R2_00201PanjitMOSFETs 650V/ 75mO / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMN080N65FR2_R2_00201Panjit International Inc.Description: 650V/ 75M / FAST RECOVERY QRR/T
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.41 грн
10+256.15 грн
100+183.78 грн
500+156.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMN080N65FR2_R2_00201Panjit International Inc.Description: 650V/ 75M / FAST RECOVERY QRR/T
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+141.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP060N65FR2_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 58.3A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 58.3A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP060N65FR2_T0_00601PanjitMOSFETs 650V/ 60m ohms / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP060N65FR2_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 60M / FAST RECOVERY QRR/T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4614 pF @ 400 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 23A, 10V
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+464.43 грн
50+238.17 грн
100+217.99 грн
500+171.40 грн
1000+160.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP080N65FR2_T0_00601PanjitMOSFETs 650V/ 75m ohms / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP080N65FR2_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 75M / FAST RECOVERY QRR/T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 388W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3507 pF @ 400 V
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.87 грн
50+196.51 грн
100+179.25 грн
500+139.84 грн
1000+130.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP080N65FR2_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP099N60EC-T0PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP099N60EC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 99M / 39A/ EASY TO DRIVER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 308W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+587.91 грн
50+311.01 грн
100+286.40 грн
500+236.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP099N60EC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+620.96 грн
10+336.61 грн
100+277.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP099N60EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP105N60FRC-T0PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP105N60FRC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 35A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP105N60FRC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V/ 105mOhms / 35A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+481.63 грн
10+253.25 грн
100+200.89 грн
500+176.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP105N60FRC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 105M / 35A/ SJ MOSFET WITH
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP120N60EC-T0PanjitMOSFETs TO220 600V 30A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP120N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+568.50 грн
50+296.80 грн
100+272.70 грн
500+216.32 грн
1000+205.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP120N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Pulsed drain current: 69A
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+280.10 грн
10+232.67 грн
50+195.28 грн
100+175.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP120N60EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+591.16 грн
10+316.76 грн
100+252.66 грн
500+234.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP125N60FRC-T0PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP125N60FRC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO220AB
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Gate-source voltage: 30V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP125N60FRC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 125M / 30A/ SJ MOSFET WITH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-220AB-L
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+372.01 грн
50+188.06 грн
100+171.58 грн
500+133.96 грн
1000+127.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP125N60FRC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V/ 125mohms / 30A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP130N65EC-T0PanjitMOSFET TO-220AB-L/MOS/NFET-650FCTMNH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP130N65EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+270.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP130N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.89 грн
10+121.45 грн
100+83.78 грн
500+63.51 грн
1000+58.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP190N60E1-T0PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP190N60E1_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.6A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.6A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP190N65FR2_T0_00601PanjitMOSFETs 650V/ 180m ohms / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP190N65FR2_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.7A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.7A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP190N65FR2_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 180M / FAST RECOVERY QRR/
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 168.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1492 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.87 грн
50+114.44 грн
100+103.40 грн
500+78.90 грн
1000+73.07 грн
2000+68.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP210N65EC-T0PanjitMOSFETs TO220 650V 19A N-CH SJUNC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP210N65EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 42A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP210N65EC_T0_00601PanjitMOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 2812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.63 грн
10+89.71 грн
100+69.72 грн
500+62.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP210N65EC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1412 pF @ 400 V
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.74 грн
50+82.79 грн
100+74.47 грн
500+56.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP310N65EC-T0PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP360N60EC-T0PanjitMOSFETs TO220 600V 11A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP360N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.81 грн
50+58.17 грн
100+52.01 грн
500+38.67 грн
1000+36.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP360N60EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.28 грн
10+111.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP360N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP390N65EC-T0PanjitMOSFETs TO220 650V 10A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP390N65EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP390N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.26 грн
10+76.43 грн
100+51.48 грн
500+38.28 грн
1000+35.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP900N60EC-T0PanjitMOSFET TO-220AB-L/MOS/NFET-600CTMNH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP900N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 400 V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.34 грн
10+178.67 грн
100+144.58 грн
500+120.60 грн
1000+103.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP900N60EC_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP990N65EC-T0PanjitMOSFETs TO220 650V 4.7A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP990N65EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.61 грн
2000+59.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP990N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.35 грн
10+54.07 грн
100+34.24 грн
500+25.04 грн
1000+22.76 грн
2000+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMQC040N10NS2_R2_00601Panjit International Inc.Description: 100V/ 4.4MOHM/ EXCELLECT LOW FOM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMQC040N10NS2_R2_00601PanjitMOSFETs 100V/ 4.4mohm/ Excellect low FOM MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMQC040N10NS2_R2_00601Panjit International Inc.Description: 100V/ 4.4MOHM/ EXCELLECT LOW FOM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4