Продукція > PJM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PJMH120N60EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 51nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH125N60FRC-T0PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH125N60FRC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO247AD-3
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Case: TO247AD-3
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH125N60FRC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V/ 125mO / 30A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH125N60FRC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V 125mohm 30A SJ MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-247AD
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+467.94 грн
30+256.93 грн
120+214.28 грн
510+171.76 грн
1020+161.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH190N60E1-T0PanjitMOSFETs TO247 600V 20.6A N-CH SUPER J
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH190N60E1_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 190MOHM / 20.6A/ EASY TO D
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.60 грн
10+96.46 грн
30+86.50 грн
120+72.77 грн
270+69.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH190N60E1_T0_00601PanjitMOSFETs 600V 190mohm 20.6A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH190N65FR2_T0_00601PanjitMOSFETs 650V/ 180m ohms / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH190N65FR2_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 180M / FAST RECOVERY QRR/
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 168.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1492 pF @ 400 V
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.66 грн
30+152.29 грн
120+124.67 грн
510+97.98 грн
1020+91.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH190N65FR2_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.7A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.7A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMK040N60EC_T0_00201Panjit International Inc.Description: 600V/ 40M / 71A/ EASY TO DRIVER
Packaging: Tube
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1040.91 грн
30+612.36 грн
60+594.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMK040N60EC_T0_00201PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 71A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 71A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 40V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMK040N60EC_T0_00201PanjitMOSFETs 600V/ 40mOhms / 71A/ Easy to driver SJ MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMK074N60FRCH_T0_00201PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 74V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMK074N60FRCH_T0_00201PanjitMOSFETs 600V/ 74mOhms / 53A/ Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMK074N60FRCH_T0_00201Panjit International Inc.Description: 600V/ 74M / 53A/ FAST RECOVERY Q
Packaging: Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+713.27 грн
30+405.45 грн
60+371.90 грн
120+338.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMN060N65FR2_R2_00201PanjitMOSFETs 650V/ 60mO / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMN060N65FR2_R2_00201Panjit International Inc.Description: 650V/ 60M / FAST RECOVERY QRR/T
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+477.34 грн
10+309.31 грн
50+244.99 грн
100+210.50 грн
500+198.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMN060N65FR2_R2_00201Panjit International Inc.Description: 650V/ 60M / FAST RECOVERY QRR/T
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMN080N65FR2_R2_00201Panjit International Inc.Description: 650V/ 75M / FAST RECOVERY QRR/T
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+402.10 грн
10+258.36 грн
50+203.11 грн
100+173.95 грн
500+158.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMN080N65FR2_R2_00201PanjitMOSFETs 650V/ 75mO / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMN080N65FR2_R2_00201Panjit International Inc.Description: 650V/ 75M / FAST RECOVERY QRR/T
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+151.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP060N65FR2_T0_00601PanjitMOSFETs 650V/ 60m ohms / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP060N65FR2_T0_00601PanJitCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 58.3A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
Drain current: 58.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP060N65FR2_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 60M / FAST RECOVERY QRR/T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4614 pF @ 400 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 23A, 10V
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+468.72 грн
10+303.50 грн
50+240.20 грн
100+206.32 грн
500+172.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP080N65FR2_T0_00601PanJitCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP080N65FR2_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 75M / FAST RECOVERY QRR/T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 388W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3507 pF @ 400 V
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.47 грн
10+252.32 грн
50+198.19 грн
100+169.65 грн
500+141.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP080N65FR2_T0_00601PanjitMOSFETs 650V/ 75m ohms / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP099N60EC-T0PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP099N60EC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP099N60EC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 99M / 39A/ EASY TO DRIVER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 308W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+657.62 грн
10+433.55 грн
50+347.91 грн
100+300.67 грн
500+255.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP099N60EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP105N60FRC-T0PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP105N60FRC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V/ 105mOhms / 35A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP105N60FRC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 35A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP105N60FRC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 105M / 35A/ SJ MOSFET WITH
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP120N60EC-T0PanjitMOSFETs TO220 600V 30A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP120N60EC_T0_00001PanJitCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 51nC
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+282.69 грн
10+234.82 грн
50+197.08 грн
100+176.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP120N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 400 V
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+572.97 грн
10+374.90 грн
50+299.33 грн
100+258.10 грн
500+218.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP120N60EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP125N60FRC-T0PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP125N60FRC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO220AB
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Case: TO220AB
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP125N60FRC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V/ 125mohms / 30A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP125N60FRC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 125M / 30A/ SJ MOSFET WITH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-220AB-L
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+399.75 грн
10+257.00 грн
50+202.01 грн
100+172.98 грн
500+143.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP130N65EC-T0PanjitMOSFET TO-220AB-L/MOS/NFET-650FCTMNH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP130N65EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP130N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.41 грн
10+132.69 грн
50+101.53 грн
100+85.87 грн
500+69.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP130N65EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP190N60E1-T0PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP190N65FR2_T0_00601PanjitMOSFETs 650V/ 180m ohms / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP190N65FR2_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 180M / FAST RECOVERY QRR/
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 168.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1492 pF @ 400 V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.90 грн
50+119.10 грн
100+107.62 грн
500+82.12 грн
1000+76.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP190N65FR2_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.7A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.7A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP210N65EC-T0PanjitMOSFETs TO220 650V 19A N-CH SJUNC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP210N65EC_T0_00601PanjitMOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 2812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP210N65EC_T0_00601PanJitCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 42A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP210N65EC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.68 грн
10+118.05 грн
50+90.05 грн
100+76.03 грн
500+61.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP310N65EC-T0PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP360N60EC-T0PanjitMOSFETs TO220 600V 11A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP360N60EC_T0_00001PanJitCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 87.5W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Pulsed drain current: 23A
Gate charge: 18.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP360N60EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP360N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.98 грн
50+58.66 грн
100+52.45 грн
500+39.00 грн
1000+36.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP390N65EC-T0PanjitMOSFETs TO220 650V 10A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP390N65EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP390N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.41 грн
10+77.14 грн
100+51.96 грн
500+38.63 грн
1000+35.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP900N60EC-T0PanjitMOSFET TO-220AB-L/MOS/NFET-600CTMNH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP900N60EC_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP900N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 400 V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.39 грн
10+180.32 грн
100+145.91 грн
500+121.72 грн
1000+104.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP990N65EC-T0PanjitMOSFETs TO220 650V 4.7A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP990N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.65 грн
10+54.57 грн
100+34.56 грн
500+25.27 грн
1000+22.97 грн
2000+21.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP990N65EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMQC040N10NS2_R2_00601PanjitMOSFETs 100V/ 4.4mohm/ Excellect low FOM MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMQC040N10NS2_R2_00601Panjit International Inc.Description: 100V/ 4.4MOHM/ EXCELLECT LOW FOM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMQC040N10NS2_R2_00601Panjit International Inc.Description: 100V/ 4.4MOHM/ EXCELLECT LOW FOM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.