Продукція > RN1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RN10F6201CT5-50Cal-Chip Electronics, Inc.Description: THINRES 0805 1% 6.2K OHM 50P
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±1%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±50ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN10F6342CT5-50Cal-Chip Electronics, Inc.Description: RES SMD 63.4K OHM 1% 1/10W 0805
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±1%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±50ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 63.4 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN10F6983CT5-50CAL-CHIP ELECTRONICS, INC.Description: RES SMD 698K OHM 1% 1/10W 0805
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN10F7502CT5-50Cal-Chip Electronics, Inc.Description: RES SMD 75K OHM 1% 1/10W 0805
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±1%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±50ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 75 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN10F7682CT5-50Cal-Chip Electronics, Inc.Description: RES SMD 76.8K OHM 1% 1/10W 0805
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±1%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±50ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 76.8 kOhms
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN10F8872CT5-50CAL-CHIP ELECTRONICS, INC.Description: RES SMD 88.7K OHM 1% 1/10W 0805
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN10F9092CT5-50CAL-CHIP ELECTRONICS, INC.Description: RES SMD 90.9K OHM 1% 1/10W 0805
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN110-90
Код товару: 132237
Додати до обраних Обраний товар
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Самовідновлюючі (PolySwitch)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101TOSHIBA01+ SOT523
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101(T5L,F,T)ToshibaDigital Transistors BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 100mW 3-Pin SSM T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101,LF(CBToshibaRN1101,LF(CB
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
42+7.32 грн
100+4.51 грн
500+3.08 грн
1000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1101,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101,LF(CTToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 100mW 3-Pin SSM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101,LF(CTToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built- in Transistor
на замовлення 12367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1101,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101,LXHF(CT
Код товару: 191959
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
33+9.36 грн
100+6.26 грн
500+4.49 грн
1000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.79 грн
6000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101/XA
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 50 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101FTOS10 SOT-523
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101FSTOSHIBA09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101FTTOS10 SOT-723
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101FT 4000TOS04+ SOT523
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101MFV(TPL3)ToshibaDigital Transistors 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101MFV,L3FToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101MFV,L3F(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1101MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101MFV,L3F(CTToshibaDigital Transistors 4.7kohm/4.7kohm 0.1A SOT-723 50V
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101MFV,L3F(CTToshibaTransistor Silicon NPN Epitaxial PCT Process Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
на замовлення 13851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5598+2.53 грн
5640+2.51 грн
8000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 5598 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101MFV,L3F(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1101MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 15250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
45+6.72 грн
100+4.15 грн
500+2.83 грн
1000+2.48 грн
2000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
28+11.02 грн
100+6.83 грн
500+4.71 грн
1000+4.16 грн
2000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.29 грн
16000+2.88 грн
24000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101MFV,L3XHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101TE85L(XA)
на замовлення 375000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102ToshibaDigital Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102TOSHIBASOT-523
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102(TE85L,F)TOSHIBASOT23
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102,LF(CBToshibaRN1102,LF(CB
на замовлення 4170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102,LF(CBToshibaRN1102,LF(CB
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1102,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 48445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1102,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 48445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102,LF(CTToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 17201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102,LF(CTToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 100mW 3-Pin SSM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
20+15.62 грн
100+7.90 грн
500+6.04 грн
1000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
на замовлення 5805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.18 грн
6000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102/XB
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102FTOS10 SOT-523
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102FS
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102FTTOS10 SOT-723
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102FT/XB
на замовлення 8749 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102FVTOSHIBA09+
на замовлення 7018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV(TL3,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANSISTOR NPN VESM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV(TL3,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANSISTOR NPN VESM
на замовлення 6679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV(TL3,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANSISTOR NPN VESM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV(TL3TTOS
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 10K x 10Kohms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3FToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.74 грн
16000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3FToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1954+7.24 грн
1974+7.17 грн
2670+5.30 грн
3394+4.02 грн
3808+3.32 грн
6000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 1954 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3FToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+19.01 грн
71+10.66 грн
105+6.98 грн
250+6.40 грн
500+4.54 грн
1000+3.57 грн
3000+3.18 грн
6000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3FToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3FToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 16477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
33+9.36 грн
100+5.79 грн
500+3.97 грн
1000+3.50 грн
2000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3F(CBToshibaRN1102MFV,L3F(CB
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6225+2.27 грн
6383+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 6225 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3F(CBToshibaRN1102MFV,L3F(CB
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 283 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3F(CTToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3F(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1102MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 42858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3F(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1102MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 42858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
20+15.62 грн
100+7.62 грн
500+5.96 грн
1000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3XHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
на замовлення 5452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102T5LFTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102T5LFTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102TE85L(XB)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103TOS
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103(TE85L,F)TOSHIBASOT23
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103,LF(CBToshibaRN1103,LF(CB
на замовлення 4384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2930+4.83 грн
3025+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 2930 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103,LF(CTToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1857+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 1857 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
24+13.06 грн
100+6.91 грн
500+4.26 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103,LF(CTToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built- in Transistor
на замовлення 5639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=22kO, Q1BER=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.