Продукція > SUD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SUD45P03-09-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 45A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45P03-09-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 45A PCH
на замовлення 13533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45P03-09-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD45P03-09-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 45 A, 0.0072 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 45
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 41.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 41.7
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45P03-10VishayTO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45P03-10VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45P03-10-E3
Код товару: 92766
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45P03-10-E3Vishay SemiconductorP-канальный ПТ, VDS,В 30, ID 15A, Ptot,Вт 70,... Транзистори Корпус: TO-252 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45P03-10-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45P03-15VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45P03-15-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45P03-15-E3
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45P03-15-T1-E3
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45P03-15AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SUD5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD492HVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD492JVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD494JVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD494NVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50M02-12PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N014-06P
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-04PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-04P-E3
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-04P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-06
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-06-E3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-06-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 30A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-06-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-06PVishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE - USE SUD50N02-06P-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-06PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-06P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 50A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.8W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-06P-E3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 26A 65W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-06P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-06P-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-06P-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N02-06P-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-06P-T4Vishay / SiliconixMOSFET 20V 26A 65W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-09PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-09PVishay / SiliconixMOSFETs 20V 20A 6.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-09P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-09P-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUD50N02-06P-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-09P-E3VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-09P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-09P-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUD50N02-06P-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-09P-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 20A TO252
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-09P-T4Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-09P-T4-E3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-11PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-12PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N0206
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N0206T4
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-0
на замовлення 3774 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-06VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-06PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-06P
Код товару: 89310
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-06PVishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE - USE SUD50N025-06P-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-06P-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 24V 80A 6.8W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-06P-T4
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-06P-T4E3VISHAYTO252
на замовлення 42900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-09F-T4
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-09PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-09P транзистор
Код товару: 85069
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-09P-E3VISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-09P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 22V 49A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 22 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-09P-E4E3VISHAYTO252
на замовлення 22541 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-09P-T4
на замовлення 3774 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-09P-T4E3
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-6D-24
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N025
на замовлення 1072 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N025-05PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N025-06P-E3Vishay / SiliconixMOSFET 25V 78A 65W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N025-06P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 78A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 10.7W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N025-06P-E3VISHAY06+
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N025-09BP-4E3
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N025-09BP-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH D-S 25V TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-06vishay
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-06AP-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.82 грн
10+101.29 грн
100+68.91 грн
500+51.65 грн
1000+47.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-06AP-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-06AP-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 90A 83W
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-06AP-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-06AP-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-06AP-T4E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-06PVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT SUD50N048M8P4GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-06PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-06P-E3VISHAY09+
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-06P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 84A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-07VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-07VishayТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-07Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N03-06AP-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-07-E3VISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-07-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N03-06AP-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-07-T4VishayVishay OBSOLETE - USE SUD50N03-06AP-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-07APVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N03-06AP-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-07APVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-07AP-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N03-06AP-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-07AP-T4Vishay / SiliconixMOSFET 30V N-CH, 175DEG C RATED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-09PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-09P-E3VISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-09P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 63A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 65.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-09P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 63A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-09P-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 63A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 65.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.