Продукція > SUD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SUD45P03-10-E3 Код товару: 92766
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SUD45P03-10-E3 | Vishay Semiconductor | P-канальный ПТ, VDS,В 30, ID 15A, Ptot,Вт 70,... Транзистори Корпус: TO-252 Од. вим: шт кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD45P03-15 | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD45P03-15-E3 | на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD45P03-15-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 70W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD45P03-15-T1-E3 | на замовлення 2460 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD45P03-15A | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT SUD5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD492H | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD492J | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD494J | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD494N | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50M02-12P | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N014-06P | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD50N02-04P | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N02-04P-E3 | на замовлення 1840 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD50N02-04P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 50A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N02-06 | на замовлення 6800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD50N02-06-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 30A TO252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N02-06-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N02-06-E3 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD50N02-06P | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N02-06P | Vishay / Siliconix | MOSFET OBSOLETE - USE SUD50N02-06P-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N02-06P-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V 26A 65W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N02-06P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 50A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 6.8W (Ta), 65W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N02-06P-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N02-06P-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N02-06P-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N02-06P-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 50A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N02-06P-T4 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V 26A 65W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N02-09P | Vishay / Siliconix | MOSFETs 20V 20A 6.5W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N02-09P | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N02-09P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 39.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N02-09P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 39.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N02-09P-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUD50N02-06P-GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N02-09P-E3 | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N02-09P-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO252 Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N02-09P-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUD50N02-06P-GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N02-09P-T4 | Vishay / Siliconix | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N02-09P-T4-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N02-11P | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N02-12P | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N0206 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD50N0206T4 | на замовлення 294 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD50N024 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD50N024-0 | на замовлення 3774 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD50N024-06 | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N024-06P Код товару: 89310
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SUD50N024-06P | Vishay / Siliconix | MOSFET OBSOLETE - USE SUD50N025-06P-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N024-06P | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N024-06P-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 24V 80A 6.8W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N024-06P-T4 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD50N024-06P-T4E3 | VISHAY | TO252 | на замовлення 42900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N024-09F-T4 | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD50N024-09P | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N024-09P транзистор Код товару: 85069
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SUD50N024-09P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 22V 49A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 39.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 22 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N024-09P-E3 | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N024-09P-E4E3 | VISHAY | TO252 | на замовлення 22541 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N024-09P-T4 | на замовлення 3774 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD50N024-09P-T4E3 | на замовлення 4200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD50N024-6D-24 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD50N025 | на замовлення 1072 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD50N025-05P | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N025-06P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 78A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 10.7W (Ta), 65W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N025-06P-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 25V 78A 65W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N025-06P-E3 | VISHAY | 06+ | на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N025-09BP-4E3 | на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD50N025-09BP-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH D-S 25V TO252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N03 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD50N03-06 | vishay | на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SUD50N03-06AP-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SUD50N03-06AP-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V 90A 83W | на замовлення 2851 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SUD50N03-06AP-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N03-06AP-E3 | на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD50N03-06AP-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SUD50N03-06AP-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N03-06AP-T4E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N03-06P | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT SUD50N048M8P4GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N03-06P | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N03-06P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 84A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 88W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N03-06P-E3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 478 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N03-07 | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N03-07 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N03-06AP-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N03-07 | Vishay | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N03-07-E3 | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N03-07-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N03-06AP-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N03-07-T4 | Vishay | Vishay OBSOLETE - USE SUD50N03-06AP-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N03-07AP | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N03-06AP-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N03-07AP | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N03-07AP-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N03-06AP-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N03-07AP-T4 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V N-CH, 175DEG C RATED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N03-09P | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N03-09P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 63A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 65.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N03-09P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 63A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 65.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N03-09P-E3 | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N03-09P-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 63A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 65.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N03-1 | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUD50N03-10 | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N03-10 Код товару: 36248
Додати до обраних
Обраний товар
| Vishay | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D-Pak (TO-252) Напруга сток-витік Uds, V: 30 V Струм стоку Idd, A: 15 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 3200/55 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||
| SUD50N03-10 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT SUD5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUD50N03-10-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 15A 83W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

