Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ZVN4106FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.51 грн
15000+13.26 грн
30000+12.33 грн
45000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4106FTA SOT23-MZZETEX
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4106FTA SOT23-MZZETEX
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4106FTA/MZ
на замовлення 2186 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4106FTASOT23-MZ
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4106FTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4106GTA
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4106\MZZETEXSOT-23
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206ADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.6A 3-Pin E-Line
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206ADIODES INCORPORATEDCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.6A; Idm: 8A; 0.7W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.7W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+73.84 грн
8+57.05 грн
10+49.94 грн
50+34.88 грн
100+29.97 грн
350+24.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206ADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.6A 3-Pin E-Line
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
543+26.02 грн
Мінімальне замовлення: 543 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206ADiodes IncorporatedMOSFETs N-Chnl 60V
на замовлення 5655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206ADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.6A 3-Pin E-Line
на замовлення 3848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
401+35.21 грн
500+32.42 грн
1000+28.61 грн
2500+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 401 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206ADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.6A 3-Pin E-Line
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+35.92 грн
500+32.92 грн
1000+29.03 грн
2500+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206ADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.6A 3-Pin E-Line
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
359+26.02 грн
500+25.15 грн
1000+23.36 грн
3000+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 359 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206ADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
на замовлення 19418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.25 грн
10+46.55 грн
100+26.92 грн
500+22.26 грн
1000+20.19 грн
4000+16.98 грн
8000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206ADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZVN4206A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 600 mA, 1 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206ADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.6A 3-Pin E-Line
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206A транзистор
Код товару: 204726
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206ASTOADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206ASTOBDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206ASTOB
на замовлення 20500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206ASTZDiodes IncorporatedMOSFETs N-Chnl 60V
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206ASTZDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.6A 3-Pin E-Line Box
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206ASTZDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZVN4206ASTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 600 mA, 1 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206ASTZDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+20.22 грн
4000+18.07 грн
6000+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206ASTZDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.6A 3-Pin E-Line Box
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206AVDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZVN4206AV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 600 mA, 1 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 700mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 3350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206AVDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.27 грн
10+60.95 грн
25+51.29 грн
50+42.51 грн
100+37.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206AVZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206AVDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.6A 3-Pin E-Line
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206AVDiodes IncorporatedMOSFETs Avalanche
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206AVDIODES INCORPORATEDCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.6A; Idm: 8A; 0.7W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.7W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206AVSTOADiodes IncorporatedMOSFETs Avalanche
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206AVSTOADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: E-Line-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206AVSTOA
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206AVSTOBDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206AVSTOBDiodes IncorporatedMOSFETs Avalanche
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206AVSTZDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.6A 3-Pin E-Line T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206AVSTZDiodes IncorporatedMOSFETs Avalanche
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206AVSTZDIODES INCORPORATEDCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.6A; Idm: 8A; 0.7W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.7W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhancement
на замовлення 723 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+95.72 грн
10+53.84 грн
50+43.09 грн
100+38.35 грн
200+33.69 грн
500+27.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206AVSTZDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.27 грн
10+60.95 грн
25+51.29 грн
50+42.51 грн
100+37.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206AVSTZDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZVN4206AVSTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 600 mA, 1 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 700mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206AVSTZDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.09 грн
6000+23.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZVN4206G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZVN4206G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GTADiodes IncorporatedMOSFETs N-Chnl 60V
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 794 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.07 грн
10+55.02 грн
50+43.51 грн
100+38.77 грн
250+32.42 грн
500+27.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+27.58 грн
2000+26.75 грн
5000+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+29.44 грн
2000+26.03 грн
3000+24.85 грн
5000+22.08 грн
7000+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+40.08 грн
250+39.84 грн
500+36.37 грн
1000+33.49 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.90 грн
2000+25.45 грн
5000+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+33.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+34.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 50483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.27 грн
10+61.48 грн
100+40.89 грн
500+30.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+44.32 грн
1000+37.70 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZVN4206GTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+25.01 грн
8000+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZVN4206GTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GTCDiodes IncorporatedMOSFETs N-Chnl 60V
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 31951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.27 грн
10+61.48 грн
100+40.89 грн
500+30.09 грн
1000+27.43 грн
2000+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GVZETEX07+ SOT223
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GVTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GVTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GVTADiodes IncorporatedMOSFETs N-Chnl 60V
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GVTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GVTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+49.41 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GVTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.20 грн
10+87.69 грн
25+74.33 грн
50+61.95 грн
100+55.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GVTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+49.41 грн
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GVTA
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206GVTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206NTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Supplier Device Package: SM8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4206NTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Supplier Device Package: SM8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4210ADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.45A 3-Pin E-Line
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+75.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4210ADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.45A 3-Pin E-Line
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+75.57 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4210ADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4210ADIODES INCORPORATEDCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.45A; 0.7W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.7W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+80.22 грн
8+57.39 грн
10+50.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4210ADiodes IncorporatedMOSFETs N-Chnl 100V
на замовлення 3773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4210ADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.45A 3-Pin E-Line
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4210ASTOADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 450MA E-LINE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: E-Line-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4210ASTOA
на замовлення 63700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4210ASTOADiodes IncorporatedMOSFET N-Chnl 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4210ASTOBDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 450MA E-LINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4210ASTZDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.45A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4210ASTZDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 450MA E-LINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.48 грн
10+60.64 грн
100+40.19 грн
500+29.48 грн
1000+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4210ASTZDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.45A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+49.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4210ASTZDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.45A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+49.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4210ASTZ
на замовлення 36500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4210ASTZDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 450MA E-LINE
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 62000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.21 грн
4000+24.20 грн
6000+23.18 грн
10000+20.68 грн
14000+20.05 грн
20000+19.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4210ASTZDiodes IncorporatedMOSFETs N-Chnl 100V
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4210GZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4210GDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4210G
Код товару: 186383
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4210GTA
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4210GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4210GTADiodes IncorporatedMOSFETs N-Chnl 100V
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  Наступна Сторінка >> ]