Продукція > ZXM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ZXMD63C03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C03XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8MSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N02XZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N02XTADiodes IncorporatedMOSFET Dual 20V N Chl HDMOS
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP
на замовлення 400045000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP
на замовлення 483345000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N02XTADiodesMOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP
на замовлення 483345000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N02XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8MSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N03XZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP
на замовлення 4715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.52 грн
10+145.37 грн
100+116.83 грн
500+90.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N03XTADiodes IncorporatedMOSFET Dual 30V N Chl HDMOS
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+82.59 грн
2000+74.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N03XTC
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N03XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8MSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P02XZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P02XTADiodes IncorporatedMOSFET Dual 20V P Chl HDMOS
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.25nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P02XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.25nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P03XZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P03XTADiodes IncorporatedMOSFET Dual 30V P Chl HDMOS
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63P03XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65N02ZETEX09+ SO-8
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65N02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65N03ZETEX09+ SO-8
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65N03N8
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65N03N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P02ZETEX09+ SO-8
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P02N8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P02N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P03ZETEX09+ SO-8
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P03N8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P03N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 0.8A/0.68A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.94 грн
7500+33.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TCDiodes INC.Транзистор польовий 2N+2P, Udss, В = 100, Id = 800 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 138 @ 60, Qg, нКл = 2,9 @ 10 В, Rds = 700 мОм @ 1,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,87, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 680 мА,... Транзистори Корпус: S
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
2500+45.49 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TCDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-100V; 0.9/-0.7A; 0.87W
Power dissipation: 0.87W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
Drain current: 0.9/-0.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100/-100V
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 0.9/1.45Ω
Mounting: SMD
на замовлення 2047 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+77.67 грн
10+60.30 грн
50+50.99 грн
100+46.88 грн
500+43.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TCDiodes IncorporatedMOSFETs Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9
на замовлення 22821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 0.8A/0.68A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 11234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.30 грн
10+85.82 грн
25+72.64 грн
50+60.55 грн
100+54.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TCDiodes Inc./ZetexMOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07T8Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07T8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 1A/0.8A 8-Pin SM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07T8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 100V SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07T8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMHC10A07T8TA - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 100 V, 100 V, 1 A, 1 A, 0.7 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07T8TADiodes IncorporatedMOSFETs 100V 1.4A N-Channel MOSFET H-Bridge
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07T8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 100V SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.71 грн
10+129.22 грн
25+110.35 грн
50+92.55 грн
100+83.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07T8TADiodes Inc./ZetexMOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07T8TADIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; complementary pair; 1.3W
Power dissipation: 1.3W
Gate charge: 2.9/3.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.4/-1.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100/-100V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SM8
On-state resistance: 700mΩ/1Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07T8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMHC10A07T8TA - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 100 V, 100 V, 1 A, 1 A, 0.7 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07T8TA мосфет збірка
Код товару: 222096
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8DICTDiodes Inc./ZetexMOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
2+390.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8TA
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A, 1.64A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 22386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.41 грн
10+76.46 грн
25+64.61 грн
50+53.73 грн
100+47.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A, 1.64A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.15 грн
7500+29.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8TCDiodes IncorporatedMOSFETs Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A
на замовлення 22043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+68.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
Part Status: Active
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.09 грн
10+105.44 грн
100+72.13 грн
500+54.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8TADiodes Inc./ZetexMOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8TADiodes IncorporatedMOSFETs 30/30V 3.1/2.3A N & P Channel
на замовлення 3645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.43 грн
10+96.41 грн
25+95.90 грн
100+81.94 грн
250+75.04 грн
500+65.01 грн
1000+59.86 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8TA
Код товару: 163888
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+106.43 грн
147+96.41 грн
148+95.90 грн
167+81.94 грн
250+75.04 грн
500+65.01 грн
1000+59.86 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+68.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3F381N8TCDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET H-BRIDGE SOP-8L
на замовлення 5418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3F381N8TCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMHC3F381N8TC - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.98 A, 3.98 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.98A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3F381N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.98A/3.36A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3F381N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.98A, 3.36A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 15V, 670pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 3076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.41 грн
10+76.46 грн
25+64.61 грн
50+53.73 грн
100+47.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3F381N8TCDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 30/-30V; 3.98/-3.36A; 0.87W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3.98/-3.36A
Power dissipation: 0.87W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
Pulsed drain current: 22.9...-19.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3F381N8TCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMHC3F381N8TC - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.98 A, 3.98 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.98A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3F381N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.98A, 3.36A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 15V, 670pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3F381N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.98A/3.36A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 1.8/-1.4A
Power dissipation: 1.36W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 250/400mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.2/5.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDiodes IncorporatedMOSFETs Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A
на замовлення 42124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 4143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.41 грн
10+76.46 грн
25+64.61 грн
50+53.73 грн
100+47.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8ZETEX07+ SM-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+72.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.6A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 233pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+59.23 грн
2000+52.92 грн
3000+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADiodes IncorporatedMOSFETs 60V UMOS H-Bridge
на замовлення 3207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07T8TA - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.8 A, 1.8 A, 1.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+68.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.