Продукція > STD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 50 53  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STD60NF06LT4
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+192.37 грн
5+142.57 грн
10+125.80 грн
50+92.25 грн
100+82.19 грн
500+64.58 грн
1000+59.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD60NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.98 грн
500+78.50 грн
1000+62.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4
Код товару: 165661
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.09 грн
10+124.01 грн
100+85.34 грн
500+64.58 грн
1000+61.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4STMMOSFET N-CH 60V 60A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD60NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+206.46 грн
50+132.49 грн
100+92.66 грн
500+70.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF3LLSTTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF3LL-
на замовлення 26978 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF3LL-1
на замовлення 26978 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF3LL-T4
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF3LL-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF3LLT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF3LLT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF3LLT4
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF3LLT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30 Volt 60 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LSTTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55L-1STMN-channel 55V - 0.012. - 60A - DPAK/IPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55L-1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55L-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LAT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+179.15 грн
115+123.52 грн
127+112.21 грн
200+92.74 грн
500+84.19 грн
1000+68.29 грн
2000+64.49 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LAT4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 55 V, 12 mOhm, 60 A STripFET II Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 3784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LAT4
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LAT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LAT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.74 грн
10+93.29 грн
100+65.32 грн
500+51.06 грн
1000+46.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LAT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD60NF55LAT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 60 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.23 грн
500+64.31 грн
1000+54.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LAT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LAT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LAT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD60NF55LAT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 60 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.50 грн
10+110.55 грн
100+80.23 грн
500+64.31 грн
1000+54.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.78 грн
5000+36.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD60NF55LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.56 грн
10+95.92 грн
100+63.40 грн
500+48.23 грн
1000+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.13 грн
5000+36.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.24 грн
5000+55.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 55 Volt 60 Amp
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
на замовлення 3922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.46 грн
10+81.14 грн
100+54.77 грн
500+40.81 грн
1000+38.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.24 грн
5000+55.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LT4STTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 15V; 17mOhm; 60A; 110W; -55°C ~ 175°C; STD60NF55LT4 STD60NF55L TSTD60NF55L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+57.37 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NH03LST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NH03L-06
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NH03L-1STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 Volt 60 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NH03L-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A I-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NH03L-1STTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NH03L-T4
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NH03L-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NH03LT4STTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NH03LT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30 Volt 60 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NH03LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD616AST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD616A-1STTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD616A-T4
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD616A-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD616AT4ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD64N4F6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 54A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD64N4F6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 54A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD64N4F6AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD64N4F6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 7000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.22 грн
500+30.80 грн
1000+25.92 грн
5000+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD64N4F6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 40 V, 7 mOhm typ., 54 A STripFET F6 Power MOSFET in a
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD64N4F6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 54A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 5825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.38 грн
10+65.89 грн
100+43.54 грн
500+34.36 грн
1000+31.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD64N4F6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 54A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD64N4F6AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD64N4F6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 7000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.90 грн
13+66.73 грн
100+44.22 грн
500+30.80 грн
1000+25.92 грн
5000+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD6528S
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N160M9STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 17 A MDmesh M9 Power MOSFET
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N160M9STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 650 V, 132 MOHM TYP.,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.55 грн
10+261.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N160M9STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+293.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N160M9STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 650 V, 132 MOHM TYP.,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N160M9STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+331.24 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N3LLH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 30V 65A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N3LLH5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30V 0.0061Ohm 65A pwr STripFET V
на замовлення 7137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N3LLH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 30V 65A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N3LLH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 65A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N55
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N55F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N55F3STMicroelectronicsMOSFETs STripFET
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N55F3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD65N55F3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 32 A, 6.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+108.11 грн
500+85.29 грн
1000+72.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N55F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+88.94 грн
5000+88.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.06 грн
10+131.03 грн
100+90.47 грн
500+68.62 грн
1000+65.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N55F3STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK; ESD
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N55F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+88.94 грн
5000+88.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N55F3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD65N55F3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 32 A, 6.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.15 грн
10+147.12 грн
100+108.11 грн
500+85.29 грн
1000+72.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N55LF3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N55LF3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N55LF3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N55LF3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N55LF3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 55V 7.0mOh 110W STripFETIII 80A 55V
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N55T4
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD65NF06STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD65NF06STMicroelectronicsMOSFETs N Ch 60V 11.5mohm 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD65NF06
Код товару: 89309
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 50 53  [ Наступна Сторінка >> ]