Продукція > STD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STD60N55F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60N55F3STMicroelectronicsMOSFET N Ch 55V 6.5mohm 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD60N55F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.56 грн
10+148.43 грн
25+145.31 грн
100+110.88 грн
250+100.46 грн
500+82.74 грн
1000+69.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF03
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF04LTSTMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF04LT4STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF04T4STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06STTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06-T4
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06-TR
на замовлення 68500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06LT4
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD60NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+194.18 грн
5+123.28 грн
10+107.01 грн
50+79.67 грн
100+70.87 грн
250+61.22 грн
500+53.84 грн
1000+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.66 грн
10+124.92 грн
50+95.47 грн
100+80.68 грн
500+65.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4
Код товару: 165661
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD60NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4STMMOSFET N-CH 60V 60A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF3LLSTTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF3LL-
на замовлення 26978 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF3LL-1
на замовлення 26978 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF3LL-T4
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF3LL-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF3LLT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF3LLT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30 Volt 60 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF3LLT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LSTTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55L-1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55L-1STMN-channel 55V - 0.012. - 60A - DPAK/IPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55L-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LAT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.87 грн
10+87.40 грн
50+65.97 грн
100+55.40 грн
500+43.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LAT4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 55 V, 12 mOhm, 60 A STripFET II Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 4643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LAT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LAT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD60NF55LAT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 60 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LAT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.20 грн
7500+34.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LAT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LAT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD60NF55LAT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 60 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LAT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+179.15 грн
115+123.52 грн
127+112.21 грн
200+92.74 грн
500+84.19 грн
1000+68.29 грн
2000+64.49 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.25 грн
10+81.21 грн
50+61.14 грн
100+51.28 грн
500+40.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.13 грн
5000+36.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.24 грн
5000+55.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.24 грн
5000+55.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 55 Volt 60 Amp
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.78 грн
5000+36.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; 110W; DPAK; ESD
Mounting: SMD
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Drain current: 42A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+129.15 грн
10+60.30 грн
50+52.16 грн
100+48.81 грн
250+44.28 грн
500+43.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF55LT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD60NF55LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NH03LST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NH03L-06
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NH03L-1STTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NH03L-1STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 Volt 60 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NH03L-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A I-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NH03L-T4
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NH03L-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NH03LT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30 Volt 60 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NH03LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NH03LT4STTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD616AST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD616A-1STTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD616A-T4
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD616A-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD616AT4ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD64N4F6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 54A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.22 грн
10+70.35 грн
50+52.68 грн
100+44.09 грн
500+34.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD64N4F6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 54A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD64N4F6AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD64N4F6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 7000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 5829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD64N4F6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 54A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD64N4F6AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD64N4F6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 7000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 5829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD64N4F6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 54A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD64N4F6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 40 V, 7 mOhm typ., 54 A STripFET F6 Power MOSFET in a
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD6528S
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N160M9STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 650 V, 132 MOHM TYP.,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N160M9STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 17 A MDmesh M9 Power MOSFET
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N160M9STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+293.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N160M9STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+331.24 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N160M9STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 650 V, 132 MOHM TYP.,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 400 V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.55 грн
10+261.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N3LLH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 30V 65A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N3LLH5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30V 0.0061Ohm 65A pwr STripFET V
на замовлення 7137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N3LLH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 65A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N55
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N55F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N55F3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD65N55F3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 32 A, 6.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N55F3STMicroelectronicsMOSFETs STripFET
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N55F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+88.94 грн
5000+88.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N55F3STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK; ESD
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.33 грн
10+135.18 грн
100+93.30 грн
500+70.77 грн
1000+67.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N55F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+88.94 грн
5000+88.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N55F3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD65N55F3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 32 A, 6.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.